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晶體管開關(guān)參數(shù)測(cè)試儀測(cè)試中小功率半導(dǎo)體三管開關(guān)參數(shù)

時(shí)間:2017-7-24閱讀:525
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晶體管開關(guān)參數(shù)測(cè)試儀 型號(hào):NIB-2961A 貨號(hào):ZH9827 
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
測(cè)試中小功率半導(dǎo)體三管開關(guān)參數(shù),功率由100mW至1W的NPN或PNP型晶體管。
Td延遲時(shí)間
tr被測(cè)晶體管上升時(shí)間
ton晶體管開啟時(shí)間
ts存貯時(shí)間
tf被測(cè)晶體管下降時(shí)間
toff晶體管下降時(shí)間
主要參數(shù)
測(cè)量范圍:由5nS至500 nS
測(cè)量條件
Ib1=Ib2=1mA,  Ic=10 mA
 2) Ib1=Ib2=3mA,Ic=300 mA
 3) Ib1=Ib2=10mA,Ic=100 mA
 4) Ib1=Ib2=30mA,Ic=300 mA
 5) Ib1=Ib2=50mA,Ic=500 mA
脈沖寬度:0.7-2.5uS
±脈沖:≤2nS
±脈沖幅度:±10V±0.5V
指標(biāo)
脈沖信號(hào)源:頻率20K
取樣示波器:帶寬: 1000MHz
掃   速:20nS/cm . 50nS/cm . 100nS/cm 200nS/cm
CRT顯示輸入/輸出波形 計(jì)算機(jī)顯示測(cè)量參數(shù)及測(cè)量結(jié)果。
 

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