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Nano CVD 臺(tái)式高性能CVD石墨烯/碳納米管快速制備系列

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薄膜制備CVD氣相沉積

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  • 我們是誰(shuí)

    美國(guó)Quantum Design公司是科學(xué)儀器制造商，其研發(fā)生產(chǎn)的系列磁學(xué)測(cè)量系統(tǒng)及綜合物性測(cè)量系統(tǒng)已成為業(yè)內(nèi)進(jìn)的測(cè)量平臺(tái)，廣泛分布于全球材料、物理、化學(xué)、納米等研究域的科研實(shí)驗(yàn)室。Quantum量子科學(xué)儀器貿(mào)易（北京）有限公司(暨Quantum Design中國(guó)子公司) 成立于2004年，是美國(guó)Quantum Design公司設(shè)立的諸多子公司之，在全權(quán)負(fù)責(zé)美國(guó)Quantum Design公司本部產(chǎn)品在中國(guó)的銷售及售后技術(shù)支持的同時(shí)，還致力于和范圍內(nèi)物理、化學(xué)、生物域的科學(xué)儀器制造商進(jìn)行密切合作，幫助中國(guó)市場(chǎng)引進(jìn)更多全球范圍內(nèi)的質(zhì)設(shè)備和技術(shù)，助力中國(guó)科學(xué)家的項(xiàng)目研究和發(fā)展。

  • 我們的理念

    Quantum Design中國(guó)的長(zhǎng)期目標(biāo)是成為中國(guó)與進(jìn)行進(jìn)技術(shù)、進(jìn)儀器交流的重要橋頭堡。助力中國(guó)科技發(fā)展的十幾年中，Quantum Design中國(guó)時(shí)刻保持著積進(jìn)取、不忘初心、精益求精的態(tài)度，為中國(guó)科學(xué)家提供更質(zhì)的科學(xué)和技術(shù)支持。隨著中國(guó)科學(xué)在舞臺(tái)變得愈加舉足輕重，Quantum Design中國(guó)將繼續(xù)秉承“For Scientist, By Scientist”的理念，助力中國(guó)科技蓬勃發(fā)展，助力中國(guó)科技在騰飛！

  • 我們的團(tuán)隊(duì)

    Quantum Design中國(guó)擁有支具備強(qiáng)大技術(shù)背景、職業(yè)化工作作風(fēng)的團(tuán)隊(duì)，并致力于培養(yǎng)并引進(jìn)更多博士業(yè)技術(shù)人才。目前公司業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)高學(xué)歷業(yè)碩博人才已占比超過70%以上，高水平人才的不斷加入和日益密切的團(tuán)隊(duì)配合幫助QD中國(guó)實(shí)現(xiàn)連續(xù)幾年銷售業(yè)績(jī)的持續(xù)增長(zhǎng)

  • 我們的服務(wù)


  • Quantum Design中國(guó)擁有完善的本地化售前、售中和售后服務(wù)體系。國(guó)內(nèi)本地設(shè)有價(jià)值超過50萬美元的備件庫(kù)，用于加速售后服務(wù)響應(yīng)速度；同時(shí)設(shè)有超過300萬美元的樣機(jī)實(shí)驗(yàn)室，支持客戶對(duì)設(shè)備進(jìn)行進(jìn)步體驗(yàn)和深度了解。 “不僅提供超的產(chǎn)品，還提供超的售后服務(wù)”這將是Quantum Design中國(guó)區(qū)別于其他科研儀器供應(yīng)商的重要征，也正成為越來越多科學(xué)工作者選擇Quantum Design中國(guó)的重要原因。




PPMS，MPMS，低溫磁學(xué)，表面成像，樣品制備，生命科學(xué)儀器

產(chǎn)地類別 進(jìn)口 應(yīng)用領(lǐng)域 化工,電子,冶金,電氣,綜合

臺(tái)式高性能CVD石墨烯/碳納米管快速制備系列-Nano CVD

 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

    臺(tái)式高性能CVD石墨烯/碳納米管快速制備系列-Nano CVD是為制備高質(zhì)量的石墨烯與碳納米管而開發(fā)的高性能臺(tái)式CVD系統(tǒng)。在與諾獎(jiǎng)科研團(tuán)隊(duì)的長(zhǎng)期合作中獲得的豐富經(jīng)驗(yàn)使該系列產(chǎn)品具有非常高的性能。別是針對(duì)石墨烯、碳納米管等不同的應(yīng)用進(jìn)行了針對(duì)性的化。該系列產(chǎn)品操作簡(jiǎn)便，生長(zhǎng)條件控制準(zhǔn)確，生長(zhǎng)迅速、制備出的樣品具有高質(zhì)量、高可重復(fù)性，這些點(diǎn)使得該系列產(chǎn)品受到多個(gè)石墨烯研究團(tuán)隊(duì)的贊譽(yù)。該系列產(chǎn)品適合于想要制備高質(zhì)量石墨烯或碳納米管用于前沿學(xué)術(shù)研究的團(tuán)隊(duì)。例如，?？巳髮W(xué)、哈德斯菲爾德大學(xué)、萊頓大學(xué)、亞森工業(yè)大學(xué)這些的高校均是nanoCVD系列的用戶。

    nanoCVD采用全新的設(shè)計(jì)理念，可以快速、高質(zhì)量地生產(chǎn)石墨烯或碳納米管。與傳統(tǒng)的簡(jiǎn)易CVD(管式爐)相比，該系統(tǒng)基于冷壁設(shè)計(jì)方案，具有以下主要點(diǎn):

◎  系統(tǒng)可以快速的升溫和降溫。

◎  更加準(zhǔn)確的條件控制和可靠的工藝重現(xiàn)性。

◎  安全性設(shè)計(jì)，具有尾氣稀釋模塊。

◎  智能化設(shè)計(jì)，全自動(dòng)引導(dǎo)式觸屏操作系統(tǒng)。

◎  支持自動(dòng)程序的設(shè)定與儲(chǔ)存。

◎  雄厚的技術(shù)積累，業(yè)的技術(shù)支持。

設(shè)備型號(hào)：

臺(tái)式超高質(zhì)量石墨烯快速制備CVD系統(tǒng)- nanoCVD 8G

    nanoCVD-8G系統(tǒng)是性能穩(wěn)定的快速的石墨烯生長(zhǎng)系統(tǒng)。nanoCVD-8G具有壓強(qiáng)自動(dòng)控制系統(tǒng)，可以準(zhǔn)確的控制石墨烯生長(zhǎng)過程中的氣氛條件。系統(tǒng)采用低熱容的樣品臺(tái)可在2分鐘內(nèi)升溫至1000℃并準(zhǔn)確控溫。該裝置采用了冷壁技術(shù)，樣品生長(zhǎng)完畢后可以快速降溫。正是因?yàn)檫@些條件可以讓用戶在30分鐘內(nèi)即可獲得高質(zhì)量的石墨烯。用戶通過HMI觸屏進(jìn)行操作，所有的硬件都是自動(dòng)化的。更有內(nèi)置的標(biāo)準(zhǔn)石墨烯生長(zhǎng)示例程序供用戶參考。該系統(tǒng)安裝迅速，非常適合需要持續(xù)快速獲取高質(zhì)量石墨烯用于高質(zhì)量學(xué)術(shù)研究的團(tuán)隊(duì)。?？巳髮W(xué)、哈德斯菲爾德大學(xué)、萊頓大學(xué)、亞森工業(yè)大學(xué)等很多著名的高校都是該系統(tǒng)的用戶。

主要點(diǎn)：

 

◎  合成高質(zhì)量、可重復(fù)的石墨烯

◎  生長(zhǎng)條件準(zhǔn)確控制

◎  高達(dá)溫度：1100 °C

◎  生長(zhǎng)時(shí)間：<30 min

◎  基片尺寸大：20 × 40 mm2

◎  全自動(dòng)過程控制

◎  MFC流量計(jì)控制過程氣體 (Ar、H2與CH4) 

◎  用戶友好型觸屏控制

◎  可設(shè)定、存儲(chǔ)多個(gè)生長(zhǎng)程序

◎  可連接電腦記錄數(shù)據(jù)

◎  易于維護(hù)

◎  全面安全性設(shè)計(jì)，尾氣稀釋模塊

◎  兼容超凈間

◎  系統(tǒng)性能穩(wěn)定

 

 

 

 

部分?jǐn)?shù)據(jù)展示：

小型等離子增強(qiáng)大尺寸石墨烯制備CVD系統(tǒng) - nanoCVD WPG

    nanoCVD-WPG將nanoCVD-8G高質(zhì)量石墨烯生長(zhǎng)的功能與等離子體增強(qiáng)技術(shù)相結(jié)合，系統(tǒng)可制備晶圓尺寸(3英寸或4英寸)別的樣品。除此之外，用該系統(tǒng)準(zhǔn)確的生長(zhǎng)控制條件可以制備多種高質(zhì)量的2D材料，該系統(tǒng)是小型CVD系統(tǒng)性能上的個(gè)重大飛躍。全新的設(shè)計(jì)方案和控制系統(tǒng)使該系統(tǒng)成為制備大面積2D樣品的上佳選擇。

    應(yīng)用域包括:石墨烯和2D材料、光伏電、觸屏材料、高性能生物電子材料、傳感器、儲(chǔ)能材料。

主要點(diǎn)：

 

  • 晶圓樣品尺寸: 3英寸、4英寸
  • 150 W/13.56 MHz RF 電源
  • 多個(gè)等離子體電
  • 高達(dá)溫度1100 °C
  • 腔體冷壁技術(shù)
  • 全自動(dòng)準(zhǔn)確條件控制
  • 用戶友好的觸屏操作
  • 可設(shè)定、存儲(chǔ)多個(gè)生長(zhǎng)程序
  • 可連接電腦記錄數(shù)據(jù)
  • 易于維護(hù)
  • 全面安全性設(shè)計(jì)，尾氣稀釋模塊
  • 兼容超凈室
  • 基于成熟的NanoCVD技術(shù)

 

生長(zhǎng)條件：

◎  襯底：Cu、Ni等薄膜或薄片

◎  工作原料：CH4，C2H4， PMMA等

◎  保護(hù)氣體：H2，Ar，N2等

 

典型配置指標(biāo)：

◎  腔體：腔壁水冷技術(shù)，熱屏蔽不銹鋼腔體

◎  真空系統(tǒng)：分子泵系統(tǒng)，5×10-7 mbar本底真空。

◎  樣品臺(tái)：大4英寸直徑，高達(dá)1100°C 

◎  操作控制：觸摸屏/電腦接口；可手動(dòng)控制或自動(dòng)控制

◎  氣體控制：MFC 流量計(jì)，Ar，CH4，H2為標(biāo)配種類。

◎  過程控制：自動(dòng)控制

◎  等離子源：150 W/13.56 MHz RF 電源，樣品臺(tái)附近或需要的位置產(chǎn)生等離子體。   

◎  安全性：冷卻與真空鎖系統(tǒng)，氣體稀釋模塊。

 

 

 

臺(tái)式超準(zhǔn)碳納米管快速制備CVD系統(tǒng) - nanoCVD 8N

    nanoCVD-8N與石墨烯生長(zhǎng)系統(tǒng)nanoCVD-8G有諸多共同之處，并針對(duì)碳納米管生長(zhǎng)條件進(jìn)行了化。這些條件對(duì)于碳納米管(CNT)樣品的質(zhì)量和可重復(fù)性(主要是單壁形式)是至關(guān)重要的。創(chuàng)新的冷壁式腔體與傳統(tǒng)管式設(shè)備相比更易準(zhǔn)確控制實(shí)驗(yàn)條件和快速升降溫。nanoCVD-8N具有智能的控制系統(tǒng)和完備的安全性設(shè)計(jì)。設(shè)備易于安裝，易于使用，是快速進(jìn)入高質(zhì)量研究的理想選擇。該系統(tǒng)獲得沃里克大學(xué)用戶的高度贊譽(yù)。

    碳納米管可采用Fe、Co、Ni的納米顆粒作為催化劑生長(zhǎng)在SiO2/Si, Si3N4以及石英等襯底上。

    通過襯底與催化劑的選擇，可以生長(zhǎng)的碳納米管有：

•   隨機(jī):  隨機(jī)方向的相互交疊的單壁碳納米管

•   有序:  平行的單壁碳納米管

•   豎直:  豎直的單壁碳納米管束

主要點(diǎn)：

 

◎  合成的碳納米管具有很高的可重復(fù)性；

◎  門為單壁碳納米管進(jìn)行了化；

◎  生長(zhǎng)條件準(zhǔn)確控制；

◎  高達(dá)溫度：1100 °C；

◎  MFC流量計(jì)控制過程氣體 (Ar、H2與CH4)；   

◎  基片尺寸：大20 × 40 mm2；

◎  生長(zhǎng)時(shí)間：<30 min；

◎  全自動(dòng)生長(zhǎng)條件準(zhǔn)確控制；

◎  用戶友好型觸屏；

◎  可設(shè)定、存儲(chǔ)多個(gè)生長(zhǎng)程序

◎  可連接電腦記錄數(shù)據(jù)；

◎  易于維護(hù)；

◎  全面安全性設(shè)計(jì)，尾氣稀釋模塊；

◎  兼容超凈間；

◎  系統(tǒng)性能穩(wěn)定；

 

部分?jǐn)?shù)據(jù)展示：

 

 

發(fā)表文章

Residual metallic contamination of transferred chemical vapor deposited graphene

Lupina, G., et al. ACS Nano 2015 DOI: 10.1021/acsnano.5b01261

本文作者研究了通常用于將CVD石墨烯放置到應(yīng)用襯底上的濕轉(zhuǎn)移工藝會(huì)導(dǎo)致材料的微量污染。這些純度會(huì)對(duì)石墨烯的其他殊性產(chǎn)生不影響，并對(duì)電子和光電應(yīng)用產(chǎn)生影響。

相關(guān)設(shè)備: nanoCVD-8G

 

Transparent conductive graphene textile fibers

Neves, A. I. S., et al. Scientific Reports 2015 DOI: 10.1038/srep09866

使用nanoCVD-8G制成的石墨烯被轉(zhuǎn)移到纖維上，*生產(chǎn)出柔韌的、*嵌入的紡織電。石墨烯的高質(zhì)量意味著電有超低的表面電阻和高的機(jī)械穩(wěn)定性。

相關(guān)設(shè)備: nanoCVD-8G

 

High quality monolayer graphene synthesized by resistive heating cold wall chemical vapor deposition

Bointon, T. H., et al. Advanced Materials 2015 DOI: 10.1002/adma.201501600

展示了冷壁法CVD合成石墨烯的勢(shì)，并報(bào)道了使用nanoCVD – 8G制備的高質(zhì)量石墨烯材料具有超高的載流子遷移率，表現(xiàn)出半整數(shù)量子霍爾效應(yīng)，這與剝離制備的樣品相當(dāng)。

相關(guān)設(shè)備: nanoCVD-8G

 

Mapping nanoscale electrochemistry of individual single-walled carbon nanotubes

Güell, A. G., et al. Nano Letters 2014 DOI: 10.1021/nl403752e

用nanoCVD – 8N技術(shù)制備了單壁碳納米管，并用電化學(xué)技術(shù)對(duì)其進(jìn)行了研究。高分辨率的測(cè)量可以檢查單個(gè)單壁碳納米管的性。這發(fā)現(xiàn)對(duì)未來使用SWNT電的器件設(shè)計(jì)具有重要意義。

相關(guān)設(shè)備: nanoCVD-8N

 

Nanoscale electrocatalysis: Visualizing oxygen reduction at pristine, kinked, and oxidized sites on individual carbon nanotubes

Byers, J. C., et al. Journal of the American Chemical Society 2014 DOI: 10.1021/ja505708y

電化學(xué)技術(shù)，結(jié)合使用nanoCVD - 8N技術(shù)產(chǎn)生的單壁碳納米管，被用來證明即使在沒有摻雜、修飾或缺陷的情況下，碳納米管也表現(xiàn)出顯著的活性。

相關(guān)設(shè)備: nanoCVD-8N

 

用戶單位

?？巳髮W(xué)

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哈德斯菲爾德大學(xué)

    

萊頓大學(xué)

 

亞琛工業(yè)大學(xué)



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