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Star.100Tetra Co 實(shí)驗(yàn)室用磁控濺射設(shè)備
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱 北京朗銘潤德光電科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) Star.100Tetra Co
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2021/4/28 15:01:43
- 訪問次數(shù) 2131
產(chǎn)品標(biāo)簽
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產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,能源,電子 |
一、設(shè)備介紹
實(shí)驗(yàn)室用磁控濺射設(shè)備 是一款特殊設(shè)計(jì) , 結(jié)構(gòu)緊湊的濺射臺(tái),FHR.Star.100-TetraCo用于晶片類基底或基底承載器的工藝處理。該設(shè)備包含一個(gè)上料盒式進(jìn)樣室, 一個(gè)處理腔室和一個(gè)由3個(gè)濺射源和1個(gè)預(yù)清洗刻蝕器的工藝腔室,全部遵照共焦幾何設(shè)計(jì)。鍍膜工藝通過不加熱的背板盛放基底承載器并旋轉(zhuǎn)實(shí)現(xiàn)。濺射源安裝在直徑100mm的陰極和擋板之間,擋板為氣動(dòng)控制,可實(shí)現(xiàn)依次濺射或共濺射鍍膜。另外,每個(gè)濺射源可軸向和水平方向調(diào)節(jié),因此,可實(shí)現(xiàn)不同高度基底多種靶基距范圍的鍍膜工藝。機(jī)械手通過上料盒升降裝置的上下移動(dòng)傳輸基底承載器。基底的依次鍍膜工藝通過自動(dòng)編程自動(dòng)得以實(shí)現(xiàn)。
二、適用工藝
1.反應(yīng)和無反應(yīng)磁控濺射(直流方式)
2.預(yù)處理(例如,等離子刻蝕)
3.對(duì)旋轉(zhuǎn)基底承載器的共濺射
三、客戶優(yōu)勢(shì)
1.結(jié)構(gòu)緊湊,占用空間少
2.潔凈室內(nèi)使用設(shè)備,可通過潔凈室隔離墻實(shí)現(xiàn)
3.設(shè)備維護(hù)高效便捷
4.投資和運(yùn)行成本具吸引力
四、特殊性能
1.旋轉(zhuǎn)式基底承載器
2.靶基距可調(diào)
3.全自動(dòng)工藝控制
4.CE 認(rèn)證
5.德國制造
五、可選方案
1.中頻濺射
2.射頻濺射
3.基底承載器加熱 (T < 500 °C)
4.標(biāo)準(zhǔn)晶片上料盒
5.定制上料盒式進(jìn)樣室
六、典型應(yīng)用
1.MEMS和傳感器領(lǐng)域多層膜
2.微電和光電領(lǐng)域功能膜
實(shí)驗(yàn)室用磁控濺射設(shè)備