| 射頻CCP薄膜沉積裝置 型號：ZH5494 | 貨號：ZH5494 |
| 產(chǎn)品簡介 本裝置主要由薄膜沉積室、真空抽氣系統(tǒng)、氣源進氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)、襯底加熱溫度控制系統(tǒng)等部分組成。 通過本實驗裝置可以掌握CVD（化學氣相沉積）；理解CVD的成膜過程及要求，化學輸運反應的原理，等離子體CVD的原理、特點及等離子體的激勵方式；了解該在電學、光學、微電子學等領域的廣闊應用前景。 可開設的實驗 1、P型微晶硅材料及在薄膜太陽能電池上的應用； 2、硅系納米復合薄膜材料PCVD法制備； 3、電容耦合/電感耦合等離子體化學氣相沉積制備種功能薄膜。 主要參數(shù) 1、薄膜沉積室：由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成；尺寸：Φ220×H230mm； 2、薄膜沉積室本底真空： ≤1Pa； 3、射頻耦合方式：電容耦合/電感耦合；射頻源功率：帶500W 13.56MHz； 4、氣路系統(tǒng)：由三路轉(zhuǎn)子流量計控制（可選配流量計）； 5、襯底加熱溫度：室溫至300℃可控； 6、平行板電：Φ70mm； 7、工作反應氣體：由電板上微孔均勻?qū)耄?br />8、真空抽氣系統(tǒng)：2XZ-4型旋片機械泵，4L/S，單相220V交流電源供電； 9、管道、閥門：材質(zhì)使用不銹鋼和金屬波紋管； 10、對過流過壓、斷路等異常情況進行報警，并執(zhí)行相應保護措施； 11、供電電源：AC220V，50Hz，整機功率2KW。 |  |
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