ALD-150LX™ 原子層沉積ALD

Kurt J. Lesker Company （KJLC） ALD150LX™是一種原子層沉積 （ALD） 系統(tǒng)，專為高級研發(fā) （R&D） 應用而設計。創(chuàng)新的ALD150LX設計功能，如我們的前驅(qū)體聚焦技術(shù)™，以及我們超高純度 （UHP） 工藝能力等進步技術(shù)，提供了靈活性和性能。該ALD150LX強調(diào)在研發(fā)層面啟用和支持創(chuàng)新的技術(shù)，不僅作為一個獨立的平臺，而且在集群工具配置中提供與其他過程和分析模塊的連接。®®

ALD150LX集群工具的連接性消除了關(guān)鍵過程和分析步驟之間不必要的大氣暴露，從而保護敏感的表面、層及其界面。這種連接性包括集成額外的原子層沉積和分析模塊，以及其他 KJLC 薄膜沉積技術(shù)，以實現(xiàn)業(yè)內(nèi)多技術(shù)工藝和分析能力和支持。結(jié)合質(zhì)量、靈活性和性能，以及多種技術(shù)處理和分析能力，使ALD150LX成為創(chuàng)新的設計。

LD150LX工藝室可以配置為純熱或等離子體增強 ALD。金屬和差速泵彈性體密封件的組合可防止大氣成分（即 N2、O型2和 H2O）從進入底物所在的反應區(qū)，從而促進了UHP工藝環(huán)境。特別是，UHP條件降低了背景氧雜質(zhì)的水平，從而限制了高質(zhì)量非氧化物基材料及其界面在薄膜生長之前、期間和之后的暴露。在氧化膜生長過程中，氧雜質(zhì)也是寄生性CVD的來源。我們垂直流設計可實現(xiàn)分離、均勻的前驅(qū)體輸送，并促進前驅(qū)體利用率的提高以及服務間隔之間的平均時間延長。為避免不必要的材料在輸送通道內(nèi)積聚和顆粒形成，四個獨立的腔室入口（不包括等離子體）可用于前驅(qū)體分離。例如，可以使用單獨的入口來分離金屬有機前體和共反應物，以防止在輸送管線和閥門中沉積。

• 等離子體增強原子層沉積 （PEALD） 配置可選

• 金屬和差速泵彈性體密封件的組合，可實現(xiàn) UHP 工藝條件

• 全層流和惰性氣體掃除死區(qū)可保持反應器清潔，減少釋氣和虛擬泄漏

• 用于原位橢圓偏振儀的分析端口（70° 入射角）（橢偏儀可選）

• 四條獨立的獨立加熱入口管路，用于前驅(qū)體輸送，防止輸送通道中不必要的積聚

• 獨立的基板加熱器平臺和外腔殼體，可實現(xiàn)出色的溫度控制和均勻性

• 304L不銹鋼結(jié)構(gòu)

• 可訪問、低維護的設計

我們獲得前驅(qū)體聚焦技術(shù)™ （PFT™） 將非活性簾式氣體屏障與集中式前驅(qū)體輸送和泵送相結(jié)合，以最大限度地減少與工藝室側(cè)壁的相互作用，并將前驅(qū)體排除在腔室端口之外，從而提高前驅(qū)體利用率并延長維護間隔。用于橢圓儀集成的分析端口是ALD150LX的標準功能（橢偏儀可選）?；模ㄖ睆竭_ 150 mm）通過水平裝載口引入。一旦進入內(nèi)部，垂直銷升機構(gòu)就用于通過拾取基板并將其直接放置在基板加熱器級的表面上來完成轉(zhuǎn)移。