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美國OptoDiode的分段光電二極管

響應(yīng)性好，噪音低，OptoDiode分段光電二極管

美國OptoDiode分段光電二極管有紅色增強(qiáng)型和紫外線增強(qiáng)型分段探測器，AXUVPS7、SXUVPS4、SXUVPS4C分段探測器存儲(chǔ)和工作溫度在環(huán)境下是-10°C~40°C，在氮?dú)饣蛘婵帐?span style="margin: 0px; padding: 0px;">-20°C至80°C，引線焊接溫度是260°C。超過這些參數(shù)的溫度可能會(huì)在有源區(qū)產(chǎn)生氧化物生長。隨著時(shí)間的推移，對低能量輻射和波長低于150納米的輻射的反應(yīng)性將受到影響。距離外殼0.080"，持續(xù)10秒。發(fā)貨時(shí)帶有臨時(shí)蓋子，以保護(hù)光電二極管和導(dǎo)線連接。在拆除蓋子之前，請查看OptoDiode，"IRD檢測器的處理注意事項(xiàng)"。美國OptoDiode分段探測器光子響應(yīng)性好，噪音低，是電子檢測的理想選擇。

ODD-3W-2分段光電二極管的特點(diǎn)

- 紅色增強(qiáng)型

- 低噪音

- 高響應(yīng)

- 高分流電阻

- 扁平的TO-5封裝    

在VR=5 V測試條件下，暗電流典型值是0.9na，最大值是5na。VR=10 mV， 分流電阻的典型值是300歐姆。當(dāng)VR=0 V, f=1MHz，結(jié)點(diǎn)電阻是30pF，當(dāng)VR=10 V, f=1MHz時(shí)結(jié)點(diǎn)電阻是7.5pF。光譜應(yīng)用范圍是250nm-1100nm。當(dāng)λ=633nm, VR=0V時(shí)，反應(yīng)性最小值是0.32A/W，典型值是0.36A/W，當(dāng)λ=900nm, VR=0V時(shí)，反應(yīng)性最小值是0.5A/W，典型值是0.6A/W。當(dāng)IR=10μA，擊穿電壓最小值是25V，典型值是60V。當(dāng)VR=0V, λ=950nm時(shí)，噪聲等效功率2.5x10-14 W/√HZ。當(dāng)RL=50Ω, VR=0V，上升時(shí)間典型值為190納秒，當(dāng)RL=50Ω, VR=10V，上升時(shí)間典型值為8納秒。反向電壓100V。暗電流與電壓圖同AXUVPS7分段光電二極管相同。

存儲(chǔ)溫度為-55°C~150°C，工作溫度為-40°C~125°C，引線焊接溫度是260°C。

SXUVPS4分段二極管的特點(diǎn)

- 圓形有效區(qū)域（4個(gè)象限）

- TO-5，5引腳封裝

在R.049(1.25mm)測試條件下，SXUVPS4分段光電二極管每象限有效面積的典型值是1.25mm2。當(dāng)VR為±10mV時(shí)，分流電阻最小值為100歐姆，當(dāng)IR=1µA時(shí)，反向擊穿電壓最小值是20V。VR=0V時(shí)，電容的最大值是500pF。當(dāng)VR=0V, RL=500Ω，上升時(shí)間最大值是1微秒。存儲(chǔ)和工作溫度與AXUVPS7分段光電二極管相同。

SXUVPS4C分段光電二極管

TO-5，5引腳封裝，SXUVPS4C分段光電二極管每象限有效面積的典型值是1.25mm2，在波長254nm時(shí)，響應(yīng)性是0.02A/W。VR=±18V，暗電流典型值是1nA，最大值是100nA。當(dāng)R=1µA時(shí)，反向擊穿電壓最小值是20V。VR=0V，電容典型值是100pF，最大值是300Pf。VR=0V時(shí)，上升時(shí)間典型值是1微秒。Vf=±10mV時(shí)分流電阻是100歐姆。電容與電壓是反比的關(guān)系，暗電流與電壓是正比的關(guān)系。

AXUVPS7分段光電二極管的特點(diǎn)

- 是電子檢測的理想選擇

- 圓形有效區(qū)域

AXUVPS7分段光電二極管在25°C時(shí)的電光特性，有效面積的典型值是36.5mm2。響應(yīng)性的最小值是0.07A/W，典型值是0.08A/W，最大值是0.09A/W。當(dāng)VR為±10mV時(shí)，分流電阻最小值為10歐姆，當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時(shí)，反向擊穿電壓最小值是5V。VR=0V時(shí)，電容的典型值是2nF,最大值是6nf。當(dāng)VR=2V, RL=50Ω，上升時(shí)間最大值是2微秒。

美國OptoDiode的分段光電二極管