儀景通72DL PLUS測(cè)厚儀
72DL PLUS超聲測(cè)厚儀小巧便攜、易于使用，可以高速提供精確的厚度測(cè)量值。該測(cè)厚儀具備快速掃查、高級(jí)算法和我們有史以來(lái)最小可測(cè)厚度的能力，可使您充滿信心地測(cè)量超薄層的厚度，完成具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用。
72DL PLUS測(cè)厚儀有標(biāo)準(zhǔn)頻率和高頻兩種型號(hào)。高頻型號(hào)可以測(cè)量超薄材料，包括多層油漆、塑料、金屬和涂層，多層測(cè)量功能可以同時(shí)顯示多達(dá)六個(gè)獨(dú)立層的厚度。所有72DL PLUS型號(hào)都具有快速、準(zhǔn)確測(cè)量厚度的功能。
數(shù)字濾波器有助于實(shí)現(xiàn)出色的信噪比，從而準(zhǔn)確測(cè)量噪聲材料（如玻璃纖維）的厚度
高分辨率觸摸屏易于使用，可從不同角度觀察
PC機(jī)界面應(yīng)用程序集成了工作流程、檢測(cè)管理、報(bào)警和數(shù)據(jù)分析功能，以便您不斷提高產(chǎn)品質(zhì)量
用戶界面，簡(jiǎn)單直觀；屏幕寬大，易于觀察
視角寬廣，在大多數(shù)環(huán)境條件下都具有出色的可視性
177.8毫米（7英寸）全彩觸摸屏可以訪問(wèn)設(shè)置和測(cè)量布局
引導(dǎo)式配置，可以根據(jù)需要輕松更改設(shè)置
儀景通72DL PLUS測(cè)厚儀72DL PLUS測(cè)厚儀的技術(shù)規(guī)格
| 標(biāo)準(zhǔn)頻率型號(hào) | 高頻率型號(hào) | |
| 外型尺寸 （寬 × 高 × 厚） | 238.76 × 172.72 × 86.36 mm | |
| 重量 | 2.08 kg | |
| 供電設(shè)備 | 24 V AC/DC適配器，或73 Wh鋰離子電池 | |
| 電池供電時(shí)間 | 8小時(shí) | |
| 電池存儲(chǔ)溫度 | -20°C ～ 40°C | |
| 操作溫度 | -10°C ～ 50°C | |
| 顯示 | 177.8毫米（7英寸）WVGA（800 × 480）PCAP觸摸屏，更新率為60 Hz | |
| 分辨率 | 低分辨率：0.1 mm | 低分辨率：25 µm（1 mil = 0.001 in.) |
| 標(biāo)準(zhǔn)分辨率：0.01 mm | 標(biāo)準(zhǔn)分辨率：2.5 µm（0.1 mil = 0.0001 in.) | |
| 高分辨率：0.001 mm | 高分辨率：0.25 µm（0.01 mil = 0.00001 in.) | |
| 厚度范圍（取決于探頭頻率、探頭類(lèi)型和材料） | 鋼：0.20 mm ～ 635 mm | 塑料：0.0127 mm ～ 25.4 mm |
| 多層測(cè)量 | 最多6層 | |
| 測(cè)量速率 | 1到3層，最大2 kHz | 1到3層，最大1 kHz |
| 4到6層，最大1 kHz | 4到6層，最大500 Hz | |
| 校準(zhǔn) | 單點(diǎn)或兩點(diǎn)自動(dòng)校準(zhǔn)；零位偏移和/或聲速的手動(dòng)調(diào)整；在凍結(jié)波形上進(jìn)行的單點(diǎn)校準(zhǔn) | |
| 顯示布局 | A掃描、B掃描、A/B掃描、趨勢(shì)圖、放大圖、模板和A掃描/模板 | |
| 容量 | 2 GB； 約400000個(gè)厚度讀數(shù)，20000個(gè)波形 | |
| 頻率范圍 | 0.2 ～ 30 MHz（-3 dB） | 20 ～ 125 MHz（-3 dB） |
| 增益 | 自動(dòng)或手動(dòng)（最大100 dB） | 自動(dòng)或手動(dòng)（最大80 dB） |
| IP評(píng)級(jí) | 設(shè)計(jì)符合IP65評(píng)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)并通過(guò)測(cè)試：防塵，且可抵御來(lái)自各個(gè)方向的水射流 | |
| 爆炸性氣氛 | 通過(guò)了美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-810F方法511.4程序I中規(guī)定的測(cè)試。 | |
| 撞擊測(cè)試 | 通過(guò)了美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-810F方法516.5程序I中規(guī)定的測(cè)試，每個(gè)軸6個(gè)循環(huán)，15 g，11 ms半弦波。 | |
| 振動(dòng)測(cè)試 | 通過(guò)了美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-810F方法514.5程序I附錄C圖6中的測(cè)試，一般暴露：每軸1小時(shí)。 | |
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