PECVD-等離子體增強化學氣相沉積

Benefits 優(yōu)點

1. 和傳統(tǒng)的化學氣相沉積相比工藝溫度更低
2. 通過高/低頻混合技術(shù)可以控制薄膜應力
3. 具有結(jié)束點控制的等離子體干法清洗工藝減少或杜絕了物理/化學清洗反應室的需要
4. 通過工藝條件來控制化學計量
5. 提供廣泛的材料沉積，包括：氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的沉積，它們廣泛應用于光子結(jié)構(gòu)、鈍化、硬膜等。
6. 非晶硅（a-Si：H）
7. 具有保形臺階覆蓋或無空隙良好臺階覆蓋的正硅酸乙酯二氧化硅
8. SiC 碳化硅
9. 類金剛石膜

牛津儀器的PECVD工具

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