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LTS-202 Chillers半導(dǎo)體控溫裝置 模塊循環(huán)制冷機

參考價 156027
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 無錫冠亞恒溫制冷技術(shù)有限公司
  • 品牌 冠亞制冷
  • 型號 LTS-202
  • 產(chǎn)地 江蘇省無錫市新吳區(qū)機光電工業(yè)園鴻運路203號
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2024/1/11 11:11:38
  • 訪問次數(shù) 1277

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無錫冠亞恒溫制冷技術(shù)有限公司致力于制冷設(shè)備、超低溫冷凍機、制冷加熱控溫系統(tǒng)、加熱循環(huán)系統(tǒng)、防爆電氣設(shè)備、自動化集成分散控制系統(tǒng)、實驗儀器裝置、工業(yè)冷凍室的開發(fā)、生產(chǎn)和貿(mào)易的科技實體。擁有數(shù)位在超低溫、高低溫開發(fā)方面具有豐富經(jīng)驗的高素質(zhì)專業(yè)設(shè)計人員的研發(fā)隊伍。


我們的使命:

聚焦解決客戶寬溫制冷、加熱控溫難題和降低制冷、加熱系統(tǒng)能耗;

提供有競爭力的系統(tǒng)解決方案和服務(wù),持續(xù)為客戶創(chuàng)造較大化價值;




制冷加熱循環(huán)器、加熱制冷控溫系統(tǒng)、反應(yīng)釜溫控系統(tǒng)、加熱循環(huán)器、低溫冷凍機、低溫制冷循環(huán)器、冷卻水循環(huán)器、工業(yè)冷處理低溫箱、低溫冷凍機、加熱制冷恒溫槽等設(shè)備

產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 價格區(qū)間 10萬-50萬
冷卻方式 水冷式 儀器種類 一體式
應(yīng)用領(lǐng)域 化工,生物產(chǎn)業(yè),電子,制藥,汽車



無錫冠亞恒溫制冷技術(shù)有限公司的半導(dǎo)體控溫解決方案

主要產(chǎn)品包括半導(dǎo)體專?溫控設(shè)備、射流式?低溫沖擊測試機和半導(dǎo)體??藝廢?處理裝置等?設(shè)備,

?泛應(yīng)?于半導(dǎo)體、LED、LCD、太陽能光伏等領(lǐng)域。




【 冠亞制冷 】半導(dǎo)體行業(yè)主營控溫產(chǎn)品:

半導(dǎo)體專溫控設(shè)備

射流式?低溫沖擊測試機

半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備chiller

Chiller氣體降溫控溫系統(tǒng)

Chiller直冷型

循環(huán)風(fēng)控溫裝置

半導(dǎo)體?低溫測試設(shè)備

電?設(shè)備?溫低溫恒溫測試?yán)錈嵩?/span>

射流式高低溫沖擊測試機

快速溫變控溫卡盤

數(shù)據(jù)中心液冷解決方案


型號FLT-002FLT-003FLT-004FLT-006FLT-008FLT-010FLT-015
FLT-002WFLT-003WFLT-004WFLT-006WFLT-008WFLT-010WFLT-015W
溫度范圍5℃~40℃
控溫精度±0.1℃
流量控制  10~25L/min  5bar max15~45L/min  6bar max25~75L/min  6bar max
制冷量at10℃6kw8kw10kw15 kw20kw25kw40kw
內(nèi)循環(huán)液容積4L5L6L8L10L12L20L
膨脹罐容積10L10L15L15L20L25L35L
制冷劑R410A
載冷劑硅油、氟化液、乙二醇水溶液、DI等  (DI溫度需要控制10℃以上)
進出接口ZG1/2ZG1/2ZG3/4ZG3/4ZG3/4ZG1ZG1
冷卻水口ZG1/2ZG1/2ZG3/4ZG1ZG1ZG1ZG1 1/8
冷卻水流量at20℃1.5m3/h2m3/h2.5m3/h4m3/h4.5m3/h5.6m3/h9m3/h
電源380V3.5kW4kW5.5kW7kW9.5kW12kW16kW
溫度擴展通過增加電加熱器,擴展-25℃~80℃





Chillers半導(dǎo)體控溫裝置 模塊循環(huán)制冷機

Chillers半導(dǎo)體控溫裝置 模塊循環(huán)制冷機


  集成電路晶圓制造Chiller在半導(dǎo)體制造工藝中作為一種制冷加熱動態(tài)控溫設(shè)備,可以用在不同的工藝中,以下是在半導(dǎo)體制造工藝中的應(yīng)用:

  1、氧化工藝:在氧化工藝中,需要將硅片放入氧化爐中,并在高溫下進行氧化反應(yīng)。集成電路晶圓制造Chiller可以控制氧化爐的溫度和氣氛,以確保氧化反應(yīng)的穩(wěn)定性和均勻性。

  2、退火工藝:在退火工藝中,需要將硅片加熱到一定溫度,并保持一段時間,以消除晶格中的應(yīng)力并改善材料的性能。集成電路晶圓制造Chiller可以控制退火爐的溫度和時間,以確保退火過程的穩(wěn)定性和可靠性。

  3、刻蝕工藝:在刻蝕工藝中,需要將硅片暴露在化學(xué)試劑中,以去除不需要的材料。集成電路晶圓制造Chiller可以控制化學(xué)試劑的溫度和流量,以確??涛g過程的穩(wěn)定性和精度。

  4、薄膜沉積工藝:在薄膜沉積工藝中,需要將材料沉積在硅片上,以形成所需的薄膜結(jié)構(gòu)。集成電路晶圓制造Chiller可以控制沉積設(shè)備的溫度和氣氛,以確保薄膜沉積的穩(wěn)定性和質(zhì)量。

  5、離子注入工藝:在離子注入工藝中,需要將離子注入到硅片中,以改變材料的性質(zhì)和結(jié)構(gòu)。集成電路晶圓制造Chiller可以控制離子注入設(shè)備的溫度和電流,以確保離子注入的穩(wěn)定性和精度。


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