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SHY-JBD86A半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀
參考價(jià): 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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訪問(wèn)次數(shù):300更新時(shí)間:2019-01-11 16:14:12

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
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半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀是根據(jù)四探針原理,適合半導(dǎo)體器材廠,材料廠用于測(cè)量半導(dǎo)體材料(片狀、棒狀)的體電阻率,方塊電阻(簿層電阻),也可以用作測(cè)量金屬薄層電阻,經(jīng)過(guò)對(duì)用戶、半導(dǎo)體廠測(cè)試的調(diào)查,根據(jù)美國(guó)ASTM標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定,在電路和探頭方面作了修改和,適合于半導(dǎo)體器材廠檢測(cè)方面對(duì)中值、高阻硅、鍺材料方塊電阻和體電阻率的測(cè)量需要,成為普及型的電阻率測(cè)試儀,具有測(cè)量精度高,穩(wěn)定性好,輸入阻抗高,使用方便、價(jià)
產(chǎn)品介紹

 貨號(hào):ZH9054 
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀是根據(jù)四探針原理,適合半導(dǎo)體器材廠,材料廠用于測(cè)量半導(dǎo)體材料(片狀、棒狀)的體電阻率,方塊電阻(簿層電阻),也可以用作測(cè)量金屬薄層電阻,經(jīng)過(guò)對(duì)用戶、半導(dǎo)體廠測(cè)試的調(diào)查,根據(jù)美國(guó)ASTM標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定,在電路和探頭方面作了修改和,適合于半導(dǎo)體器材廠檢測(cè)方面對(duì)中值、高阻硅、鍺材料方塊電阻和體電阻率的測(cè)量需要,成為普及型的電阻率測(cè)試儀,具有測(cè)量精度高,穩(wěn)定性好,輸入阻抗高,使用方便、價(jià)格低廉等特點(diǎn)。
半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀指標(biāo):
測(cè)量范圍:電阻率10-3—103Ω-cm,分辯率為10-4Ω-cm ,可擴(kuò)展到105Ω-cm
          方塊電阻10-2—104Ω/□,分辯率為10-3Ω/□,可擴(kuò)展到106Ω/□
          薄層金屬電阻10-4—105Ω,分辯率為10-4Ω
半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸:直徑Φ15—Φ125mm;
長(zhǎng)度:150mm(可擴(kuò)展500mm)
測(cè)量方式:軸向、斷面
數(shù)字電壓表:
量程:20mV(分辯率:10μV)、200mV、2V
測(cè)量誤差:±0.3%讀數(shù)±1字
輸入阻抗:大于108Ω
顯示3 1/2 位紅色發(fā)光二管(LED)數(shù)字顯示
0---1999具有性、過(guò)載、小數(shù)點(diǎn)、單位自動(dòng)顯示
恒流源:由交流供電
直流電流:0—100mA連續(xù)可調(diào)
量程:10μA、100μA、1mA、10mA、100mA
分辯率:10nA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA
電流誤差:±0.3%讀數(shù)±2字
電性能模擬考核誤差:<±0.3%ASTM指標(biāo)
測(cè)試探頭:(1)探針機(jī)械游移率:± 0.3% ASTM 指標(biāo)
電源:交流220V±10%   50HZ或60HZ  功率消耗< 30W
電氣箱外形尺寸:119×440×320mm
 

 

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