隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,設(shè)備微型化和集成化程度不斷提高,對制造環(huán)境的要求也越來越高。特別是在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)(如7nm、5nm及更小節(jié)點(diǎn))中,高TOC(總有機(jī)碳)水平可能導(dǎo)致晶圓表面污染,從而引發(fā)缺陷,影響最終產(chǎn)品的性能和良品率。因此,加強(qiáng)TOC監(jiān)控已成為半導(dǎo)體制造過程中的重要環(huán)節(jié)。
在半導(dǎo)體制作工藝中,80%以上的工序要經(jīng)過化學(xué)處理,而每一道化學(xué)處理都離不開超純水,用于半導(dǎo)體工藝的超純水,根據(jù)美國ASTM D5127-2013(2018)標(biāo)準(zhǔn),一級電子級別水的TOC通常要求低于5ppb,GB/T 11446.1-2013要求一級電子級水低于20ppb。同時,生產(chǎn)工藝過程中電鍍液有機(jī)污染物的控制也很重要,不能超過一定的限值(3000-5000ppm)從而保證PCB(印制電路板)的品質(zhì)。
半導(dǎo)體行業(yè)TOC分析難點(diǎn):
超純水中低TOC濃度的準(zhǔn)確測定
電鍍液中高TOC濃度高鹽樣品的準(zhǔn)確測定
不同數(shù)量級濃度樣品不能一次測定
維護(hù)成本高、耗材貴
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