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目錄:科睿設(shè)備有限公司>>光刻機,勻膠機>> 無掩膜曝光機-光刻機

無掩膜曝光機-光刻機
  • 無掩膜曝光機-光刻機
  • 無掩膜曝光機-光刻機
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
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  • 品牌 其他品牌
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  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 所在地 上海市
屬性

應(yīng)用領(lǐng)域:電子,電氣,綜合

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更新時間:2024-12-09 21:38:10瀏覽次數(shù):2572評價

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無掩膜曝光機-光刻機
美國IMP(Intelligent Micro Patterning,LLC)公司憑借多年的光刻設(shè)備生產(chǎn)經(jīng)驗和多項無掩模曝光技術(shù),已成為無掩模紫外光刻領(lǐng)域的。國內(nèi)參考用戶較多!

無掩膜曝光機-光刻機

美國IMP(Intelligent Micro Patterning,LLC)公司憑借多年的光刻設(shè)備生產(chǎn)經(jīng)驗和多項無掩模曝光技術(shù),已成為無掩模紫外光刻領(lǐng)域的。國內(nèi)參考用戶較多!

    產(chǎn)品優(yōu)點:
    微米和亞微米光刻,最小0.6微米光刻精度
     紫外光直寫曝光,無需掩模,大幅節(jié)約了掩模加工費用
    靈活性高,可直接通過電腦設(shè)計光刻圖形,并可根據(jù)設(shè)計要求隨意調(diào)整。
     可升級開放性系統(tǒng)設(shè)計。
     按照客戶要求可從低端到定制,自由配置
    使用維護簡單, 設(shè)備耗材價格低。
     應(yīng)用范圍廣,目前廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、生物芯片、微機電系統(tǒng)、傳感器、微化學(xué)、光學(xué)等領(lǐng)域。

   SF-100 型
     可配置汞燈光源和LED光源,多種波長曝光(385nm, 405nm)

目鏡最小像素 1um
     1.25 micron with 4X reduction lens
     0.50 micron with 10X reduction lens
     0.25 micron with 20X reduction lens

無掩膜曝光機-光刻機

平臺參數(shù)
     全自動電腦控制位移
     高精度三維線性驅(qū)動樣品臺


X and Y 軸運動:
     移動范圍: 100--300mm
     準確性: +/-200 nm per axis
     重復(fù)性: +/- 50 nm per axis
   

Z 軸運動:
     移動范圍: 25 mm
     準確性: +/- 200 nm
     重復(fù)性: +/- 75 nm
   

Theta 轉(zhuǎn)動:
     轉(zhuǎn)動角度: 360 degrees
     準確性: +/-5 arc sec
     重復(fù)性: +/-2 arc sec


激光共聚焦對準功能


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