圣德科 TMS-2000 晶圓測試儀
產(chǎn)品概述：
Santec 的新系統(tǒng) TMS-2000 為半導體晶圓厚度的高精度亞納米映射帶來了新的動態(tài)。TMS-2000 采用一種新型激光掃描方法，以前從未在業(yè)界用于晶圓映射，為行業(yè)提供了多項優(yōu)勢;對溫度變化不敏感的精確厚度測量，一個系統(tǒng)不僅可以測量單層硅，還可以測量碳化硅和氮化鎵等功率半導體，以及SOI等多層晶圓，其成本點對于在生產(chǎn)中的廣泛部署具有吸引力。隨著半導體器件尺寸的減小，光刻工藝的公差變得更細，提高了晶圓厚度和場地平面度測量的高精度的重要性。對于非接觸式亞納米重復性測量，業(yè)界一直依賴外差干涉或Fizeau條紋分析系統(tǒng)，這些系統(tǒng)在普遍采用方面存在一些缺點。這些目前的解決方案需要正面和背面晶圓照明，對溫度變化和振動敏感，并且復雜性和成本高。Santec TMS-2000 解決了當前解決方案中發(fā)現(xiàn)的所有問題。
特征：
精度高：使用干涉檢測技術進行高精度測量（1nm重復精度）
行業(yè)標準參數(shù)：可以分析全局（GFLR、GFLD、GBIR）、站點（SFQR、SFQD、SBIR）、邊緣（ESFQR）
高耐環(huán)境性：由于環(huán)境耐久性，不需要溫度控制或振動對策
緊湊的尺寸：小尺寸，適合多種應用
高速：螺旋掃描（高速、高密度）
優(yōu)勢：
晶圓厚度測量系統(tǒng)，可測量晶圓的平整度，重復精度高達1nm。
測量準確，對溫度變化和振動不敏感
亞納米厚度重復性
具有可定制掃描圖案的完整晶圓映射
單面照明
晶圓與晶圓之間的比較
適用于重摻雜硅以及功率半導體和多層晶圓
測量符合SEMI標準
與傳統(tǒng)解決方案相比，具有成本優(yōu)勢
化工儀器網(wǎng)