電壓·電流特性。

光電二極管的電壓—電流特性在無(wú)光照時(shí)，它的特性與一般二極管一樣。受光后，它的特性曲線沿電流軸向下平移，平移的幅度與光照強(qiáng)度成正比例。特性曲線在第三象*，表達(dá)了管子在加有反向電壓并受光照時(shí)的反向特性。此特性表明：

a．反向電流隨入射光照度的增加而增大，在一定的反向電壓范圍內(nèi)，反向電流的大小幾乎與反向電壓高低無(wú)關(guān)。

b．在入射照度一定時(shí)，光電二極管相當(dāng)于一個(gè)恒流源，其輸出電壓與負(fù)載電阻增大而升高。如只R1～>R2，則輸出電壓URl>Uc，其中URl=Uc—Ul，UR2=Uc—U2。特性曲線在第四象*，它呈光電池特性，光照強(qiáng)度越大，負(fù)載電阻越小，電流越大。即R1>R2時(shí)，則I2>I1。

②反向工作電壓UR。

在無(wú)光照時(shí)，光電二極管中反向電流≤0．2—0．31µA時(shí)，允許的反向電壓一般不大于10V，可達(dá)50V。

③暗電流ID。

在無(wú)光照時(shí)，加一定反向電壓時(shí)的反向漏電流與暗電流。通常在50V反壓下的暗電流小于100nA。

④光電流IL。

在受到一定光照及一定反壓條件下，流過(guò)管子的電流為光電流。一般光電流為幾十μA，并且與照度成線性關(guān)系。

⑤光譜響應(yīng)特性。

硅光電二極管的光譜范圍為400～1100nm，其峰值波長(zhǎng)為880～900nm，這與GaAs紅外發(fā)光二極管的波長(zhǎng)相匹配，可獲得較高的傳輸效率