邁可諾技術(shù)有限公司

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    MC應(yīng)用|如何實(shí)現(xiàn)納米級(jí)清洗?

    2022-7-27 閱讀(1066)

    圖片

    具有可控和可調(diào)節(jié)表面化學(xué)性質(zhì)的清潔表面對(duì)于改善材料的界面,生物和電子性能,以獲得*佳的設(shè)備和結(jié)構(gòu)性能至關(guān)重要。等離子體表面處理可去除納米級(jí)有機(jī)污染物,并在不影響整體材料的情況下改變表面化學(xué)性質(zhì)。

     

    等離子清洗的好處

    等離子體清潔是通過(guò)化學(xué)反應(yīng)(O 2  或空氣等離子體)或物理消融(Ar等離子體)去除有機(jī)污染物。等離子體處理還在表面上引入了化學(xué)官能團(tuán)(羰基,羧基,羥基),使大多數(shù)表面具有親水性,水接觸角的減小和潤(rùn)濕性的提高。清潔且親水的表面通常對(duì)于促進(jìn)附著力和增強(qiáng)與其他表面的粘合至關(guān)重要。此外,血漿可用于消毒和去除表面上的微生物污染物,對(duì)生物醫(yī)學(xué)和生物材料的研究應(yīng)用有利。

     

    應(yīng)用范例

    可以對(duì)表面進(jìn)行等離子清潔,而不會(huì)影響材料的整體性能。這樣,等離子體處理可以應(yīng)用于多種材料以及復(fù)雜的表面幾何形狀。以下是在我們的等離子儀器中處理過(guò)的示例應(yīng)用和樣品:

     

    • AFM懸臂,用于表面形態(tài)和摩擦力測(cè)量

    • 后續(xù)沉積之前的玻璃和半導(dǎo)體晶圓

    • 用于微流控器件制造的圖案化聚二甲基硅氧烷(PDMS)基板

    • 電子顯微鏡(EM)網(wǎng)格

    • 自組裝實(shí)驗(yàn)的金表面

    • 用于細(xì)胞培養(yǎng)和組織工程的纖維聚合物支架

    • 用作電極的碳納米管

    • 石英晶體用于石英晶體微量天平(QCM)測(cè)量

    • 用于光譜測(cè)量(ATR-FTIR)的光學(xué)和晶體(石英,Ge,ZnSe)

    • 經(jīng)過(guò)等離子體處理的納米粒子可調(diào)節(jié)粒徑并改變表面化學(xué)性質(zhì)

       

    圖片

    在3個(gè)不同的硼硅酸鹽玻璃表面上的水滴接觸角測(cè)量:

    (a)涂有鹵化碳蠟(92°)

    (b)未經(jīng)處理的(32°)

    (c)使用Harrick等離子清洗機(jī)等離子清潔的氬氣( <10°)

    【資料來(lái)源:Sumner, A. L., E. J. Menke, Y. Dubowski, J. T. Newberg, R. M. Penner, J. C. Hemminger, L. M. Wingen, T. Brauers, B. J. Finlayson-Pitts. “The Nature of Water on Surfaces of Laboratory Systems and Implications for Heterogeneous Chemistry in the Troposphere.” Phys. Chem. Chem. Phys. (2004) 6: 604-613 – Reproduced by permission of The Royal Society of Chemistry 


    處理方法

    空氣或氧氣(O 2)氣體通常用于等離子體清潔??諝饣騉 2  等離子體通過(guò)與高反應(yīng)性氧自由基的化學(xué)反應(yīng)以及高能氧離子的燒蝕來(lái)去除有機(jī)污染物。等離子體還促進(jìn)表面上的羥基化(OH基),使表面更具親水性,并提高了表面潤(rùn)濕性。


    備選地,氬等離子體可以優(yōu)選用于清潔以最小化表面(例如金屬)的進(jìn)一步氧化。氬等離子體通過(guò)離子轟擊和物理燒蝕表面上的污染物進(jìn)行清潔,但不會(huì)與表面反應(yīng)。在某些情況下, 可以使用Ar / O 2混合物通過(guò)物理燒蝕與氬氣和與氧氣的化學(xué)反應(yīng)的結(jié)合來(lái)清潔表面。

    對(duì)于對(duì)硼硅酸鹽玻璃中痕量雜質(zhì)的潛在污染敏感的應(yīng)用,建議在標(biāo)準(zhǔn)派熱克斯(Pyrex)室上方使用石英室。

    以下是在Harrick等離子清洗機(jī)中進(jìn)行等離子體清潔的建議工藝條件(可能需要進(jìn)行一些實(shí)驗(yàn)才能確定*佳工藝條件)。

    • 壓力:500毫托至1托

    • 射頻功率:中或高檔

    • 處理時(shí)間:1-3分鐘

    • 低射頻功率可用于最小化表面粗糙,處理時(shí)間可能需要調(diào)整以補(bǔ)償較低的功率

     



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