（2）手日本電子JSM-7610Fplus

（2）手日本電子JSM-7610Fplus產(chǎn)品特點：

JSM-7610F的光學(xué)系統(tǒng)經(jīng)過改進，實現(xiàn)了分辨率（15kV 0.8nm、1kV 1.0nm）的進一步提升，以嶄新的JSM-7610FPlus形象亮相。采用半浸沒式物鏡和High Power Optics照明系統(tǒng)，能提供穩(wěn)定的高空間分辨率觀察和分析。

此外還具備利用GENTLEBEAMTM模式進行低加速電壓觀察、通過r-filter分選信號等滿足各種需求的高擴展性。主要特點如下：

◇ 半浸沒式物鏡

半浸沒式物鏡在樣品周圍形成強磁場，因而可以獲得超高分辨率。

◇ High Power Optics

High Power Optics 是電子光學(xué)系統(tǒng)，既實現(xiàn)了高倍率觀察又能進行多種分析。

浸沒式肖特基場發(fā)射電子槍，可以獲得10 倍于傳統(tǒng)肖特基場發(fā)射電子槍（FEG）的探針電流，最佳光闌角控制鏡（ALC）在探針電流增大時也能保持小束斑，兩者組合起來能提供200 nA 以上的探針電流。強大的High Power Optics 系統(tǒng)，從高倍率圖像觀察到EDS分析和EBSD 解析可以一直使用高分辨率的最小物鏡光闌而不需要改換。

浸沒式肖特基場發(fā)射電子槍銃   

浸沒式肖特基場發(fā)射電子槍通過和低像差聚光鏡組合，可以有效地收集從電子槍內(nèi)發(fā)射的電子。

最佳光闌角控制鏡（ACL）

最佳光闌角控制鏡（ACL）配置在物鏡的上方，在整個探針電流范圍內(nèi)自動優(yōu)化物鏡光闌的角度。因此，即使照射樣品的探針電流很大，與傳統(tǒng)方式相比，也能獲得很小的電子束斑。

即使探針電流很大，束斑直徑也很小

長時間分析時穩(wěn)定度也很高

浸沒式消特基場發(fā)射電子槍能獲得穩(wěn)定的電子探針

◇ 柔和電子束（GB:GENTLEBEAMTM）模式

 柔和的電子束模式（GB模式）通過給樣品添加負電壓，從而使電子束在即將撞擊樣品之前降低著陸電壓，因此可以在低加速電壓下（100V）進行高分辨觀察。

由于電子束在樣品中散射區(qū)域減小，就會容易地觀察樣品淺表面的精細結(jié)構(gòu)，能減少對熱敏樣品的的損傷，可以直接觀察非導(dǎo)電性樣品。

JSM-7610Plus 在GB模式下（1KV）的分辨率為1.0nm

GB 模式的效果

GB 模式在低電壓下提高分辨率

增強了的低加速電壓下的分辨率

◇ r-過濾器

新一代 r-過濾器 是由二次電子控制電極，背散射電子控制電極，過濾器電極組合而成的能量過濾器。當(dāng)電子束照射樣品時，從樣品表面會釋放出各種能量的電子，新一代r-過濾器 通過組合多個靜電場使電子束保持在透射系統(tǒng)的中央，同時還對樣品中產(chǎn)生的二次樣品和背散射電子進行選樣和檢測。

新新一代 r-過濾器最多能獲得3倍于舊機型的信號量。

新一代 r-過濾器 檢測信號的方法

◇ LABE檢測器（選配件）

     LABE（Low Angle BE）檢測器能檢測低角度背散射電子。在低加速電壓下對樣品表面精細的形貌信息，在高加速電壓下對樣品的組分信息都能進行高分辨觀察。     

利用LABE 檢測器獲取低角度背散射電子像

◇ 擴展性

能譜儀（EDS）

High Power Optics 能充分發(fā)揮EDS（SDD）檢測器的特長，即使探針電流很大，也不容易飽和。使用低加速電壓，大探針電液能在短時間內(nèi)獲取清晰的面分布圖。下面的圖像顯示了在2分針內(nèi)可以對鎳基板表面上極薄的石墨烯薄膜進行分析。

使用基本型SDD nm2 檢測器也能在短短的30秒鐘內(nèi)測試100nm厚的多層膜截面。

波譜儀（WDS）

由于High Power Optics 在大探針電流時也能提供很小的電子束斑，因此能充分發(fā)揮WDS的特長，使用WDS可以確認用EDS判斷的樣品的濃度差等。

（2）手日本電子JSM-7610Fplus陰極熒光系統(tǒng)（CL）

陰極熒光是電子束照射樣品時產(chǎn)生的發(fā)光現(xiàn)象，從樣品中發(fā)出的光經(jīng)拋物面反射鏡（聚光鏡）聚焦后被檢測出來。

下面的數(shù)據(jù)是金剛石（1KW）的二次電子圖像和用衍射光柵獲得的CL像。用低加速電壓觀察CL像，可以在高分辨率下觀測到金剛石的表面缺陷。