薄膜沉積控制儀包括反應(yīng)腔室，還包括至少兩套成膜機(jī)構(gòu)，所述至少兩套成膜機(jī)構(gòu)分別對(duì)應(yīng)待成膜基板的至少兩個(gè)成膜區(qū)域；每套所述成膜機(jī)構(gòu)配置為在所述反應(yīng)腔室內(nèi)形成一種成膜環(huán)境，且各套所述成膜機(jī)構(gòu)所形成的成膜環(huán)境中至少一項(xiàng)工藝參數(shù)不同，以分別在對(duì)應(yīng)的成膜區(qū)域形成薄膜性能或薄膜參數(shù)不同的薄膜。

　　薄膜設(shè)備為與高速加工以及大量的節(jié)省加工時(shí)間、成本相結(jié)合，零件的改進(jìn)已經(jīng)成為其中的重要因素。在薄膜的加工中，為得到的效益，因此必須要選擇合適的表面處理工藝。對(duì)于中重負(fù)荷的機(jī)械，要選擇CVD高溫鍍鈦，并與精密真空熱處理相輔助，從而才可以達(dá)到可以接受變形量。

　　薄膜沉積室本底真空：≤1Pa；

　　薄膜沉積室：由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成；有效尺寸：Φ220×H230mm；

　　射頻耦合方式：電容耦合/電感耦合；射頻源功率：帶500W13.56MHz；

　　氣路系統(tǒng)：由三路轉(zhuǎn)子流量計(jì)控制（可選配質(zhì)量流量計(jì)）；

　　襯底加熱溫度：室溫至300℃可控；

　　平行板電極：Φ70mm；

　　工作反應(yīng)氣體：由電極板上微孔均勻?qū)耄?/div>