等離子表面清洗機(jī) 去膠活化設(shè)備 返回列表頁

等離子去膠清洗機(jī)器對(duì)電路板、外延片、芯片、環(huán)氧基光刻膠去除。適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形都可以進(jìn)行等離子體去膠、活化、刻蝕、清洗、鍍膜。

專為半導(dǎo)體封裝和組裝 (ASPA)、晶圓級(jí)封裝 (WLP) 和微機(jī)電 (MEMS) 組裝的要求而設(shè)計(jì)等離子清洗機(jī)能改善芯片附著、增加引線鍵合強(qiáng)度、消除倒裝芯片底部填充空隙以及減少封裝分層。

在一些生產(chǎn)工序中，需要在表面涂膠，在這過程中可能會(huì)出現(xiàn)溢膠、殘余等等狀況，那么在進(jìn)入下一道工序前，需要對(duì)表面進(jìn)行處理，去除殘膠，等離子去膠機(jī)就是用在這個(gè)方面的。

半導(dǎo)體光刻膠去除工藝一般分成兩種，濕法去膠和干法去膠。相對(duì)于濕法去膠，等離子清洗機(jī)的干法去膠是利用高能等離子體處理光刻膠表面，去膠透徹且速度快，不需引入化學(xué)物質(zhì)，減少了對(duì)晶圓材料的腐蝕和損傷，是現(xiàn)有去膠工藝中好的方式。

等離子表面清洗機(jī) 去膠活化設(shè)備采用高密度、無損傷等離子源設(shè)計(jì)，同時(shí)配備成熟的遠(yuǎn)程ICP技術(shù)，達(dá)到高水平的去膠速率，并實(shí)現(xiàn)去膠損傷抑制；采用獨(dú)立腔室結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)均勻的流場分布，去膠均勻性表現(xiàn)優(yōu)異。

等離子表面清洗機(jī) 去膠活化設(shè)備是適用于硅基材料的晶圓表面去膠的清洗設(shè)備，也可用于光刻膠去除，碳化硅刻蝕，硬掩膜層干法清除，刻蝕后表面清潔，氧化硅或氮化硅刻蝕，DESCUM，介質(zhì)與介質(zhì)間光阻去除等應(yīng)用領(lǐng)域

等離子清洗機(jī)活化改性 去膠刻蝕、避免靜電損傷

等離子清洗去膠機(jī)是剝離式清洗，優(yōu)點(diǎn)在于清洗后無廢液，特點(diǎn)是不分處理對(duì)象的基材類型均可處理，如金屬、半導(dǎo)體、氧化物及粉體或時(shí)顆粒狀材料的等離子表面改性處理，包括：等離子清洗、活化、刻蝕、沉積、聚合、接枝、污染物去除、表面化學(xué)改性、聚合物植、表面涂覆等。等離子清洗機(jī)為所處理的材料表面帶來潔凈、提高濕潤性轉(zhuǎn)變，表面性質(zhì)改變，提高結(jié)合力等處理效果。