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鐵電存儲器存儲單元結(jié)構(gòu)鐵電存儲器的存儲單元主要有兩部分構(gòu)成，分別是場效應(yīng)管和電容。初研發(fā)出來的鐵電存儲器稱為“雙管雙容”，它的每個存儲單元有兩個場效應(yīng)管和兩個電容，每個存儲單元都包含數(shù)據(jù)位和各自的參考...2021/3/18查看全文
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鐵電存儲技術(shù)是在1921年早被科學(xué)家提出，一直到1993年，美國Ramtron公司才成功開發(fā)出第yi個容量只有4Kb的鐵電存儲器產(chǎn)品。發(fā)展到了現(xiàn)在，如今市面上幾乎的鐵電存儲器產(chǎn)品都是由美國鐵電公司制造...2021/3/18查看全文
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存儲器存儲器從一開始發(fā)展就受到了人們很多的關(guān)注。其一，它的集成度和集成電路的工藝技術(shù)都代表著當(dāng)代的*高水平；其二，半導(dǎo)體存儲器的產(chǎn)量是*大的，并且使用面在整個集成電路家族中也是*廣。數(shù)字存儲器發(fā)展到了...2021/3/17查看全文
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在我們對存儲器老化進(jìn)行可控性分析之前，首先需要對存儲器材料有所了解。在這里，我們研究的是鐵電存儲材料，因而先要了解一下鐵電材料。它是一種常用的電介質(zhì)材料，并且它具有較高的介電常數(shù)。鐵電材料在我們生活的...2021/3/17查看全文
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存儲器工藝的發(fā)展第yi個半導(dǎo)體存儲器是一種雙極型的靜態(tài)存儲器，并且只有16位，集成度非常低，所以不能體現(xiàn)出它的優(yōu)點(diǎn)。之后，MOSFET技術(shù)有了突破性的進(jìn)展。由于MOS集成電路的集成密度大大優(yōu)于雙極型電...2021/3/16查看全文
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綜合熱分析儀主要是測量熱物性值中熱滲透率的一種設(shè)備，可以進(jìn)行微小領(lǐng)域（微米等級）、納米薄膜、Sic（單晶體、多晶體）、AIN等的測量。熱分析儀檢測設(shè)備利用激光對樣品進(jìn)行調(diào)制循環(huán)加熱、通過紅外線放射量的...2021/3/16查看全文
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相移：電路中的分布電容、漏電導(dǎo)，示波器的輸入阻抗及其X軸、Y軸的放大器等因素將引起相移。相移使得回線的波形發(fā)生畸變，進(jìn)而影響特征參數(shù)的提取。高壓：測試儀的輸出電壓可以達(dá)到士5000V，需要進(jìn)行分壓，然...2021/3/12查看全文
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缺口沖擊試驗(yàn)大的優(yōu)點(diǎn)就是測量迅速簡便，所以將材料的沖擊韌度列為材料的常規(guī)力學(xué)。1）沖擊韌度可用于控制冶煉和鑄、鍛、焊、熱處理等熱加工工藝的質(zhì)量，判定工藝規(guī)范的執(zhí)行情況。諸如疏松、夾雜、白點(diǎn)、流紋、過燒...2021/3/11查看全文
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電介質(zhì)在電場下的基本特性無論哪一種電介質(zhì)，在外電場作用下，均會被極化。非極性電介質(zhì)在外電場作用下，圍繞原子核的電子云相對原子核發(fā)生彈性位移而形成偶極矩。極性電介質(zhì)加上外電場時，1）分子正負(fù)電荷中心的相...2021/3/11查看全文
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金屬材料在使用過程中除要求有足夠的強(qiáng)度和塑性外，還要求有足夠的韌性。所謂韌性，就是材料在彈性變形、塑性變形和斷裂過程中吸收能量的能力。韌性好的材料在服役條件下不至于突然發(fā)生脆性斷裂，從而使得到保證。韌...2021/3/10查看全文