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中國科大在氧化鎵半導體器件領域研究取得重要進展
2022年12月13日 09:56:52 來源：化工儀器網 作者：楊 點擊量：4520

中國科大國家示范性微電子學院龍世兵教授課題組兩篇關于氧化鎵器件的研究論文(高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測器)被美國舊金山召開的第68屆國際電子器件大會(IEEE IEDM)接收。

　　【化工儀器網 項目成果】半導體在集成電路、消費電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用，如二極管就是采用半導體制作的器件。無論從科技或是經濟發(fā)展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。氧化鎵(化學式為Ga2O3)是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景，其導電性能和發(fā)光特性長期以來一直引起人們的注意。
 
　　據(jù)中國科學技術大學消息，中國科大國家示范性微電子學院龍世兵教授課題組兩篇關于氧化鎵器件的研究論文(高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測器)被美國舊金山召開的第68屆國際電子器件大會(IEEE IEDM)接收。
 
　　IEEE IEDM是一個年度微電子和納電子學術會議，是報告半導體和電子器件技術、設計、制造、物理和建模等領域的關鍵技術突破的世界頂級論壇，其與ISSCC、VLSI并稱為集成電路和半導體領域的“奧林匹克盛會”。
 
　　如何開發(fā)出有效的邊緣終端結構，緩解肖特基電極邊緣電場是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決，PN結相關的邊緣終端結構一直是難點。龍世兵課題組基于氧化鎵異質PN結的前期研究基礎，將異質結終端擴展結構成功應用于氧化鎵肖特基二極管。該研究通過合理設計優(yōu)化JTE區(qū)域的電荷濃度，確保不影響二極管正向特性的同時最大化削弱肖特基邊緣電場，從而有效提高器件的耐壓能力。優(yōu)化后的器件實現(xiàn)了2.9mΩ·cm^2的低導通電阻和2.1kV的高擊穿電壓，其功率品質因數(shù)高達1.52GW/cm^2。此外，利用該優(yōu)化工藝成功制備并封裝了大面積的氧化鎵肖特基二極管，器件正向偏壓2V下電流密度達到180A/cm^2，反向擊穿電壓高達1.3kV。
 
　　光電探測器在目標跟蹤、環(huán)境監(jiān)測、光通信、深空探索等諸多領域發(fā)揮著越來越重要的作用。響應度和響應速度是光電探測器的兩個關鍵的性能參數(shù)，然而這兩個指標之間存在著制約關系，此消彼長。龍世兵團隊通過引入額外的輔助光源實現(xiàn)對向光柵(OPG)調控方案，來緩解上述制約關系。
 
　　該工作提出了一種光電探測器芯片內千萬像素共享一顆輔助LED即可緩解響應度與響應速度之間的制約關系的策略，對光電探測芯片綜合性能的提升有重要參考意義。
 
　　參考資料來源：中國科學技術大學
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