SB120四探針線圈平臺

其中：SB120線圈平臺及TE120/1樣品平臺可分別對磁電阻薄膜的磁電阻及導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率進(jìn)行測試及研究。

該實(shí)驗(yàn)平臺由帶360o刻度的底盤，安裝在底盤內(nèi)可旋轉(zhuǎn)360o的襯盤，安裝在底盤上的樣品平臺（高低可調(diào)）以及安裝在樣品平臺上的四探針等組成SB100/1樣品平臺。

SB120線圈平臺主要增加了二個相同類型的亥姆霍茲磁場線圈，分別安置在樣品平臺的兩側(cè)，且固定在可旋轉(zhuǎn)360o的襯盤兩邊上，樣品平臺位于磁場的中心，在其通電0-60V/5A的情況下，可確保產(chǎn)生磁場0-150奧斯特。

該實(shí)驗(yàn)平臺為被測樣品在磁場及非磁場情況下，對其的測試研究提供了方便。