母合金
- 公司名稱 天津羲和陽光科技發(fā)展有限公司
- 品牌
- 型號
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2017/11/20 9:15:35
- 訪問次數(shù) 862
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母合金
半導(dǎo)體拉晶的重要摻雜元素
產(chǎn)品特點
進(jìn)口12N電子極原生多晶硅,配摻高純度硼粉(7N)級。目前廣泛應(yīng)用在拉單晶上的為硅硼負(fù)三合金。
母合金摻雜計算方法
電阻率P的單晶,它的頭部對應(yīng)的的雜質(zhì)濃度為C頭,多晶硅原料的重量為W,的雜質(zhì)濃度為C母,應(yīng)摻重量為M
應(yīng)摻重量為M =W*C頭/(K*C母—C頭),其中K為摻雜劑原素在硅中的平衡分凝系數(shù)。
參數(shù)
■ 硅單晶P型10的-3次方
■ 電阻率:0.007-0.009Ω/cm2
■ 雜質(zhì)含量指標(biāo)
硼含量(atom/cm3) 碳含量(atom/cm3) 氧含量(atom/cm3)
1.13*10-E19 <5*10-E16 <1.0*10-E18
■ 硅單晶P型10的-3次方
■ 電阻率:0.003-0.004Ω/cm2
■ 雜質(zhì)含量指標(biāo)
硼含量(atom/cm3) 碳含量(atom/cm3) 氧含量(atom/cm3)
3.04E+19 <5E+16 <1E+18
■ 硅單晶N型10的-3次方
■ 電阻率:0.002-0.005Ω/cm2
■ 雜質(zhì)含量指標(biāo)
磷含量(atom/cm3) 碳含量(atom/cm3) 氧含量(atom/cm3)
2.24*10-E19 <5*10-E16 <1.0*10-E18