邁可諾技術(shù)有限公司

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    MC方案|RIE / ICP干法蝕刻工藝案例

    2020-11-16 閱讀(3037)

    ICP / RIE蝕刻應(yīng)用范圍:

    - Si,SiO2,SiN蝕刻工藝

    - Al,Cr,Ti,TiW,Au,Mo等金屬蝕刻工藝

    - 晶圓尺寸:一片,4英寸,6英寸晶圓

    RIE 等離子刻蝕案例:

    SiO2 / SiN蝕刻

    80 sccm CF4,均勻性<5%,在6英寸晶圓上

    幾種功率水平下的壓力與蝕刻速率(如下圖):

     

    PlasmaSTAR®系列等離子處理系統(tǒng)適合處理所有的材料,擁有模塊化腔室和電極配置,可滿足不同的等離子工藝和基片尺寸。占地面積小,觸摸屏計(jì)算機(jī)控制,多級(jí)程序控制和組件控制,操作簡單。用于研究、工藝開發(fā)和批量生產(chǎn),可輕松集成到自動(dòng)化生產(chǎn)線和系統(tǒng)中。

     腔室/電極

    PlasmaSTAR®模塊化腔室和電極組件是該系統(tǒng)的*功能。腔室材料是硬質(zhì)陽極氧化鋁,耐腐蝕。有幾種不同的電極設(shè)計(jì),包括用于反應(yīng)離子刻蝕(RIE)和平面處理的水冷平板電極,用于表面清洗或處理的交替托盤電極,用于小化離子損傷的下游電極,和用于普通的圓柱形等離子體處理的籠式電極。

     

    標(biāo)配圓柱形“桶”式電極

    用于光刻膠剝離和各向同性刻蝕

     

    RIE電極(可選配)

    用于各向異性蝕刻的水冷電極

     

    隔板電極(可選配)

    用于各向同性蝕刻,標(biāo)配2塊電極

     

    等離子體源

    該系統(tǒng)可選配LF(KHz)或13.56(MHz)射頻電源以及自動(dòng)匹配網(wǎng)絡(luò)。 

     真空泵系統(tǒng)

    該系統(tǒng)配機(jī)械泵或帶羅茨鼓風(fēng)機(jī)的機(jī)械泵。根據(jù)所需的真空處理水平,可提供不同尺寸大小的真空泵。真空泵配有腐蝕性泵油(惰性泵油),適用于氧氣或其他腐蝕性化學(xué)應(yīng)用。流量控制器(MFC)的氣體管路是標(biāo)配。下游壓力控制器是選配。

    電腦控制

     

    觸摸屏電腦控制,提供無線程序存儲(chǔ),多步驟工藝簡單易存,易于編程,實(shí)時(shí)顯示工藝條件。工藝處理可用條形碼讀?。ㄟx配)。

     

    其中較典型的等離子處理工藝包括:

    ? 等離子預(yù)處理

    ? 光刻膠去膠

    ? 表面處理

    ? 各向異性和各向同性蝕刻

    ? 故障分析應(yīng)用

    ? 材料改性

    ? 封裝清洗

    ? 鈍化層刻蝕

    ? 聚酰胺刻蝕

    ? 促進(jìn)粘合

    ? 生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用

    ? 聚合反應(yīng)

    ? 混合清洗

    ? 預(yù)鍵合清洗



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