Star.100 Penta Co FHR Penta Co 磁控濺射鍍膜機(jī)

一、設(shè)備介紹
   FHR.Star.100-PentaCo設(shè)備為特殊設(shè)計(jì)、高度集成的濺射設(shè)備，適用于硅片類基片或基片承載器的工藝處理。設(shè)備構(gòu)造包括一個(gè)配備機(jī)械手的進(jìn)樣室和一個(gè)*多可裝配五個(gè)濺射源的工藝腔室。各源以共焦方式排列。沉積過(guò)程通過(guò)加熱式旋轉(zhuǎn)背板攜帶載片器共同運(yùn)動(dòng)方式執(zhí)行。旋轉(zhuǎn)臺(tái)接入RF偏壓。濺射源裝配直徑100 mm的平面陰極和氣動(dòng)控制式擋板，可實(shí)現(xiàn)依序沉積和共沉積兩種工藝方式。此外，各源可沿軸向及橫向進(jìn)行位置調(diào)節(jié)，并且載片臺(tái)也可將載片器提升起來(lái)。因此，FHR.Star.100-PentaCo設(shè)備可在不同靶基距條件下實(shí)現(xiàn)不同高度基片的膜層工藝。自動(dòng)傳輸系統(tǒng)將載片器從進(jìn)樣室傳輸?shù)焦に嚽皇?。通過(guò)預(yù)先編輯好的工藝流自動(dòng)實(shí)現(xiàn)基片依序沉積工藝。

二：適用工藝
1.反應(yīng)和非反應(yīng)磁控濺射(DC模式)  RF 濺射
2.預(yù)處理(如，等離子刻蝕)
3.針對(duì)旋轉(zhuǎn)式載片臺(tái)實(shí)現(xiàn)共濺射

三、客戶優(yōu)勢(shì)
1.集成式設(shè)計(jì)占地面積少
2.可兼容潔凈室隔離墻
3.設(shè)備維護(hù)迅速簡(jiǎn)單
4.具吸引力的投資和運(yùn)行成本

四、特殊性能
1.可提升載片器的加熱式旋轉(zhuǎn)載片臺(tái)，
2.連接基片RF偏壓(標(biāo)準(zhǔn)硅片溫度*高 500 °C)靶基距可調(diào)
3.全自動(dòng)工藝控制
4.CE 認(rèn)證
5.德國(guó)制造

五、可選方案
1.適于進(jìn)樣室側(cè)使用的層流箱

六、典型應(yīng)用
1.MEMS和傳感器領(lǐng)域多層膜
2.微電和光電領(lǐng)域功能膜