customized CMP后清洗機

1. 產(chǎn)品概述：

G&P 的 CMP 后清洗機是用于晶圓在化學機械拋光（CMP）后的專用清洗設備。它通過一系列清洗工藝，如漂洗、雙面刷洗、兆聲清洗等，有效去除晶圓表面在 CMP 過程中殘留的有機物、顆粒、金屬、氧化層等污染物，確保晶圓表面的潔凈度，為后續(xù)的半導體制造工序提供高質(zhì)量的晶圓。該清洗機有單工位、轉(zhuǎn)位式、連線式等不同結(jié)構(gòu)，以適應不同的應用場景，其中連線式設備還加配全自動上下片系統(tǒng)，集成度高，占地面積小，可實現(xiàn)濕進干出。

2. 設備應用：

· 半導體集成電路制造：在半導體芯片的生產(chǎn)流程中，CMP 后清洗機是關(guān)鍵的設備之一。經(jīng)過 CMP 后的晶圓需要通過清洗機進行清洗，以去除各種污染物，保證芯片的性能和質(zhì)量。例如，在邏輯芯片、存儲芯片等制造過程中，CMP 后清洗機確保了晶圓表面的清潔，為后續(xù)的光刻、蝕刻、鍍膜等工序創(chuàng)造了良好條件。

· 半導體器件制造：對于各類半導體器件，如二極管、三極管、功率器件等，CMP 后清洗機同樣起到重要作用。清洗后的晶圓可以提高半導體器件的成品率和可靠性，滿足半導體器件對晶圓表面質(zhì)量的高要求。

· 其他電子元件制造：在一些對晶圓表面潔凈度要求較高的電子元件制造中，如光電器件、MEMS 器件等，CMP 后清洗機也得到了廣泛應用，有助于提升這些電子元件的性能和生產(chǎn)效率。

3. 設備特點：

· 高效清洗能力：具備多種清洗方式，如雙面刷洗能夠全面清潔晶圓表面，兆聲清洗則可以有效去除微小顆粒和污染物，實現(xiàn)高效的清洗效果，確保晶圓表面無 0.1μm 及以上顆粒存在。

· 高兼容性：通過更換夾具，可兼容 4-12 英寸等不同尺寸的晶圓，滿足多種規(guī)格晶圓的清洗需求，具有廣泛的適用性。

· 自動化程度高：例如連線式設備配有全自動上下片系統(tǒng)，采用 PLC 系統(tǒng)和觸摸屏控制，一鍵式自動完成刷洗清洗加工，操作簡便，使用更加方便，提高了生產(chǎn)效率和減少了人工操作可能帶來的誤差。

· 工藝參數(shù)精準控制：能夠精確控制清洗過程中的各項參數(shù)，如兆聲頻率、清洗溫度、清洗時間、轉(zhuǎn)速等，以滿足不同晶圓和污染物的清洗要求，保證清洗的穩(wěn)定性和一致性。

· 可靠性強：具有穩(wěn)定可靠的機械結(jié)構(gòu)和控制系統(tǒng)，能夠在長時間的生產(chǎn)運行中保持穩(wěn)定的性能，減少設備故障和停機時間，確保生產(chǎn)的連續(xù)性。

4. 產(chǎn)品參數(shù)：

· 清洗工位：有單工位、轉(zhuǎn)位式等不同類型。

· 兼容晶圓尺寸：一般可兼容 4-12 英寸的晶圓。

· 兆聲頻率：例如常見的為 0.8-1.0MHz 左右，不同型號設備可能有所差異。

· 旋轉(zhuǎn)速率：如最大旋轉(zhuǎn)速率可達 2000rpm（具體不同位置的旋轉(zhuǎn)速率可能不同，如 PVA 刷最大轉(zhuǎn)速可能為 400rpm 等）。

· 清洗流量：像 DIW 清洗最小流量為 1.5L/min，且可能支持多路化學清洗。

· 烘干方式：通常采用 N2 加熱烘干與甩干襯底等方式。

實際參數(shù)可能會因設備的具體配置和定制需求而有所不同。