NaI(Tl)γ閃爍探測(cè)器 1.5" x 1.5" 晶體

該探測(cè)器是一款的通用探測(cè)器，它具有38 x 38毫米的晶體，與帶有積分分壓器的PMT耦合，鋁制外殼，以及鍍銀BNC連接器。 表面經(jīng)硬質(zhì)耐磨的陽(yáng)極氧化處理。

伽馬能譜儀技術(shù)指標(biāo)

閃爍晶體: NaI(Tl)

PMT.......................: 10級(jí)

連接器..............: BNC (鍍銀)

本底 CPM...: ~950

660 keV時(shí)的分辨率：7-9％

電壓范圍 750V - 850V

伽瑪能量范圍: 25 to 2500 KeV

隨附1米BNC到BNC同軸電纜

1.5“ x 1.5" CeBr3晶體-高分辨率伽瑪閃爍探測(cè)器。

溴化鈰或CeBr3可提供優(yōu)于NaI（Tl）的分辨率，其分辨率優(yōu)于4.5％

并且可以提供伽馬分離，而NaI根本無(wú)法實(shí)現(xiàn)這種分離。

構(gòu)造說(shuō)明

為了獲得好分辨率，我們將直徑1.5英寸的CeBr3晶體安裝到2英寸的PMT上，并安裝在2英寸的鋁制外殼中，PMT具備電磁屏蔽。

技術(shù)指標(biāo)

封裝的CeBr3晶體

MU金屬電磁屏蔽

12兆歐分壓器

SHV連接器直接連接到陽(yáng)極

NaI（Tl）伽瑪閃爍探測(cè)器1.5“ x 2.5"晶體

該探測(cè)器是一款的通用檢測(cè)器，它具有38 x 63毫米的晶體，與帶有積分分壓器的PMT耦合，封裝于鋁制外殼中，表面經(jīng)過(guò)耐磨陽(yáng)極氧化處理。

技術(shù)指標(biāo)

閃爍晶體：NaI（Tl）

PMT.......................: 10級(jí)

連接器..............: BNC (鍍銀)

本底 CPM...: 217

660 keV時(shí)的分辨率：7-9％

電壓范圍 700V - 850V

伽瑪能量范圍：252500 KeV

隨附1米BNC到BNC同軸電纜

NaI（Tl）伽瑪閃爍探測(cè)器2.0“ x 2.0"晶體

該探測(cè)器是一款的通用檢測(cè)器，它具有51 x 51 mm晶體，并與帶有積分分壓器的PMT耦合，封裝于鋁制外殼中，表面經(jīng)過(guò)耐磨陽(yáng)極氧化處理。

伽馬能譜儀技術(shù)指標(biāo)

閃爍晶體：NaI（Tl）

PMT.......................: 10級(jí)

分壓器.......：12 M歐姆

連接器..............: SHV

本底 CPM...: 10,300 @ 650V

660 keV時(shí)的分辨率：7-9％

電壓范圍 650V - 750V

伽瑪能量范圍：253000 KeV

0.75米 SHV到SHV或SHV到BNC同軸電纜

CsI（Tl）伽瑪閃爍探測(cè)器2.0“ x 2.0"晶體

該探測(cè)器是一款的通用探測(cè)器，它具有51 x 51 mm碘化銫晶體，并與帶有積分分壓器的 PMT耦合，封裝在鋁制外殼中，表面經(jīng)過(guò)耐磨陽(yáng)極氧化處理。

技術(shù)指標(biāo)

閃爍晶體：CsI（Tl）

PMT...................: 8級(jí)

分壓器.......：18 M歐姆

連接器..............: SHV

本底 CPM...: @ 900V

660 keV時(shí)的分辨率：6.5％-7.5％

電壓范圍: 800- 900 V

伽瑪能量范圍：253000 KeV

隨附1米SHV到SHV電纜

3“ x 3" NaI探測(cè)器。

該探測(cè)器封裝有3 x 3"NaI晶體和3" PMT，配有固體Mu金屬屏蔽以防止電磁干擾。

與較小的探測(cè)器不同，3英寸封裝的晶體性地固定在MU防護(hù)罩上，不能輕易卸下。