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梓冠 7bit 光延時器芯片

參考價 9888
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 四川梓冠光電科技有限公司
  • 品牌 梓冠
  • 型號 梓冠
  • 產(chǎn)地 經(jīng)開區(qū)電子制造產(chǎn)業(yè)園16棟3樓
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2025/5/10 14:47:43
  • 訪問次數(shù) 1149

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   四川梓冠光電科技有限公司成立于2015年8月,位于中國科技城——綿陽。主要致力于光通信設(shè)備和光通訊芯片的研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)及銷售;是一家擁有自主研發(fā)能力及規(guī)模性量產(chǎn)能力的光通信高新技術(shù)企業(yè)。

以前瞻目光勾勒光通訊信息產(chǎn)業(yè)新藍圖,四川梓冠光電科技有限公司致力于光通信產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,是一家集研究、開發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的高科技企業(yè)。秉承用創(chuàng)新的方法和工匠的精神,突現(xiàn)光纖相關(guān)模塊及器件的升級、迭代,從服務(wù)中國起步,業(yè)務(wù)觸及全球。

梓冠光電自成立以來,持續(xù)投入研發(fā),吸納通信行業(yè)技術(shù)人才,其中博士占比人數(shù)5.7%,

本科占比人數(shù)22.8%。公司產(chǎn)品日漸趨于多元化,不僅擁有行業(yè)水平的光開關(guān)、光衰減器、光纖延遲線、硅基系列光芯片、光纖合束器、MEMS光開關(guān)、高速光探測器、硅基高速器件、脈沖光纖激光器、飛秒光纖激光器、半導體光纖激光器及光路保護設(shè)備(OXC)等產(chǎn)品。公司還為激光雷達系統(tǒng)、量子通訊系統(tǒng)、激光聚變成像傳輸系統(tǒng)等提供核心的高精端光器件;

其中光纖延遲器被省經(jīng)信委評定為高水平。產(chǎn)品技術(shù)獲得多項認證,其中發(fā)明10余項,外觀,軟著,實用新型等共20余項。

20247月成立西安技術(shù)中心,主要針對微波射頻、超快光纖激光器,測風激光器雷達,激光測距雷達,有害氣體檢測激光系統(tǒng)等產(chǎn)品進行研發(fā)生產(chǎn)。

目前,公司已與華為、中航、中電、中物院、中科院、高校、航天等企業(yè)、單位達成長期穩(wěn)定的戰(zhàn)略合作;在全體同仁共同努力下斬獲幾十余項發(fā)明,經(jīng)開區(qū)優(yōu)秀知識產(chǎn)權(quán)企業(yè),榮獲國家高新技術(shù)企業(yè)等稱號。


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延遲線、光開關(guān)、光衰減器、光纖激光器、光源、光纖放大器、光探測器、WDM準直器、光隔離器、環(huán)形器(三端口、四端口)、偏振分束器/合束器、起偏器、耦合器、單纖/雙纖準直器、激光準直器、光纖反射鏡、光纖旋轉(zhuǎn)器、偏振控制器(三環(huán)、擠壓式)、光柵、波分復(fù)用器(CWDM/DWDM)等

硅基單片集成 7bit 可調(diào)光延時器芯片


〖簡介Introduction〗

梓冠光電的單片集成多比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導延時7bit 光延時器芯片路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下,硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級,厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達到工程應(yīng)用水平,單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題,是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。

〖特性Features

n 高速切換

n 高延時精度

n 超小尺寸

n 超寬帶工作

n 全固態(tài)波導芯片可靠性強

〖應(yīng)用Applications〗

n 光控相控陣雷達系統(tǒng)、電子對抗系統(tǒng)

主要性能指標 Specifications

性能指標

Parameter

單位

Unit

典型值

Typical value

備注

Notes

延時位數(shù)

Delay bits

/

7

可定制

Can be customized

最小延時步進

Min.step-delay

ps

2

可定制

Can be customized

可調(diào)節(jié)最大延時量     Adjustable max.delay

ps

254


延時偏差

Delay deviation

ps

≤±0.5

≤±1@max

延時切換時間

Delay switching time

µs

≤1


插入損耗

Insertion loss

dB

14


各延時態(tài)損耗差異

Delay state loss difference

dB

±0.5


波損耗

Return loss

dB

45


芯片尺寸

Chip dimension

mm

19×11×0.7



 光延時器芯片

7bit 光延時器芯片

7bit 光延時器芯片




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