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LD-FPA-640x512 640x512分辨率銦鎵砷InGaAs探測(cè)器

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 西安立鼎光電科技有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào) LD-FPA-640x512
  • 產(chǎn)地 西安
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2025/2/11 15:02:34
  • 訪問(wèn)次數(shù) 4

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       西安立鼎光電科技有限公司是一家專業(yè)從事短波紅外成像系統(tǒng)及光電測(cè)試裝備的研發(fā)生產(chǎn)、系統(tǒng)集成、銷售服務(wù)為一體的高新技術(shù)企業(yè)。公司專注于為客戶提供從元件、組件、部件到全套光電系統(tǒng)產(chǎn)品的完整解決方案。

       近年來(lái),公司研制的短波紅外成像系統(tǒng)在激光光斑檢測(cè)、半導(dǎo)體檢測(cè)、激光通信、光譜成像、激光切割、生物醫(yī)療、天文觀測(cè)、安防、星敏感器、激光制導(dǎo)、反偵聽(tīng)、激光測(cè)振等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

       多年來(lái),根據(jù)用戶需求定制的多款光電測(cè)試裝備,為用戶產(chǎn)品的性能指標(biāo)保證發(fā)揮了重要作用,得到了客戶的高度認(rèn)可。




全波段光電探測(cè)器(0.2-26um),短波紅外相機(jī)(0.9-1.7um),紅外 熱像儀,微光夜視儀,成像機(jī)芯(0.9-1.7um/3-5um/8-14um),EMCCD/SCMOS相機(jī), 光功率計(jì)/能量計(jì),光譜分析儀,光纖滑環(huán),激光器,激光測(cè)距機(jī)

LD-FPA-640x512分辨率銦鎵砷InGaAs探測(cè)器


640x512分辨率銦鎵砷InGaAs探測(cè)器

西安立鼎光電科技有限公司提供高品質(zhì)InGaAs短波探測(cè)器,產(chǎn)品從點(diǎn)元探測(cè)器到面陣探測(cè)器,質(zhì)量可靠,價(jià)格合理,得到世界客戶的廣泛認(rèn)可和應(yīng)用。

InGaAs短波焦平面探測(cè)器產(chǎn)品應(yīng)用在近紅外成像和光譜技術(shù)成像上,包括非制冷型(無(wú)TEC)和制冷型(TEC)型。產(chǎn)品應(yīng)用穩(wěn)定成熟的工藝,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該產(chǎn)品選用常規(guī)封裝,便于CCD與CMOS相機(jī)集成商的機(jī)械設(shè)備;集成嵌入式TEC進(jìn)一步提高了探測(cè)器的靈敏度,并通過(guò)密閉金屬封裝來(lái)實(shí)現(xiàn)其高可靠性。

產(chǎn)品型號(hào)

InGaAs面陣探測(cè)器的響應(yīng)波段為900-1700nm/2200nm,目前可提供320x256640x512陣列。此陣列探測(cè)器利用覆晶裝訂技術(shù)可以使其與讀出電路緊密結(jié)合,同時(shí)采用LCCKovar氣密封裝,且表面鍍有抗反射膜。我們可以根據(jù)客戶的需求定制封裝不同的產(chǎn)品。

型號(hào)

FPA0640P15F-17-C

FPA0640P15F-17-T1/T2

FPA0640P15F-1.9-T2

FPA0640P15F-2.2-T2

FPA-640×512-K

材料

InGaAs

InGaAs

InGaAs

InGaAs

InGaAs

響應(yīng)波段

0.9um-1.7um

0.6um-1.7um

0.9um-1.7um

1.1–1.9 um

1.2um-2.2um

0.9um-1.7um

圖像分辨率

640×512

640×512

640×512

640×512

640×512

像元尺寸

15um

15um

15um

15um

25um

靶面尺寸

9.6mm×7.68mm

9.6mm×7.68mm

9.6mm×7.68mm

9.6mm×7.68mm

16mm×12.8mm

封裝

64-pin CLCC

28-pin SDIP Package

28-pin SDIP Package

28-pin Metal

SDIP Package

28-pin MDIP

重量

1.7g

19.5g(±0.5)

19.5g(±0.5)

19.5g(±0.5)

24.6g/24.467g

有效像元率

>99.5%

>99.5%

>99%

98%

>99%

暗電流

≤30fA

≤20fA

≤100 fA

≤25fA

≤0.2pA

量子效率

≥70%

≥70%

≥ 70%

60%

≥70%

響應(yīng)非均勻性

≤2%

≤2%

≤4%

≤4%

≤2%

非線性(最大偏差)

≤5%

≤5%

≤10%

≤10%

≤10%

增益

High:46.2uV/e- Low:1.39uV/e-

High:46.2uV/e- Low:1.39uV/e-

High: 46.2 uV/e –

Low:1.39uV/e-

High:99.9uV/e- Low:1.33uV/e-

High:23.6uV/e- Low:1.26 uV/e-

滿阱容量

High:0.041Me- Low:1.38Me-

High:0.041Me- Low:1.38Me-

High:0.041Me-

Low:1.38Me-

High:0.019Me- Low:1.440Me-

High:0.118Me- Low:1.9Me-

TEC制冷

非制冷

TE1/TE2/非制冷

TE2

TE2

TE1/TE2

工作溫度

-40℃—+70℃

-40℃—+70℃

-40℃—+70℃

-40℃—+70℃

-20℃—+85℃

儲(chǔ)存溫度

-40℃—+70℃

-40℃—+70℃

-40℃—+80℃

-40℃—+70℃

-40℃—+85℃

功耗

200mw

200mw**

200mw  

200mw    

325mw**

注:**不帶制冷




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