開(kāi)關(guān)式電源，微處理器和數(shù)字電路應(yīng)用的一個(gè)共同趨勢(shì)是降低高頻工作時(shí)的噪聲。為了做到這一點(diǎn)，元器件必須具備低ESR（電阻率）、高電容和高可靠性。 

鉭電容器陽(yáng)極的總體表面積，特別是其表面積與體積比，是確定其ESR值的關(guān)鍵參數(shù)之一，總表面積越大，ESR值越大。使用多陽(yáng)極是大幅降低鉭電容器ESR值的其中一種方法，其做法是在一個(gè)電容體中使用多個(gè)相同的電極材料。 

傳統(tǒng)的做法 

在高壽命和高可靠性應(yīng)用中，二氧化錳電板極常規(guī)鉭電容器仍然是一個(gè)普遍的選擇。二氧化錳技術(shù)能提供*的場(chǎng)性能和環(huán)境穩(wěn)定性以及在很寬的電壓范圍如2.5～50V內(nèi)提供高電阻率和熱阻率，器件設(shè)計(jì)的運(yùn)行溫度在125℃以上。然而，與聚合物鉭電容器相比，二氧化錳電極系統(tǒng)較高的ESR是一個(gè)缺點(diǎn)。 

陽(yáng)極選擇 

單一陽(yáng)極技術(shù)成為標(biāo)準(zhǔn)通用型選擇是由于其出色的性價(jià)比。多陽(yáng)極設(shè)計(jì)可提供更低的ESR值，但其缺點(diǎn)是生產(chǎn)成本要高于單陽(yáng)極解決方案。 

使用標(biāo)準(zhǔn)的芯片集成工藝的槽式陽(yáng)極設(shè)計(jì)是低ESR與低成本折中的一種結(jié)果。因此，槽式設(shè)計(jì)通常用于價(jià)格敏感同時(shí)要求低ESR的設(shè)計(jì)，而多陽(yáng)極技術(shù)適合用于既要求低ESR更要求高可靠性的應(yīng)用中，如電信基礎(chǔ)設(shè)施、網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器和軍事/航空航天等應(yīng)用。 

除了上述差異，多陽(yáng)極的概念有另兩處優(yōu)勢(shì)。 

(1)多陽(yáng)極設(shè)計(jì)具有更好的散熱性能，這意味著多陽(yáng)極電容可以承載更高的持續(xù)電流；同理，多陽(yáng)極電容對(duì)抗電流浪涌危害的能力也更強(qiáng)。 

(2)相較于單一的陽(yáng)極，多陽(yáng)極電容的單位容積效率較低，這導(dǎo)致了一種假設(shè)，認(rèn)為多陽(yáng)極不能達(dá)到與單一陽(yáng)極一樣的CV（定電壓因素）。事實(shí)上，薄的陽(yáng)極實(shí)現(xiàn)起來(lái)更容易，并且更易被第二個(gè)二氧化錳電極系統(tǒng)穿透，使更高的CV得以利用，因此，多陽(yáng)極電容器能達(dá)到同樣甚至更高的CV水平。 

常見(jiàn)多陽(yáng)極類型 

當(dāng)今市場(chǎng)上常用的鉭多陽(yáng)極通常采用縱向排列3～5個(gè)陽(yáng)極于一個(gè)電容體內(nèi)的方法實(shí)現(xiàn)，如圖1所示。這實(shí)際是從制造的角度來(lái)看的，如果從ESR的角度，此解決辦法則不如橫向布局，橫向布局中更薄的平板陽(yáng)極有望進(jìn)一步減小ESR。