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FEI Quanta 450FEG掃描電鏡

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 北京源海威科技有限公司-J
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào)
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2019/3/20 10:30:42
  • 訪問(wèn)次數(shù) 3138
產(chǎn)品標(biāo)簽

掃描電鏡

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源海威科技有限公司是一家專業(yè)從事頁(yè)巖氣勘探、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)等實(shí)驗(yàn)所需系統(tǒng)解決方案的提供商。

 

 

主營(yíng)產(chǎn)品

       用于巖石分析、地球化學(xué)分析、含氣性試驗(yàn)分析、致密巖石實(shí)驗(yàn)分析、儲(chǔ)層改造與開(kāi)發(fā)實(shí)驗(yàn)分析、儲(chǔ)層物性分析等儀器,頁(yè)巖氣分析軟件、生產(chǎn)用儀器以及生產(chǎn)用耗材等。

 

石油儀器

價(jià)格區(qū)間 面議 儀器種類 冷場(chǎng)發(fā)射

研究各種各樣的材料,并進(jìn)行結(jié)構(gòu)和成份表征,是目前對(duì)掃描電鏡的主流應(yīng)用要求。FEI Quanta FEG系列靈活、通用,足以應(yīng)對(duì)當(dāng)今人們廣博的研究方向這一挑戰(zhàn)。“分析任何樣品,得到所有數(shù)據(jù)”,在Quanta FEG上可得到表面像和成份像,并可輔以多種附件來(lái)確定材料的性質(zhì)和元素組成。

一、 主要優(yōu)點(diǎn)

1) FEI Quanta 450FEG掃描電鏡具有環(huán)境掃描技術(shù)的高分辨場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡

2) 在各種操作模式下分析導(dǎo)電和不導(dǎo)電樣品,得到二次電子像和背散射電子像

3) 很大程度降低樣品制備要求:低真空/環(huán)境真空技術(shù)使得不導(dǎo)電樣品和/或含水樣品不經(jīng)導(dǎo)電處理即可直接成像和分析,樣品表面無(wú)電荷累積現(xiàn)象

4) 專業(yè)的“穿過(guò)透鏡”的壓差真空系統(tǒng),對(duì)導(dǎo)電和不導(dǎo)電樣品都可進(jìn)行EDS/EBSD分析,不管是在高真空模式或在低真空模式。穩(wěn)定的大束流(大 200 nA)確保能譜及EBSD分析工作的快速、準(zhǔn)確

5) FEI Quanta 450FEG掃描電鏡可作為一個(gè)微觀實(shí)驗(yàn)室。安裝特殊的原位樣品臺(tái)后,在從- 165 °C到1500 °C溫度范圍內(nèi),對(duì)多種樣品保持其原始狀態(tài)下進(jìn)行動(dòng)態(tài)原位分析

6) 對(duì)導(dǎo)電樣品,可選用減速模式得到表面和成份信息

7) 直觀、簡(jiǎn)便易用的軟件,即使電鏡新手也能輕易上手

二、 典型應(yīng)用

1、納米表征

1)金屬及合金, 氧化/腐蝕, 斷口, 焊點(diǎn), 拋光斷面, 磁性及超導(dǎo)材料

2)陶瓷, 復(fù)合材料, 塑料

3)薄膜/涂層地質(zhì)樣品斷面, 礦物

4)軟物質(zhì): 聚合物, 藥品, 過(guò)濾膜, 凝膠, 生物組織, 木材

5)顆粒, 多孔材料, 纖維

2、原位過(guò)程分析

1)增濕/去濕

2)浸潤(rùn)行為/接觸角分析

3)氧化/腐蝕

4)拉伸 (伴隨加熱或冷卻)

5)結(jié)晶/相變

3、納米原型制備

1)電子束曝光 (EBL)

2)電子束誘導(dǎo)沉積(EBID)

三、主要參數(shù)

1、電子光學(xué)

1)高分辨肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍

2)優(yōu)化的高亮度、大束流鏡筒

3)45°錐度物鏡極靴,及“穿過(guò)透鏡”的壓差真空系統(tǒng),加熱式物鏡光闌

4)加速電壓: 200 V - 30 kV

5)束流: 大200 nA并連續(xù)可調(diào)

6)放大倍數(shù): 6 x 1,000,000 x (四幅圖像顯示)

2、分辨率

1)高真空

30 kV下0.8 nm (STEM)*

30 kV下1.0 nm (SE)

30 kV下2.5 nm (BSE)*

1 kV下3.0 nm (SE)

2)高真空下減速模式*

1 kV下3.0 nm (BSE)*

1 kV下2.3 nm (ICD)*

200 V下3.1 nm (ICD)*

3)低真空

30 kV下1.4 nm (SE)

30 kV下 2.5 nm (BSE)

3 kV下3.0 nm (SE)

4)環(huán)境真空 (ESEM)

30 kV下1.4 nm (SE)

3、檢測(cè)器

1)E-T二次電子探頭

2)大視場(chǎng)低真空氣體二次電子探頭 (LFD)

3)氣體二次電子探頭 (GSED)

4)樣品室紅外CCD相機(jī)

5)高靈敏度、低電壓固體背散射探頭*

6)氣體背散射探頭*

7)四分固體背散射探頭*

8)閃爍體型背散射探頭/CLD*

9)vCD (低電壓、高襯度探頭)*

10)鏡筒內(nèi)探頭(ICD),用于減速模式下二次電子檢測(cè)*

11)電子束流檢測(cè)器*

12)分析型氣體背散射探頭 (GAD)*

13)STEM探頭*

14)Nav-Cam 光學(xué)相機(jī)彩色成像,用于樣品導(dǎo)航*

15)陰極熒光探測(cè)器*

16)能譜*

17)波譜*

18)EBSD*

19)極靴底部安裝四環(huán)分隔式定向型背散射電子探頭 (DBS)*

4、真空系統(tǒng)

1)1個(gè) 250 l/s 渦輪分子泵, 2個(gè)機(jī)械泵

2)專業(yè)的“穿過(guò)透鏡”的壓差真空系統(tǒng)

3)電子束在氣體區(qū)域的行程:10 mm或2 mm

4)可升級(jí)成無(wú)油機(jī)械泵

5)2個(gè)離子泵

6)樣品室真空度 (高真空模式) < 6e-4 Pa

7)樣品室真空度(低真空模式) < 10 to 130 Pa

8)樣品室真空度(環(huán)境真空模式) < 10 to 4000 Pa

9)典型換樣時(shí)間: 高真空模式≤ 150秒;低真空及環(huán)境真空模式≤ 270秒 (FEI標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試程序)

5、樣品室

1)左右內(nèi)徑284 mm

2)10 mm分析工作距離

3)8個(gè)探測(cè)器 / 附件接口

4)EDS采集角: 35°

6、樣品臺(tái)

1)X/Y = 100 mm

2)Z = 60 mm

3)Z向間隙75mm

4)傾斜:- 5° - + 70°

5)連續(xù)旋轉(zhuǎn)360°

6)重復(fù)精度: 2 μm (X/Y方向)

7)偽全對(duì)中樣品臺(tái)

7、樣品座

1)多樣品座

2)單樣品座

3)通用樣品座套件*

4)適用于硅片或其它特殊要求的樣品座*

8、圖像處理器

1)大6144 x 4096像素

2)圖像文件格式:TIFF (8,16 or 24 bit), BMP or JPEG

3)單窗口或四窗口圖像顯示

4)四活動(dòng)窗口

5)實(shí)時(shí)或靜態(tài)按彩色或按灰度等級(jí)信號(hào)混合

6)256 幀平均或積分

7)數(shù)字動(dòng)畫(huà)記錄 (.avi格式)

8)直方圖及圖像測(cè)量軟件

9)DCFI (漂移補(bǔ)償積分)

9、支持軟件

1)SmartSCAN 智能掃描技術(shù)

2)蒙太奇圖像導(dǎo)航

3)軟件溫度控制

4)FEI動(dòng)畫(huà)生成工具



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