這款高壓PVD系統(tǒng)配置適合在晶圓濺射金屬膜,磁性材料,多組分氧化物,得益于它靈活的配置和特殊的晶圓加熱器設(shè)計(jì),PVD可以在溫度最高900℃的襯底上濺射金屬膜層和磁性材料,最大容納晶圓直徑為150mm,訂制后最大可容納200mm直徑晶圓。
高壓PVD系統(tǒng)特點(diǎn)
•最多3個(gè)磁控管源，靶材為∅76,2 mm
•過程氣體：Ar、H2、O2、N2
•磁控管源位于柔性支架上，可聚焦到單點(diǎn)（共焦幾何結(jié)構(gòu)），以提供共沉積模式
•每個(gè)磁控管源的主快門或單獨(dú)快門（可選）
•可能安裝電子束源和/或熱阻蒸發(fā)器以及用于基板清潔的離子源（可選）
•多功能真空沉積系統(tǒng)，可配備各種PVD源和高溫晶圓加熱
•用2-3個(gè)磁控管沉積多組分薄膜
•從2-3個(gè)磁控管源同時(shí)濺射相同的目標(biāo)材料，以在∅100-150 mm基板上提供最大的均勻性
•可能升級(jí)多達(dá)7個(gè)磁控管源，以便使用旋轉(zhuǎn)式晶圓安裝逐個(gè)沉積材料

高壓PVD系統(tǒng)規(guī)格參數(shù)
工藝過程反應(yīng)器中的極限壓力:   不小于<1×10-7(<1×10-8 in UHV version)
達(dá)到預(yù)處理真空的時(shí)間（<5×10^-6Torr）在TMP 550 l/sand,干渦旋泵35m3/h時(shí):   不超過2min
沉積過程中晶圓旋轉(zhuǎn)的速度范圍:    0~20rpm
晶圓加熱溫度： 最高900°С
泵送系統(tǒng)性能：–渦輪分子泵，不小于500l/s
                       –干式渦旋泵，不小于35m3/h