BEST-300C ITO膜硅片四探針電阻率測(cè)試儀

ITO膜硅片四探針電阻率測(cè)試儀方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測(cè)量，但其測(cè)量

準(zhǔn)確度尚未評(píng)估。

使用直排四探針測(cè)量裝置、使直流電流通過(guò)試樣上兩外

探件，測(cè)量?jī)蓛?nèi)操針之間的電位差，引人與試樣幾何形軟有

關(guān)的修正因子，計(jì)算出薄層電阻。覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測(cè)試采用四探針組合雙電測(cè)量方法，液晶顯示，自動(dòng)測(cè)量，自動(dòng)量程，自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出；選配：PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響.

采用四探針組合雙電測(cè)量方法，液晶顯示，自動(dòng)測(cè)量，自動(dòng)量程，自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出；選配：PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響.

概述：采用四端測(cè)量法適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門(mén)，實(shí)驗(yàn)室；是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的工具?？膳渲貌煌瑴y(cè)量裝置測(cè)試不同類型材料之電阻率。液晶顯示，溫度補(bǔ)償功能，自動(dòng)量程，自動(dòng)測(cè)量電阻，電阻率，電導(dǎo)率數(shù)據(jù)。恒流源輸出；選配：PC軟件過(guò)程數(shù)據(jù)處理和標(biāo)準(zhǔn)電阻校準(zhǔn)儀器，薄膜按鍵操作簡(jiǎn)單，中文或英文兩種語(yǔ)言界面選擇，電位差計(jì)和電流計(jì)或數(shù)字電壓表，量程為1mVˉ100mV,

分辨率為0.1%，直流輸入阻抗不小

250μm的半球形或半徑為50 μm~125 μm的平的

圓截面。

探針(帶有彈簧及外引線)之間或探針系統(tǒng)其他部分之

間的絕緣電照至少為10°Ω.探針排列和間距，四探針應(yīng)以

等距離直線排列，探針閥距及針突狀況應(yīng)符合GB/T 552 中

的規(guī)定。

R=1(R +R, )…………………………(3)R2=與(R; +R，)

計(jì)算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比，由表3中

查出修正因子F，也可以見(jiàn)GB/T11073中規(guī)定的幾何修正因

子。 9.4計(jì)算幾何修正因子F，見(jiàn)式(4)。

對(duì)于薄層厚度小于3μm的試樣，選用針尖半徑為100

μm250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm~125 pm平

頭探針，針尖與試樣間壓力為0.3 Nˉ0.8Ni對(duì)于薄層厚度不

小于3μ的試樣，選用針尖半徑為35μm100 pm 半球形

操針，針尖與試樣間壓力不大于 0.3 N.

Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-

雙刀雙撐電位選擇開(kāi)關(guān)。.定。歐嬌表，能指示阻值高達(dá)10°日的漏電阻，溫度針

0℃-40℃，小刻度為0.1℃。

光照、高頻、需動(dòng)、強(qiáng)電磁場(chǎng)及溫醒度等測(cè)試環(huán)境會(huì)影

響測(cè)試結(jié)果，

甲醇、99.5%，干燥氮?dú)?。測(cè)量?jī)x器探針系統(tǒng)操針為具

有45"~150°角的圓罐形破化鴨振針，針實(shí)半徑分別為35

μm~100μm.100 μm

…… … ………(5)

電壓表輸入阻抗會(huì)引入測(cè)試誤差，硅片幾何形狀，表

面粘污等會(huì)影響測(cè)試結(jié)果，

R(TD-R_xF式中:

計(jì)算每一測(cè)量位置的平均電阻R.，見(jiàn)式(3).

試劑優(yōu)級(jí)純，純水，25℃時(shí)電阻率大于2MN.cm,

s=號(hào)(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..

計(jì)算每一測(cè)量位置在所測(cè)溫度時(shí)的薄層電阻(可根據(jù)薄

層電阻計(jì)算出對(duì)應(yīng)的電阻率并修正到23℃，具體見(jiàn)表4)

見(jiàn)式(5).

用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺(tái)上，試樣放置

的時(shí)間應(yīng)足夠長(zhǎng)，到達(dá)熱平衡時(shí)，試樣溫度為23 ℃±1℃.

接通電流，令其任一方向?yàn)檎颍{(diào)節(jié)電流大小見(jiàn)表1測(cè)量范圍

    電阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm

    方  阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□

    電  阻：1×10-5～2×105 Ω   ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω

3.2  材料尺寸(由選配測(cè)試臺(tái)決定和測(cè)試方式?jīng)Q定)直    徑：A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15～130mm，   方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm，    長(zhǎng)(高)度：測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm,        測(cè)量方位: 軸向、徑向均可

3.3.  4-1/2 位數(shù)字電壓表：

    (1)量程： 20.00mV～2000mV

    (2)誤差：±0.1%讀數(shù)±2 字

3.4  數(shù)控恒流源

   (1)量程：0.1μA，1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，100mA，1A

   (2)誤差：±0.1%讀數(shù)±2 字

所給出的某一合適值，測(cè)量并記錄所得數(shù)據(jù)，所有測(cè)試數(shù)據(jù)

至少應(yīng)取三位有效數(shù)字。改變電流方向，測(cè)量、記錄數(shù)據(jù)。

關(guān)斷電流，搶起探針裝置，對(duì)仲裁測(cè)量，探針間距為1.59

ITO膜硅片四探針電阻率測(cè)試儀本儀器本儀器采用四探針雙電測(cè)量方法，適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門(mén)，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。本儀器配置各類測(cè)量裝置可以測(cè)試不同材料。液晶顯示，無(wú)需人工計(jì)算，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電阻率單位自動(dòng)選擇，儀器自動(dòng)測(cè)量并根據(jù)測(cè)試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程，無(wú)需人工多次和重復(fù)設(shè)置。采用高精度AD芯片控制，恒流輸出，結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量輕便，運(yùn)輸安全、使用方便；選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動(dòng)生成報(bào)表；本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時(shí)顯示液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率，壓強(qiáng) 配置不同的測(cè)試治具可以滿足不同材料的測(cè)試要求。測(cè)試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測(cè)試項(xiàng)目要求選購(gòu).

雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。

標(biāo)準(zhǔn)要求：

該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，它與單電測(cè)直線或方形四探針相比，大大提高精確度，特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。