化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>硅片制備/晶體生長(zhǎng)設(shè)備>單晶爐>CY-O1650BG-Φ80 1650℃布里奇曼晶體生長(zhǎng)爐
CY-O1650BG-Φ80 1650℃布里奇曼晶體生長(zhǎng)爐
參考價(jià) | ¥ 30000 |
訂貨量 | ≥1件 |
- 公司名稱 鄭州成越科學(xué)儀器有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) CY-O1650BG-Φ80
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/12/18 11:16:35
- 訪問(wèn)次數(shù) 56
聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說(shuō)明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
簡(jiǎn)單介紹:
1650℃布里奇曼晶體生長(zhǎng)爐主要應(yīng)用于半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,用于生長(zhǎng)各種單晶體,包括硅、藍(lán)寶石、氮化硅、碳化硅等.它可以生長(zhǎng)高純度、高質(zhì)量和大尺寸的單晶體,用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件、激光器、光電子器件等
詳情介紹:
是一種高溫晶體生長(zhǎng)設(shè)備,主要用于生長(zhǎng)高質(zhì)量、大尺寸的單晶體。
其技術(shù)特點(diǎn)如下:
1. 高溫能力強(qiáng):該爐子可以達(dá)到非常高的工作溫度,可以滿足許多高溫晶體生長(zhǎng)需求。
2. 溫度控制精度高:該爐子采用的溫度控制技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)高精度的溫度控制,確保晶體制備的質(zhì)量和可靠性。
3. 設(shè)備結(jié)構(gòu)合理:該爐具有合理的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),保證了晶體生長(zhǎng)的均勻性和穩(wěn)定性。
4. 操作簡(jiǎn)單:該爐的操作非常簡(jiǎn)單,可以輕松進(jìn)行工藝操作和參數(shù)控制。
5. 高效能節(jié)能:爐子內(nèi)部采用節(jié)能材料,使得加熱效率高、能源利用率高。
6. **可靠:該設(shè)備采用高品質(zhì)的材料和技術(shù),確保設(shè)備的高可靠性。
晶體生長(zhǎng)爐應(yīng)用領(lǐng)域:
主要應(yīng)用于半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,用于生長(zhǎng)各種單晶體,包括硅、藍(lán)寶石、氮化硅、碳化硅等。它可以生長(zhǎng)高純度、高質(zhì)量和大尺寸的單晶體,用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件、激光器、光電子器件等。此外,該爐還可用于生長(zhǎng)光伏材料、磁性材料、鐵電材料等。
布里奇曼晶體生長(zhǎng)爐技術(shù)參數(shù):
產(chǎn)品名稱 | 1650℃布里奇曼晶體生長(zhǎng)爐 |
產(chǎn)品型號(hào) | CY-O1650BG-Φ80-100×100×100-V-T |
電源 | *大功率:15KW |
工作溫度 | *高工作溫度:1650℃(<1小時(shí)) 連續(xù)工作溫度:1600℃ |
加熱元件 | 硅鉬棒 |
爐管&法蘭 | 高純氧化鋁爐管,其尺寸問(wèn)Φ80×1070mm 配有一套不銹鋼密封法蘭,允許在真空或氣氛保護(hù)環(huán)境下進(jìn)行晶體生長(zhǎng) |
樣品臺(tái) | Φ60×100mm氧化鋁樣品臺(tái) B型熱偶插入到樣品臺(tái)底部,可實(shí)時(shí)測(cè)量坩堝溫度 |
坩堝裝載 | 自動(dòng)樣品臺(tái)升降,便于坩堝放置/取樣 *大行程700mm |
加熱區(qū) | 三溫區(qū)爐體,形成較大的溫度梯度(每個(gè)溫區(qū)長(zhǎng)度100mm,總溫區(qū)300mm) |
控溫系統(tǒng) | 采用PID方式控溫,可設(shè)置30段升降溫程序 帶有超溫和斷偶保護(hù) 三個(gè)B型熱電偶 |
爐體移動(dòng)行程&速度 | 爐體*大移動(dòng)行程為500mm 移動(dòng)速度:0.03~3mm/小時(shí) |
真空泵 | 雙極旋片真空泵 1.1L/S |
供電電源 | 220V 50HZ |
備注 | 帶有一臺(tái)10L 的水冷機(jī) |