EleSlope 全變量空間電荷限域電流遷移率測(cè)試系統(tǒng)
- 公司名稱 東譜科技（廣州）有限責(zé)任公司
- 品牌 東譜
- 型號(hào) EleSlope
- 產(chǎn)地 中國(guó)
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2025/10/30 9:24:24
- 訪問次數(shù) 54
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產(chǎn)品關(guān)鍵詞：空間電荷限域電流,遷移率提取模型,陷阱態(tài)密度分析,載流子注入勢(shì)壘,載流子遷移率,陷阱效應(yīng)
產(chǎn)品特點(diǎn)
□ 手套箱原位變溫耦合：
支持在無氧、無水手套箱內(nèi) 原位開展變溫測(cè)試，無需轉(zhuǎn)移樣品，避免外界環(huán)境（氧、水、溫度波動(dòng)）對(duì)敏感材料（如有機(jī)半導(dǎo)體、鈣鈦礦薄膜）的干擾，精準(zhǔn)模擬器件實(shí)際工作的溫場(chǎng)環(huán)境，保障測(cè)試數(shù)據(jù)的真實(shí)性與可重復(fù)性。
□ 1 分鐘快速換樣測(cè)試：
通過 模塊化夾具設(shè)計(jì) + 自動(dòng)化流程集成，實(shí)現(xiàn)樣品 “即放即測(cè)”，換樣時(shí)間壓縮至 1 分鐘內(nèi)，大幅提升 高通量樣品篩選效率（如新材料庫批量表征、器件陣列快速測(cè)試），減少人工操作誤差，適配研發(fā)端 “快速迭代” 需求。
□ 變溫、變厚度 SCLC 分析：
支持 空間電荷限制電流（SCLC）測(cè)試的雙變量調(diào)控：
變溫：解析溫度對(duì)載流子遷移率、陷阱態(tài)的影響規(guī)律；
變厚度：探究薄膜厚度與電荷輸運(yùn)、器件閾值的關(guān)聯(lián)機(jī)制。
助力半導(dǎo)體器件（如 OLED、太陽能電池）的 結(jié)構(gòu)優(yōu)化與失效分析，精準(zhǔn)定位性能瓶頸。
□ 低至 10fA 測(cè)試系統(tǒng)定制：
針對(duì) 弱電流特性樣品（如納米器件、高阻絕緣薄膜、低功耗芯片），可定制 皮安級(jí)（10fA）超高靈敏度測(cè)試系統(tǒng)，突破常規(guī)測(cè)試的噪聲下限，實(shí)現(xiàn)納安 - 飛安級(jí)電流的穩(wěn)定采集，滿足前沿領(lǐng)域（如量子器件、單分子電學(xué)）的極限測(cè)試需求。
□ IV 仿真分析軟件選配：
可選配專業(yè) 電流 - 電壓（IV）特性仿真分析軟件，支持：
實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)擬合（如提取遷移率、閾值電壓、接觸電阻等關(guān)鍵參數(shù)）；
多物理場(chǎng)仿真（結(jié)合溫度、厚度變量，模擬電荷輸運(yùn)動(dòng)力學(xué)）；
理論模型對(duì)比（驗(yàn)證漂移 - 擴(kuò)散、陷阱填充等機(jī)制），打通 “實(shí)驗(yàn)測(cè)試→機(jī)理解析→模型驗(yàn)證” 閉環(huán)，加速研發(fā)周期。
功能參數(shù)
□ 變溫區(qū)間（78-350K，視手套箱耦合情況有差異）；
□ 電學(xué)參數(shù)：200V/1A，10fA/100nV。
EleSlope拓展介紹
1、定義
全變量空間電荷限域電流（SCLC）是指在多物理變量協(xié)同調(diào)控下，半導(dǎo)體或有機(jī)電子材料中因載流子注入量超過輸運(yùn)能力而形成空間電荷積累，進(jìn)而對(duì)電流產(chǎn)生限制作用的動(dòng)態(tài)電流現(xiàn)象。它是傳統(tǒng) “單一變量空間電荷限域電流（SCLC）” 的延伸，核心在于通過多變量耦合分析，更全面地揭示空間電荷的形成、輸運(yùn)及限域機(jī)制，為材料缺陷態(tài)表征和器件性能優(yōu)化提供更精準(zhǔn)的依據(jù)。
載流子遷移率是指單位電場(chǎng)強(qiáng)度下，半導(dǎo)體中載流子（電子或空穴）獲得的平均漂移速度，是描述載流子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)難易程度的核心物理參數(shù)，直接決定半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電效率和器件的響應(yīng)速度。
2、全變量空間電荷限域電流遷移率測(cè)試系統(tǒng)在器件研究的應(yīng)用
（1）、有機(jī)半導(dǎo)體材料研究
有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)性能評(píng)估：測(cè)量有機(jī)半導(dǎo)體材料的載流子遷移率，作為評(píng)估OFET性能的關(guān)鍵指標(biāo)
有機(jī)光電器件開發(fā)：用于有機(jī)太陽能電池(OPV)、有機(jī)LED(OLED)等器件的載流子遷移率測(cè)量
分子結(jié)構(gòu)優(yōu)化：通過遷移率測(cè)量結(jié)果，指導(dǎo)有機(jī)半導(dǎo)體分子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與優(yōu)化
（2）、鈣鈦礦材料表征
鈣鈦礦太陽能電池：精確測(cè)量鈣鈦礦材料的載流子遷移率，優(yōu)化光電轉(zhuǎn)換效率
鈣鈦礦LED器件：評(píng)估鈣鈦礦LED材料的載流子傳輸特性，提高發(fā)光效率
界面特性研究：結(jié)合變溫、變厚度分析，研究鈣鈦礦材料界面載流子輸運(yùn)機(jī)制
（3）、納米器件與新型材料研發(fā)
納米半導(dǎo)體材料：適用于納米尺度半導(dǎo)體材料的載流子遷移率測(cè)量
二維材料：測(cè)量石墨烯、過渡金屬硫化物等二維材料的載流子遷移率
柔性電子器件：評(píng)估柔性半導(dǎo)體材料的電學(xué)特性，支持柔性電子器件開發(fā)
（4）、無機(jī)半導(dǎo)體器件研究
硅基太陽能電池：用于單晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太陽能電池的載流子遷移率測(cè)量
染料敏化太陽能電池：評(píng)估染料敏化太陽能電池的載流子傳輸特性
光電探測(cè)器：測(cè)量光電探測(cè)器材料的載流子遷移率，優(yōu)化器件響應(yīng)速度
（5）、 深度研究與分析
變溫SCLC分析：研究載流子遷移率隨溫度變化的規(guī)律（溫度范圍78-350K）
變厚度SCLC分析：分析樣品厚度對(duì)載流子遷移率的影響，探究界面效應(yīng)
載流子輸運(yùn)機(jī)制解析：深度解析載流子在材料中的輸運(yùn)機(jī)制，包括陷阱效應(yīng)、散射機(jī)制等
材料質(zhì)量評(píng)估：通過遷移率測(cè)量評(píng)估半導(dǎo)體材料的純度、均勻性及工藝質(zhì)量
3、產(chǎn)品主要測(cè)試功能特點(diǎn)
（1）、多變量協(xié)同調(diào)控的核心優(yōu)勢(shì)
變溫 - 變厚度耦合：同步調(diào)節(jié)溫度與薄膜厚度，可區(qū)分晶格散射（高溫主導(dǎo)）與雜質(zhì)散射（低溫主導(dǎo)）對(duì)遷移率的貢獻(xiàn)。
光照 - 電場(chǎng)雙變量掃描：在光伏器件測(cè)試中，結(jié)合光強(qiáng)與偏置電壓調(diào)控，可提取光生載流子遷移率、壽命及擴(kuò)散長(zhǎng)度，指導(dǎo)界面鈍化工藝優(yōu)化。
動(dòng)態(tài)環(huán)境模擬：支持 濕度、氣壓等參數(shù)調(diào)控，評(píng)估材料在環(huán)境下的穩(wěn)定性。
（2）、高精度測(cè)量與自動(dòng)化集成
微弱信號(hào)捕捉能力：采用皮安表+ 鎖相放大器組合，可檢測(cè)單分子器件或高阻絕緣薄膜的納安 - 飛安級(jí)電流。
1 分鐘快速換樣技術(shù)：通過模塊化夾具設(shè)計(jì)與自動(dòng)化流程集成，實(shí)現(xiàn)樣品 “即放即測(cè)”，顯著提升高通量材料篩選效率，適用于鈣鈦礦量子點(diǎn)庫或有機(jī)半導(dǎo)體薄膜陣列的批量表征。
全流程自動(dòng)化控制：通過 LabVIEW 或自研軟件實(shí)現(xiàn)參數(shù)設(shè)置 - 數(shù)據(jù)采集 - 模型擬合 - 報(bào)告生成閉環(huán)，支持遠(yuǎn)程操作與多設(shè)備協(xié)同測(cè)試，減少人工干預(yù)誤差。
（3）、原位測(cè)試與跨尺度分析
原位動(dòng)態(tài)觀測(cè)：結(jié)合掃描電子顯微鏡（SEM）或原子力顯微鏡（AFM），在測(cè)試過程中實(shí)時(shí)觀測(cè)材料形貌變化。
多技術(shù)聯(lián)用功能：可集成 時(shí)間分辨光致發(fā)光（TRPL）、驅(qū)動(dòng)電平電容剖析（DLCP）等技術(shù)，構(gòu)建 “輸運(yùn) - 光學(xué) - 結(jié)構(gòu)” 多維度數(shù)據(jù)庫。
跨尺度數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)：支持從納米級(jí)器件到厘米級(jí)薄膜的遷移率測(cè)量，通過厚度 - 溫度 - 電流三維數(shù)據(jù)可視化，揭示材料宏觀性能與微觀結(jié)構(gòu)的內(nèi)在聯(lián)系。
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