高真空脈沖激光濺射薄膜沉積系統(tǒng)--PLD450

高真空脈沖激光濺射薄膜沉積系統(tǒng)--PLD450

真空室結(jié)構(gòu):球形前開門

真空室尺寸:450mm

極限真空度:≤6.67E-6Pa

沉積源:2英寸靶材，4個(gè)

樣品尺寸，溫度:2英寸，1片，最高800℃C

占地面積(長(zhǎng)x寬x高):約1.8米x0.97米x1.9米

電控描述:全自動(dòng)

工藝:

特色參數(shù):

產(chǎn)品概述：
系統(tǒng)主要由真空室、旋轉(zhuǎn)靶臺(tái)、基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。
設(shè)備用途：
脈沖激光沉積(Pulsed Laser DeposiTION，簡(jiǎn)稱PLD)是新近發(fā)展起來的一項(xiàng)技術(shù)，繼20世紀(jì)80年代末成功地制備出高臨界溫度的超導(dǎo)薄膜之后，它的優(yōu)點(diǎn)和潛力逐漸被人們認(rèn)識(shí)和重視。該項(xiàng)技術(shù)在生成復(fù)雜的化合物薄膜方面得到了非常好的結(jié)果。與常規(guī)的沉積技術(shù)相比，脈沖激光沉積的過程被認(rèn)為是“化學(xué)計(jì)量”的過程，因?yàn)樗菍械某煞洲D(zhuǎn)換成沉積薄膜，非常適合于沉積氧化物之類的復(fù)雜結(jié)構(gòu)材料。當(dāng)前脈沖激光制備技術(shù)在難熔材料及多組分材料(如化合物半導(dǎo)體、電子陶瓷、超導(dǎo)材料)的精密薄膜，顯示出了誘人的應(yīng)用前景。