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[供應(yīng)]介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)定儀(介電性能測(cè)試儀)

貨物所在地:北京北京市
產(chǎn)地:北京市房山區(qū)開(kāi)發(fā)區(qū)顧八路1區(qū)1號(hào)
更新時(shí)間:2024-12-31 10:08:06
有效期:2024年12月31日 -- 2025年4月1日
已獲點(diǎn)擊:338

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)定儀(介電性能測(cè)試儀)電介質(zhì)在單位時(shí)間內(nèi)消耗的能量稱為電介質(zhì)損耗功率,簡(jiǎn)稱電介質(zhì)損耗?;颍弘妶?chǎng)作用下的能量損耗,由電能轉(zhuǎn)變?yōu)槠渌问降哪?,如熱能、光能等,統(tǒng)稱為介質(zhì)損耗。它是導(dǎo)致電介質(zhì)發(fā)生熱擊穿的根源。
詳細(xì)介紹

一、符合標(biāo)準(zhǔn):

GB/T1409測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)存內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法;

GB/T 5654-2007液體絕緣材料相對(duì)電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電阻率的測(cè)量;

二、產(chǎn)品概述:

ZJD-87介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)定儀(介電性能測(cè)試儀)是一款專為實(shí)驗(yàn)室研制的高精度高壓電橋,突破了傳統(tǒng)的電橋測(cè)量方式,采用變頻電源技術(shù),利用單片機(jī)和現(xiàn)代化電子技術(shù)進(jìn)行自動(dòng)頻率變換、模/數(shù)轉(zhuǎn)換和數(shù)據(jù)運(yùn)算;達(dá)到抗干擾能力強(qiáng)、測(cè)試速度快、精度高、全自動(dòng)數(shù)字化、操作簡(jiǎn)便;廣泛適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備及相關(guān)絕緣材料的介損和介電常數(shù)的測(cè)量。

三、技術(shù)指標(biāo):

準(zhǔn)確度:Cx:±(讀數(shù)×0.5%+0.5pF);

tgδ:±(讀數(shù)×0.5%+0.00005);ε:0.5%;

抗干擾指標(biāo):變頻抗干擾(40-70Hz),最大輸入電流5A;

           內(nèi)置最高10KV測(cè)試電壓輸出,可調(diào)分辨率1V;

電容量范圍:內(nèi)施高壓:3pF~60000pF/10kV;60pF~1μF/0.5kV;

外施高壓:3pF~1.5μF/10kV;60pF~30μF/0.5kV;

外接量程擴(kuò)展器時(shí)可以測(cè)試幾千安培下高壓電器的介損值;

分辨率:最高0.001pF,4位有效數(shù)字;

計(jì)算機(jī)接口:標(biāo)準(zhǔn)RS232接口;

外形尺寸:8U標(biāo)準(zhǔn)機(jī)箱;

儀器重量:25kg;

離子位移極化—— Ionic Polarization

電介質(zhì)中的正負(fù)離子在電場(chǎng)作用下發(fā)生可逆的彈性位移。 正離子沿電場(chǎng)方向 移動(dòng),負(fù)離子沿反電場(chǎng)方向移動(dòng)。由此形成的極化稱為 離子位移極化。

image.png

離子在電場(chǎng)作用下偏移平衡位置的移動(dòng)相當(dāng)于形成一個(gè)感生偶極矩。

image.png

離子位移極化所需時(shí)間大約為10-12~10-13秒 。不以熱的形式耗散能量,不導(dǎo)致介電損耗。

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)定儀(介電性能測(cè)試儀)

•損耗的形式

•介質(zhì)損耗的表示方法

•介質(zhì)損耗和頻率、溫度的關(guān)系

•無(wú)機(jī)介質(zhì)的損耗

介質(zhì)損耗定義:

電介質(zhì)在單位時(shí)間內(nèi)消耗的能量稱為電介質(zhì)損耗功率,簡(jiǎn)稱電介質(zhì)損耗?;颍弘妶?chǎng)作用下的能量損耗,由電能轉(zhuǎn)變?yōu)槠渌问降哪?,如熱能、光能等,統(tǒng)稱為介質(zhì)損耗。它是導(dǎo)致電介質(zhì)發(fā)生熱擊穿的根源。

損耗的形式:

電導(dǎo)損耗:在電場(chǎng)作用下,介質(zhì)中會(huì)有泄漏電流流過(guò),引起電導(dǎo)損耗。 實(shí)質(zhì)是相當(dāng)于交流、直流電流流過(guò)電阻做功,故在這兩種 條件下都有電導(dǎo)損耗。絕緣好時(shí),液、固電介質(zhì)在工作電 壓下的電導(dǎo)損耗是很小的,

極化損耗:只有緩慢極化過(guò)程才會(huì)引起能量損耗,如偶極子 的極化損耗。

游離損耗:氣體間隙中的電暈損耗和液、固絕緣體中局部放 電引起的功率損耗稱為游離損耗。

介質(zhì)損耗的表示:

當(dāng)容量為C0=?0S/d的平板電容器上 加一交變電壓U=U0eiwt。則:

image.png

1、電容器極板間為真空介質(zhì)時(shí), 電容上的電流為:

image.png

2、電容器極板間為非極性絕緣材料時(shí),電容上的電流為:

image.png

3、電容器極板間為弱導(dǎo)電性或極性,電容上的電流為:

image.png

G是由自由電荷產(chǎn)生的純電導(dǎo),G=?S/d, C=?S/d

如果電荷的運(yùn)動(dòng)是自由的, 則G實(shí)際上與外電壓額率無(wú)關(guān);如果這些電荷是被 符號(hào)相反的電荷所束縛, 如振動(dòng)偶極子的情況,G 為頻率的函數(shù)。

image.png

介質(zhì)弛豫和德拜方程:

1)介質(zhì)弛豫:在外電場(chǎng)施加或移去后,系統(tǒng)逐漸達(dá)到平衡狀 態(tài)的過(guò)程叫介質(zhì)弛豫。 介質(zhì)在交變電場(chǎng)中通常發(fā)生弛豫現(xiàn)象,極化的弛豫。在介質(zhì)上加一電場(chǎng),由于極化過(guò)程不是瞬時(shí)的,極化包括兩項(xiàng):

P(t) = P0 + P1(t)

P0代表瞬時(shí)建立的極化(位移極化), P1代表松弛極化P1(t)漸漸達(dá)到一穩(wěn)定值。這一滯后 通常是由偶極子極化和空間電荷極 化所致。 當(dāng)時(shí)間足夠長(zhǎng)時(shí), P1(t)→ P 1 ∞ , 而總極化P(t) → P∞ 。image.png

2)德拜(Debye)方程:

頻率對(duì)在電介質(zhì)中不同的馳豫現(xiàn)象有關(guān)鍵性的影響。 設(shè)低頻或靜態(tài)時(shí)的相對(duì)介電常數(shù)為ε(0),稱為靜態(tài)相對(duì)介電常數(shù);當(dāng)頻率ω→∞時(shí),相對(duì)介電常數(shù)εr’ →ε∞( ε∞代表光頻 相對(duì)介電常數(shù))。則復(fù)介電常數(shù)為:

影響介質(zhì)損耗的因素:

1、頻率的影響

ω→0時(shí),此時(shí)不存在極化損 耗,主要由電導(dǎo)損耗引起。 tgδ=δ/ωε,則當(dāng)ω→0時(shí), tgδ→∞。隨著ω升高,tgδ↓。

image.png

隨ω↑,松弛極化在某一頻率開(kāi)始跟不上外電場(chǎng)的變化, 松弛極化對(duì)介電常數(shù)的貢獻(xiàn) 逐漸減小,因而εr隨ω↑而↓。 在這一頻率范圍內(nèi),由于ωτ <<1,故tgδ隨ω↑而↑。

當(dāng)ω很高時(shí),εr→ε∞,介電常數(shù)僅 由位移極化決定,εr趨于最小值。 由于ωτ >>1,此時(shí)tgδ隨ω↑而↓。 ω→∞時(shí),tgδ→0。

image.png

tgδ達(dá)最大值時(shí)ωm的值由下式求出:

image.png

tgδ的最大值主要由松弛過(guò)程決定。如果介質(zhì)電導(dǎo)顯著變大,則tgδ的最大值變得平坦, 最后在很大的電導(dǎo)下,tgδ無(wú)最大值,主要表現(xiàn)為電導(dǎo)損耗特征:tgδ與ω成反。

image.png

2、溫度的影響

當(dāng)溫度很低時(shí),τ較大,由德拜關(guān)系式可知,εr較小,tgδ也較小。此時(shí),由于ω2τ2>>1,由德拜可得:

image.pngimage.png

隨溫度↑,τ↓,所以εr、tgδ↑

當(dāng)溫度較高時(shí),τ較小,此時(shí)ω2τ2<<1

image.png

隨溫度↑,τ↓,所以tgδ ↓。這時(shí)電導(dǎo)上升并不明顯,主要決定于極化過(guò)程:

image.png

當(dāng)溫度繼續(xù)升高,達(dá)到很大值時(shí), 離子熱運(yùn)動(dòng)能量很大,離子在電場(chǎng)作用下的定向遷移受到熱運(yùn)動(dòng)的阻礙,因而極化減弱,εr↓。此時(shí)電導(dǎo)損耗劇烈↑,tgδ也隨溫度 ↑而急劇上升↑。

image.png

3.濕度的影響

• 介質(zhì)吸潮后,介電常數(shù)會(huì)增加,但比電導(dǎo)的增加要慢,由于電導(dǎo)損耗增大以及松馳極化損耗增加,而使tgδ增大。

• 對(duì)于極性電介質(zhì)或多孔材料來(lái)說(shuō),這種影響特別突出,如,紙內(nèi)水分含量從4%增加到10%時(shí),其tgδ可增加100倍。

降低材料的介質(zhì)損耗的方法

(1)選擇合適的主晶相:盡量選擇結(jié)構(gòu)緊密的晶體作為主晶相。

(2)改善主晶相性能時(shí),盡量避免產(chǎn)生缺位固溶體或填隙固溶體,最好形成連續(xù)固溶體。這樣弱聯(lián)系離子少,可避免損耗顯著增大。

(3)盡量減少玻璃相。有較多玻璃相時(shí),應(yīng)采用“中和效應(yīng)"和“壓抑效應(yīng)",以降低玻璃相的損耗。 (4)防止產(chǎn)生多晶轉(zhuǎn)變,多晶轉(zhuǎn)變時(shí)晶格缺陷多,電性能下降,損耗增加。

(5)注意焙燒氣氛。含鈦陶瓷不宜在還原氣氛中焙燒。燒成過(guò)程中升溫速度要合適,防止產(chǎn)品急冷急熱。

(6)控制好最終燒結(jié)溫度,使產(chǎn)品“正燒",防止“生燒"和“過(guò)燒"以減少氣孔率。此外,在工藝過(guò)程中應(yīng)防止雜質(zhì)的混入,坯體要致密。



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