化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>物理特性分析儀器>無(wú)損檢測(cè)>X射線實(shí)時(shí)成像檢測(cè)系統(tǒng)>0505A 1215MGF 0505CF 韓國(guó)Rayence 平板探測(cè)器FPD
0505A 1215MGF 0505CF 韓國(guó)Rayence 平板探測(cè)器FPD
- 公司名稱 蘇州圣全科技有限公司
- 品牌
- 型號(hào) 0505A 1215MGF 0505CF
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 其他
- 更新時(shí)間 2023/2/13 16:14:45
- 訪問(wèn)次數(shù) 2192
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產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,電子 | 品牌 | 韓國(guó)rayence |
平板探測(cè)器的原理及性能分析
平板探測(cè)器是DR的核心部件,平板探測(cè)器從能量轉(zhuǎn)換方式可以分為兩種:間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器(indirect FPD)和直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器(direct FPD)。
1、間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器
間接FPD的結(jié)構(gòu)主要是由閃爍體或熒光體層加具有光電二極管作用的非晶硅層(amorphous SILICon,a-Si)再加TFT陣列構(gòu)成。其原理為閃爍體或熒光體層經(jīng)X射線曝光后,將X射線光子轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光,而后由具有光電二極管作用的非晶硅層變?yōu)閳D像電信號(hào),最后獲得數(shù)字圖像。在間接FPD的圖像采集中,由于有轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光的過(guò)程,因此會(huì)有光的散射問(wèn)題,從而導(dǎo)致圖像的空間分辨率及對(duì)比度解析能力的降低。閃爍體目前主要有碘化銫(CsI,也用于影像增強(qiáng)器),熒光體則有硫氧化釓(GDSO,也用于增感屏)。間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器通常有以下幾種結(jié)構(gòu):①碘化銫 ( CsI ) + a-Si(非晶硅)+ TFT:當(dāng)有 X 射線入射到 CsI 閃爍發(fā)光晶體層時(shí),X 射線光子能量轉(zhuǎn)化為可見(jiàn)光光子發(fā)射,可見(jiàn)光激發(fā)光電二極管產(chǎn)生電流, 這電流就在光電二極管自身的電容上積分形成儲(chǔ)存電荷. 每個(gè)象素的儲(chǔ)存電荷量和與之對(duì)應(yīng)范圍內(nèi)的入射 X 射線光子能量與數(shù)量成正比。②硫氧化( Gd2O2S ) + a-Si(非晶硅) + TFT :利用??感屏材料硫氧化釓 ( Gd2O2S ) 來(lái)完成 X 射線光子至可見(jiàn)光的轉(zhuǎn)換過(guò)程。③碘化銫 ( CsI ) / 硫氧化釓 ( Gd2O2S ) + 透鏡 / 光導(dǎo)纖維 + CCD / CMOS :X射線先通過(guò)閃爍體或熒光體構(gòu)成的可見(jiàn)光轉(zhuǎn)換屏,將X射線光子變?yōu)榭梢?jiàn)光圖像,而后通過(guò)透鏡或光導(dǎo)纖維將可見(jiàn)光圖像送至光學(xué)系統(tǒng),由CCD采集轉(zhuǎn)換為圖像電信號(hào)。④ CsI ( Gd2O2S ) + CMOS :此類技術(shù)受制于間接能量轉(zhuǎn)換空間分辨率較差的缺點(diǎn),雖利用大量低解像度 CMOS 探頭組成大面積矩陣,尚無(wú)法有效與 TFT 平板優(yōu)勢(shì)競(jìng)爭(zhēng)。韓國(guó)Rayence 平板探測(cè)器FPD
2、直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器
直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器主要是由非晶硒層(amorphous SelEMIum,a-Se)加薄膜半導(dǎo)體陣列(Thin Film Transistor array,TFT)構(gòu)成的平板檢測(cè)器。由于非晶硒是一種光電導(dǎo)材料,因此經(jīng)X射線曝光后直接形成電子-空穴對(duì),產(chǎn)生電信號(hào),通過(guò)TFT檢測(cè)陣列,再經(jīng) A/D轉(zhuǎn)換獲得數(shù)字化圖像。由于非晶硒不產(chǎn)生可見(jiàn)光,沒(méi)有散射光的影響,因此可以獲得比較高的空間分辨率。韓國(guó)Rayence 平板探測(cè)器FPD