ICP-500D 薄膜沉積CVD

SENTECH ICP等離子沉積系統(tǒng)-SI 500D

是主流的半導(dǎo)體設(shè)備商，研發(fā)、制造和銷售良好的薄膜測量儀器（反射儀、橢偏儀、光譜橢偏儀）和等離子工藝設(shè)備（等離子刻蝕機(jī)、等離子沉積系統(tǒng)、用戶定制系統(tǒng)）。

SI 500D等離子沉積系統(tǒng)是ICP-PECVD設(shè)備，利用ICP高密度等離子源來沉積電介質(zhì)薄膜?？稍跇O低溫度下(< 100ºC)沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜?？梢詫?shí)現(xiàn)沉積薄膜厚度、折射率、應(yīng)力的連續(xù)調(diào)節(jié)。

SI 500 D主要特點(diǎn)：

• 適用于8寸以及以下晶片

• 低溫沉積高質(zhì)量電介質(zhì)膜：80°C~350°C

• 高速率沉積

• 低損傷

• 薄膜特性 (厚度、折射率、應(yīng)力) 連續(xù)可調(diào)

• 平板三螺旋天線式PTSA等離子源 (Planar Triple Spiral Antenna)

• SENTECH高級(jí)等離子設(shè)備操作軟件

• 穿墻式安裝方式

系統(tǒng)配置：