CIS（Se）, CIGS（Se）, CZTS（Se）量子點(diǎn)

銅銦硫（硒），銅銦鎵硫（硒），銅鋅錫硫（硒）多元半導(dǎo)化合物對可見光的吸收系數(shù)和光電轉(zhuǎn)換效率高，抗輻射能力強(qiáng)，吸收層材料禁帶寬度可調(diào)，性能穩(wěn)定，無毒等優(yōu)點(diǎn)，是制作薄膜太陽電池的優(yōu)良材料。

銅銦硫（硒），銅銦鎵硫（硒），銅鋅錫硫（硒）多元半導(dǎo)化合物對可見光的吸收系數(shù)和光電轉(zhuǎn)換效率高，抗輻射能力強(qiáng)，吸收層材料禁帶寬度可調(diào)，性能穩(wěn)定，無毒等優(yōu)點(diǎn)，是制作薄膜太陽電池的優(yōu)良材料。傳統(tǒng)方法－真空濺射沉積再進(jìn)行硫化或硒化反應(yīng)形成薄膜太陽能電池， 在制備過程中很難控制各個元素的蒸發(fā)速率和保持襯底溫度的穩(wěn)定，而且由于采用了真空的工藝環(huán)節(jié)，導(dǎo)致工藝復(fù)雜，總成本很高。通過對量子點(diǎn)燒結(jié)形成半導(dǎo)體薄是一種新興的薄膜太陽能電池的制備技術(shù)，可以極大簡化生產(chǎn)工藝，降低成本制，因此具有非常廣泛的應(yīng)用前景。

 

我們可根據(jù)客戶需求，提供不同質(zhì)量的CIS(Se), CIGS(Se), CZTS(Se)量子點(diǎn)。

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