LN2516 LN2516SRA寬壓大電流LED車燈驅(qū)動(dòng)電源

產(chǎn)品 特點(diǎn)
? 寬輸入電壓范圍：6V~100V
? 效率 88%
? 輸出電流范圍：100mA~3.5A
? 電源內(nèi)置7V穩(wěn)壓管
? 平均電流工作模式
? 內(nèi)置抖頻電路
? 內(nèi)置100V功率管
? 過(guò)溫時(shí)減小輸出電流

用途
? 直流或交流輸入LED驅(qū)動(dòng)器
? RGB 背光LED驅(qū)動(dòng)
? 電動(dòng)自行車照明
? 汽車照明等

封裝 形式
? eSOP8 SOP8　,SOT23-6

應(yīng)用信息 應(yīng)用信息 應(yīng)用信息
? 芯片啟動(dòng) 芯片啟動(dòng)
系統(tǒng)上電后通過(guò)啟動(dòng)阻對(duì)連接于源引腳 系統(tǒng)上電后通過(guò)啟動(dòng)阻對(duì)連接于源引腳 系統(tǒng)上電后通過(guò)啟動(dòng)阻對(duì)連接于源引腳 VDD 的電容充，芯片 處于欠壓保護(hù)狀態(tài)時(shí)的電容充，芯片 處于欠壓保護(hù)狀態(tài)時(shí)的電容充，芯片 處于欠壓保護(hù)狀態(tài)時(shí)的電容充，芯片 處于欠壓保護(hù)狀態(tài)時(shí)的電容充，芯片 處于欠壓保護(hù)狀態(tài)時(shí)的電容充，芯片 處于欠壓保護(hù)狀態(tài)時(shí)的電容充，芯片 處于欠壓保護(hù)狀態(tài)時(shí)的電容充，芯片 處于欠壓保護(hù)狀態(tài)時(shí)的電容充，芯片 處于欠壓保護(hù)狀態(tài)時(shí)的電容充，芯片 處于欠壓保護(hù)狀態(tài)時(shí)的電容充，芯片 處于欠壓保護(hù)狀態(tài)時(shí)僅消耗約 僅消耗約 40uA40uA 的電流。當(dāng)源壓高于 的電流。當(dāng)源壓高于 的電流。當(dāng)源壓高于 的電流。當(dāng)源壓高于 的電流。當(dāng)源壓高于 的電流。當(dāng)源壓高于 VDDVDD 欠 壓保護(hù)電后，芯片控制路開(kāi)始工作直到 壓保護(hù)電后，芯片控制路開(kāi)始工作直到 VDD 端口電壓穩(wěn)定達(dá)到 端口電壓穩(wěn)定達(dá)到 端口電壓穩(wěn)定達(dá)到 端口電壓穩(wěn)定達(dá)到 端口電壓穩(wěn)定達(dá)到 VDD 的鉗位電壓 的鉗位電壓 8V 左右。 左右。
? 編程電流 編程電流
在輸出高亮?xí)r，電流： 在輸出高亮?xí)r，電流： 在輸出高亮?xí)r，電流： 在輸出高亮?xí)r，電流： 在輸出高亮?xí)r，電流： 在輸出高亮?xí)r，電流：
ILED =VCS _AVG /R CS ，其中 VCS _AVG =200mV ，RCS 為 CS 采 樣電阻。 樣電阻。
? 電流 設(shè)置
通過(guò)給 通過(guò)給 MODE MODE設(shè)置不同 設(shè)置不同 設(shè)置不同 的電平，可以讓芯片實(shí)現(xiàn) 電平，可以讓芯片實(shí)現(xiàn) 電平，可以讓芯片實(shí)現(xiàn) 電平，可以讓芯片實(shí)現(xiàn) 電平，可以讓芯片實(shí)現(xiàn) 電平，可以讓芯片實(shí)現(xiàn) 不同的功能。 不同的功能。 不同的功能。
當(dāng) MODE 懸空或者接地，芯片進(jìn)入高亮工作模式； 懸空或者接地，芯片進(jìn)入高亮工作模式； 懸空或者接地，芯片進(jìn)入高亮工作模式； 懸空或者接地，芯片進(jìn)入高亮工作模式； 懸空或者接地，芯片進(jìn)入高亮工作模式； 懸空或者接地，芯片進(jìn)入高亮工作模式； 懸空或者接地，芯片進(jìn)入高亮工作模式； 懸空或者接地，芯片進(jìn)入高亮工作模式； 懸空或者接地，芯片進(jìn)入高亮工作模式； 懸空或者接地，芯片進(jìn)入高亮工作模式； 當(dāng) MODE MODE接 VDD 時(shí)，芯片進(jìn)入 時(shí)，芯片進(jìn)入 時(shí)，芯片進(jìn)入 時(shí)，芯片進(jìn)入 低亮 工作 模式。 模式。
低亮 工作 模式 電流 為高亮?xí)r的 為高亮?xí)r的 為高亮?xí)r的 50%50% 。
? 電感選擇 電感選擇
LN 2516 2516工作在電感流連續(xù)模式，平 工作在電感流連續(xù)模式，平 工作在電感流連續(xù)模式，平 工作在電感流連續(xù)模式，平 工作在電感流連續(xù)模式，平 工作在電感流連續(xù)模式，平 工作在電感流連續(xù)模式，平 工作在電感流連續(xù)模式，平 工作在電感流連續(xù)模式，平 均值為 均值為 均值為 VCS _AVG _AVG/R CS （高亮） （高亮） （高亮） （高亮） ， 電感流 電感流 電感流 電感流 峰值為 峰值為 峰值為 1.25* VCS _AVG /R CS 。
在輸入電壓 在輸入電壓 在輸入電壓 VIN VIN及輸出電壓 輸出電壓 輸出電壓 VLED 都已知的條件下， 都已知的條件下， 都已知的條件下， 都已知的條件下， 都已知的條件下， 電感值決定了 系統(tǒng)的工作頻率 系統(tǒng)的工作頻率 系統(tǒng)的工作頻率 系統(tǒng)的工作頻率 系統(tǒng)的工作頻率 系統(tǒng)的工作頻率 ，電感值由如下 公式計(jì)算： 公式計(jì)算： LE s D IN
LED LE IN D
V I f
V V V
L
? ?
? ? ?
?
2 ( )
其中 fs 為開(kāi)關(guān)頻率，建議設(shè)置在 為開(kāi)關(guān)頻率，建議設(shè)置在 為開(kāi)關(guān)頻率，建議設(shè)置在 為開(kāi)關(guān)頻率，建議設(shè)置在 為開(kāi)關(guān)頻率，建議設(shè)置在 為開(kāi)關(guān)頻率，建議設(shè)置在 為開(kāi)關(guān)頻率，建議設(shè)置在 為開(kāi)關(guān)頻率，建議設(shè)置在 40KHz~120KHz 40KHz~120KHz 40KHz~120KHz 40KHz~120KHz之間。 之間。 電感取值 電感取值 電感取值 較大時(shí) 較大時(shí) ，可得到較優(yōu)化的效率。 ，可得到較優(yōu)化的效率。 ，可得到較優(yōu)化的效率。 ，可得到較優(yōu)化的效率。 ，可得到較優(yōu)化的效率。 ，可得到較優(yōu)化的效率。 當(dāng)采取無(wú)輸出電容方案時(shí)，應(yīng)選擇稍 當(dāng)采取無(wú)輸出電容方案時(shí)，應(yīng)選擇稍 小的電感 值，以減小 值，以減小 值，以減小 LED 上的電流紋波。 上的電流紋波。 上的電流紋波。
? 芯片內(nèi)置功率管最小導(dǎo)通時(shí)間 和關(guān)斷芯片內(nèi)置功率管最小導(dǎo)通時(shí)間 和關(guān)斷限制，都為 限制，都為 限制，都為 1u s，當(dāng)電感較小時(shí) ，功率管導(dǎo)通，當(dāng)電感較小時(shí) 功率管導(dǎo)通，當(dāng)電感較小時(shí) 功率管導(dǎo)通，當(dāng)電感較小時(shí) 功率管導(dǎo)通，當(dāng)電感較小時(shí) 功率管導(dǎo)通，當(dāng)電感較小時(shí) 功率管導(dǎo)通，當(dāng)電感較小時(shí) 功率管導(dǎo)通，當(dāng)電感較小時(shí) 功率管導(dǎo)通間和關(guān)斷時(shí)可能達(dá)到這兩個(gè)限制；芯片內(nèi)置 間和關(guān)斷時(shí)可能達(dá)到這兩個(gè)限制；芯片內(nèi)置 功率管最大導(dǎo)通時(shí)間和關(guān)斷限制，分 功率管最大導(dǎo)通時(shí)間和關(guān)斷限制，分 別為 60us60us 和 80us 80us ，當(dāng)電感較大時(shí)功率管導(dǎo)通 ，當(dāng)電感較大時(shí)功率管導(dǎo)通 ，當(dāng)電感較大時(shí)功率管導(dǎo)通 ，當(dāng)電感較大時(shí)功率管導(dǎo)通 ，當(dāng)電感較大時(shí)功率管導(dǎo)通 ，當(dāng)電感較大時(shí)功率管導(dǎo)通 ，當(dāng)電感較大時(shí)功率管導(dǎo)通 ，當(dāng)電感較大時(shí)功率管導(dǎo)通 時(shí)間和關(guān)斷可能達(dá)到這兩個(gè)限制。在選擇 時(shí)間和關(guān)斷可能達(dá)到這兩個(gè)限制。在選擇 電感時(shí)，應(yīng)盡量避免這兩種情況發(fā)生。 電感時(shí)，應(yīng)盡量避免這兩種情況發(fā)生。 電感時(shí)，應(yīng)盡量避免這兩種情況發(fā)生。 電感時(shí)，應(yīng)盡量避免這兩種情況發(fā)生。 電感時(shí)，應(yīng)盡量避免這兩種情況發(fā)生。 電感時(shí)，應(yīng)盡量避免這兩種情況發(fā)生。 電感時(shí)，應(yīng)盡量避免這兩種情況發(fā)生。 電感時(shí)，應(yīng)盡量避免這兩種情況發(fā)生。
? 短路保護(hù) 短路保護(hù)
當(dāng)出現(xiàn) LED 短路時(shí)，系統(tǒng)會(huì)降低工作頻率從而 短路時(shí)，系統(tǒng)會(huì)降低工作頻率從而 短路時(shí)，系統(tǒng)會(huì)降低工作頻率從而 短路時(shí)，系統(tǒng)會(huì)降低工作頻率從而 短路時(shí)，系統(tǒng)會(huì)降低工作頻率從而 短路時(shí)，系統(tǒng)會(huì)降低工作頻率從而 短路時(shí)，系統(tǒng)會(huì)降低工作頻率從而 短路時(shí)，系統(tǒng)會(huì)降低工作頻率從而 減小輸入電流 ，此時(shí)系統(tǒng)工作在打 嗝模式，此時(shí)系統(tǒng)工作在打 嗝模式，此時(shí)系統(tǒng)工作在打 嗝模式，此時(shí)系統(tǒng)工作在打 嗝模式，此時(shí)系統(tǒng)工作在打 嗝模式，此時(shí)系統(tǒng)工作在打 嗝模式，此時(shí)系統(tǒng)工作在打 嗝模式，此時(shí)系統(tǒng)工作在打 嗝模式，此時(shí)系統(tǒng)工作在打 嗝模式，此時(shí)系統(tǒng)工作在打 嗝模式，此時(shí)系統(tǒng)工作在打 嗝模式，此時(shí)系統(tǒng)工作在打 嗝模式，此時(shí)系統(tǒng)工作在打 嗝模式嗝周期為 嗝周期為 600us600us 。
? 過(guò)溫保護(hù) 過(guò)溫保護(hù)
當(dāng)芯片溫度高于 當(dāng)芯片溫度高于 當(dāng)芯片溫度高于 當(dāng)芯片溫度高于 150 ℃時(shí)，系統(tǒng)會(huì)線性降低輸出 時(shí)，系統(tǒng)會(huì)線性降低輸出 時(shí)，系統(tǒng)會(huì)線性降低輸出 時(shí)，系統(tǒng)會(huì)線性降低輸出 時(shí)，系統(tǒng)會(huì)線性降低輸出 時(shí)，系統(tǒng)會(huì)線性降低輸出 電流，從而減小芯片發(fā)熱。 電流，從而減小芯片發(fā)熱。 電流，從而減小芯片發(fā)熱。 電流，從而減小芯片發(fā)熱。 電流，從而減小芯片發(fā)熱。 電流，從而減小芯片發(fā)熱。
? PCB 設(shè)計(jì)
在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)應(yīng)遵循以下原則： 時(shí)應(yīng)遵循以下原則： 時(shí)應(yīng)遵循以下原則： 時(shí)應(yīng)遵循以下原則：
VDD 的 旁路電容需要盡量靠近芯片的 旁路電容需要盡量靠近芯片的 旁路電容需要盡量靠近芯片的 旁路電容需要盡量靠近芯片的 旁路電容需要盡量靠近芯片的 旁路電容需要盡量靠近芯片的 旁路電容需要盡量靠近芯片VDD 和 VSSVSS 。 電流采樣的 電流采樣的 電流采樣的 CS 管腳 需要單獨(dú)的線連接到電流采 需要單獨(dú)的線連接到電流采 需要單獨(dú)的線連接到電流采 需要單獨(dú)的線連接到電流采 需要單獨(dú)的線連接到電流采 需要單獨(dú)的線連接到電流采 樣電阻 一端，芯片地以及其他信號(hào)應(yīng)分頭接 一端，芯片地以及其他信號(hào)應(yīng)分頭接 一端，芯片地以及其他信號(hào)應(yīng)分頭接 一端，芯片地以及其他信號(hào)應(yīng)分頭接 一端，芯片地以及其他信號(hào)應(yīng)分頭接 一端，芯片地以及其他信號(hào)應(yīng)分頭接 一端，芯片地以及其他信號(hào)應(yīng)分頭接 一端，芯片地以及其他信號(hào)應(yīng)分頭接 一端，芯片地以及其他信號(hào)應(yīng)分頭接 一端，芯片地以及其他信號(hào)應(yīng)分頭接 一端，芯片地以及其他信號(hào)應(yīng)分頭接 一端，芯片地以及其他信號(hào)應(yīng)分頭接 一端，芯片地以及其他信號(hào)應(yīng)分頭接 一端，芯片地以及其他信號(hào)應(yīng)分頭接 到暴露電容的地端，即采用線分離技術(shù)。減 到暴露電容的地端，即采用線分離技術(shù)。減 到暴露電容的地端，即采用線分離技術(shù)。減 到暴露電容的地端，即采用線分離技術(shù)。減 小 功率環(huán)路的面積，可減小 功率環(huán)路的面積，可減小 功率環(huán)路的面積，可減小 功率環(huán)路的面積，可減小 功率環(huán)路的面積，可減小 功率環(huán)路的面積，可減EMI 輻射。 輻射。 功率管 功率管 漏端 走線與其它需 走線與其它需 走線與其它需 走線與其它需 走線與其它需 走線與其它需 走線與其它需 滿足爬電距離 滿足爬電距離 滿足爬電距離 滿足爬電距離 滿足爬電距離 ，建議≥ ，建議≥ ，建議≥ 1mm 1mm。建議 增加 芯片 CS 管腳 的鋪銅面積以增加 的鋪銅面積以增加 的鋪銅面積以增加 的鋪銅面積以增加 散