P-300B 原子層沉積系統(tǒng)

PICOSUN™P-300B原子層沉積系統(tǒng)已經(jīng)成為高產(chǎn)能ALD 制造業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)。擁有熱壁、*  獨(dú)立的前驅(qū)體管路和特殊的載氣設(shè)計(jì)， 確  保我們可以生產(chǎn)出具有優(yōu)異的成品率、低  顆粒水平和電學(xué)和光學(xué)性能的高質(zhì) 量ALD薄膜。高效緊湊的設(shè)計(jì)使得維護(hù)更  加方便、快捷， 最大限度的減少了系統(tǒng)的  維護(hù)停工期和使用成本。擁有技術(shù)的 Picoflow™使得在超高深寬比結(jié)構(gòu)上沉積  保形性薄膜更高效， 并已在生產(chǎn)線(xiàn)上得到 驗(yàn)證。

PICOSUN™P-300B原子層沉積系統(tǒng)襯底尺寸和類(lèi)型

•   200mm晶圓 25片/批次（標(biāo)準(zhǔn)間距）

•    150mm 晶圓 50片/批次（標(biāo)準(zhǔn)間距）

•    100mm 晶圓 75片/批次（標(biāo)準(zhǔn)間距）

•    非標(biāo)準(zhǔn)晶圓類(lèi)基底（使用定制夾具）

•    高深寬比基底（最大深寬比1:2500）

工藝溫度

•    50 – 500°C

標(biāo)準(zhǔn)工藝

•   批量生產(chǎn)的平均工藝時(shí)間小于10秒/循環(huán)*

•   Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2,AlN, TiN以及各種金屬

•    同一批次薄膜不均勻性<1% 1σ

(Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49pts, 5mm EE)**

基片加載

•    氣動(dòng)升降， 手動(dòng)裝載

•    線(xiàn)性半自動(dòng)裝載

前驅(qū)體

•    液態(tài)， 固態(tài)， 氣態(tài)， 臭氧源

•    源瓶余量傳感器， 提供清洗和裝源服務(wù)

•     4根獨(dú)立的源管線(xiàn)，最多加載8個(gè)前驅(qū)體源
 

　　原子層沉積系統(tǒng)是良好的表面處理技術(shù)，該技術(shù)使用原子層沉積過(guò)程，按照亞納米級(jí)別的精度，在基體表面沉積單層原子膜，以達(dá)到修飾表面性能、改變表面電學(xué)和光學(xué)特性、材料保護(hù)和涂覆等多種功能的目的。原子層沉積系統(tǒng)是當(dāng)今材料科學(xué)領(lǐng)域的前沿技術(shù)之一，應(yīng)用廣泛，包括電子器件、太陽(yáng)能電池、光伏材料、顯示器件、防護(hù)涂層、生物醫(yī)學(xué)材料等諸多領(lǐng)域。以下是關(guān)于原子層沉積系統(tǒng)的詳細(xì)介紹。

　　1. 基本原理

　　原子層沉積系統(tǒng)(ALE)是從ALD技術(shù)發(fā)展而來(lái)的一種薄膜制備技術(shù)。ALD是指采用氣相前體的周期性傳輸，依次處理表面，形成單原子層的薄膜。ALE利用相鄰兩次ALD循環(huán)中的氣相前體反應(yīng)，使得沉積膜每一層都由單原子層組成，在一定程度上解決了ALD中膜的缺陷和不均勻性的問(wèn)題。ALE主要基于以下兩個(gè)原理：

　?。?）自限制性化學(xué)反應(yīng)：采用氣體氛圍下的自限制反應(yīng)，將一系列有機(jī)或無(wú)機(jī)前驅(qū)體按照預(yù)先設(shè)定的循環(huán)次數(shù)，精確均一地沉積在基板表面，形成納米尺度的原子層，并使用惰性氣體清理，防止氧化反應(yīng)的發(fā)生，從而保證了膜的高質(zhì)量和均勻性。

　?。?）表面擴(kuò)散：在氣體逐層沉積之后，基板表面的反應(yīng)物分子會(huì)擴(kuò)散到已經(jīng)沉積的前驅(qū)體層中，反應(yīng)完成后前驅(qū)體層的厚度幾乎相同，對(duì)膜的質(zhì)量保證了非常高的要求。

　　2. 主要特點(diǎn)

　　（1）阻擋層優(yōu)良：ALE所制備的阻擋層質(zhì)量極為優(yōu)良；

　?。?）自成膜：ALE所制備的膜都是由最小的自成膜單位組成的，亞納米級(jí)別的自動(dòng)校正能力有助于大幅降低缺陷率，從而提高阻擋膜的可靠性；

　　（3）均勻性?xún)?yōu)異：ALE能夠在大面積上實(shí)現(xiàn)薄膜均勻處理，是制作納米電子器件中各種功能材料的優(yōu)選技術(shù)；

　?。?）多維控制：ALE對(duì)制備過(guò)程中的溫度、氣壓、反應(yīng)時(shí)間、前驅(qū)體流量等參數(shù)進(jìn)行精細(xì)控制，可以實(shí)現(xiàn)沉積的高純度和可控性；

　?。?）穩(wěn)定性高：ALE制備出的薄膜穩(wěn)定且質(zhì)量可靠，可以應(yīng)用于長(zhǎng)壽命產(chǎn)品，尤其是微電子和生物醫(yī)藥領(lǐng)域。

　　3. 應(yīng)用

　?。?）防護(hù)涂層：ALE制備的阻擋層具有優(yōu)異的氧化防護(hù)性能，可用于超大規(guī)模集成電路等半導(dǎo)體器件上保護(hù)電路穩(wěn)定性；

　?。?）光電器件：ALE制備的鎂銀合金膜、物質(zhì)輸運(yùn)層等能顯著提高半導(dǎo)體材料的電學(xué)和光學(xué)性能，應(yīng)用于光伏器件；

　?。?）生物醫(yī)學(xué)：ALE制備的氧化鋁膜、二氧化硅膜等材料可用于生物醫(yī)學(xué)行業(yè)，在制備各種生物傳感器、生物芯片等方面有廣泛應(yīng)用；

　?。?）納米材料：ALE可以制備出具有優(yōu)異性能的納米材料和納米鏈，如氮化硅等；

　?。?）電子元器件：ALE制備的超薄膜材料可以大幅度提高器件的性能和穩(wěn)定性，如超級(jí)電容器等。

　　總之，原子層沉積系統(tǒng)作為一項(xiàng)良好的表面處理技術(shù)，讓制備各種材料、器件等變得更加精細(xì)、可控、可靠，在電子、醫(yī)學(xué)、能源、環(huán)保等領(lǐng)域都發(fā)揮著極為重要的作用。作為一項(xiàng)重要的二十一世紀(jì)新技術(shù)，原子層沉積系統(tǒng)有著更廣闊的應(yīng)用前景和發(fā)展空間。