3.1    使用環(huán)陣探頭+相控陣線掃的檢測(cè)結(jié)果

先看激發(fā)8個(gè)晶片的檢測(cè)結(jié)果，其中20mm處螺帽與螺桿交界處的刻槽缺陷檢測(cè)結(jié)果如下。

缺陷深度21.89mm。

80mm處的刻槽缺陷檢測(cè)結(jié)果如下，缺陷位置深度78.89mm。

140mm處的刻槽缺陷檢測(cè)結(jié)果如下，缺陷位置深度138.17mm。

其他條件不變，改變一次激發(fā)晶片數(shù)量至4個(gè)晶片的檢測(cè)結(jié)果如下，較淺的20mm和80mm缺陷較清晰，但140mm處的缺陷信號(hào)比較弱。

改變一次激發(fā)晶片數(shù)量至2個(gè)晶片的檢測(cè)結(jié)果如下，此時(shí)幾乎無(wú)法發(fā)現(xiàn)140mm處的缺陷信號(hào)。

而如果增加一次激發(fā)晶片數(shù)量至16個(gè)晶片的檢測(cè)結(jié)果如下，140mm處的缺陷信號(hào)更加清晰，但由于晶片環(huán)形排列，16晶片跨越的弧度較大，無(wú)法有效形成聚焦，因而信號(hào)被拉長(zhǎng)放大。這與線陣探頭的信號(hào)成像規(guī)律剛好相反。

如果增加一次激發(fā)晶片數(shù)量至32個(gè)晶片的檢測(cè)結(jié)果如下，此時(shí)由于32晶片跨越了一半的晶片寬度，也就是整個(gè)半個(gè)圓弧的晶片都被激發(fā)，此時(shí)由于這32個(gè)晶片不在一條水平線上直線排列，而是半圓弧型排列，聲束無(wú)法聚焦，信號(hào)變形嚴(yán)重，也幾乎無(wú)法發(fā)現(xiàn)140mm處的缺陷信號(hào)。

小結(jié)：由上面的線掃檢測(cè)結(jié)果可知，當(dāng)使用8個(gè)晶片進(jìn)行螺栓檢測(cè)時(shí)可以得到相對(duì)更好的檢測(cè)結(jié)果，而使用更少的晶片激發(fā)時(shí)，由于激發(fā)晶片過(guò)少，聲束穿透能力降低，檢測(cè)更深的缺陷的能力變?nèi)?；而使用更多的晶片激發(fā)時(shí)，由于激發(fā)晶片增加，導(dǎo)致晶片由于不在一條直線上而造成聚焦能力反而降低，信號(hào)被拉長(zhǎng)放大。

3.2    使用全聚焦的檢測(cè)結(jié)果

使用全聚焦技術(shù)同樣可以發(fā)現(xiàn)這些刻槽缺陷，且深度和位置與實(shí)際一致，缺陷信噪比較好。

但由于該試塊是不帶中心孔的螺栓試塊，所以需要考慮如果檢測(cè)帶中心孔的試塊可能對(duì)全聚焦聲束合成造成的影響。

3.3    使用線陣探頭扇掃的檢測(cè)結(jié)果

使用線陣探頭，并使用扇掃同樣可以發(fā)現(xiàn)這些缺陷，但如果要發(fā)現(xiàn)20mm位置的螺帽與螺桿交界處的刻槽，則需要使用楔塊以增大進(jìn)入螺栓的入射角，且該刻槽缺陷與螺帽的邊緣底面信號(hào)很接近，比較難分辨。

如果想檢測(cè)80mm和140mm位置的缺陷，則需要使用不帶楔塊的方式，以避免由于楔塊的固有回波影響檢測(cè)結(jié)果。

下面是80mm和140mm位置缺陷的檢測(cè)結(jié)果，需要強(qiáng)調(diào)的是這兩個(gè)缺陷無(wú)法在一個(gè)位置被發(fā)現(xiàn)，需要旋轉(zhuǎn)探頭才能夠被發(fā)現(xiàn)。