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目錄:中美合資合肥科晶材料技術有限公司>>晶體產品>>A-Z系列晶體列表>> InAs晶體基片

InAs晶體基片
  • InAs晶體基片
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
參考價 面議
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  • 品牌
  • 型號
  • 廠商性質 生產商
  • 所在地 合肥市
屬性

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更新時間:2025-02-10 21:21:04瀏覽次數:1680評價

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砷化銦(InAs)晶體

產品名稱:

砷化銦(InAs)晶體

產品簡介:


技術參數:

晶體結構:

立方  a =5.4505 ?

生長方法:

CZ

導電類型:

N型

摻雜類型:

不摻雜

載流子濃度:

2 ~ 5E16 / cm3 

遷移率:

>18500cm2/V.S 


常規(guī)尺寸:

常規(guī)晶向:<100>、<111>;

常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm;

dia2″x0.5mm;拋光情況:單拋或雙拋;

表面粗糙度Ra:<15A

注:可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。

備注:

1000級超凈室100級超凈袋



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InSb

InP 

GaAs

GaSb

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