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      CuInS2/ZnS量子點(diǎn),硫化亞銅納米晶體光譜

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      所在地西安市

      更新時間:2020-06-03 09:41:41瀏覽次數(shù):448次

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      CuInS2/ZnS量子點(diǎn),硫化亞銅納米晶體光譜CuInS2(CIS)量子點(diǎn)由于其、太陽光吸收系數(shù)高、光化學(xué)性能穩(wěn)定在生物、光電領(lǐng)域有很大的應(yīng)用潛力,然而目前量子產(chǎn)率較低、質(zhì)量不可控和批量制備工藝的缺乏了它的應(yīng)用。

      CuInS2/ZnS量子點(diǎn),硫化亞銅納米晶體光譜

      西安齊岳生物科技供應(yīng)蛋白、磷脂、PEG、透明質(zhì)酸、環(huán)糊精、碳納米管、金納米粒子、金納米棒、金納米線、金-二氧化硅核殼結(jié)構(gòu)、四氧化三鐵納米粒子、鉑納米線、碳納米管-金納米粒子復(fù)合物、量子點(diǎn)、二氧化硅納米粒子、石墨烯、二維MOS2、樹枝狀化合物、其他聚合物和貴金屬納米材料都可以做的、定制合成、生產(chǎn)和銷售。提供功能化的Fe2O3氧化鐵納米粒子,四氧化三鐵Fe3O4納米復(fù)合物的定制合成。

      CuInS2/ZnS量子點(diǎn),硫化亞銅納米晶體光譜

      產(chǎn)品描述:

      CuInS2(CIS)量子點(diǎn)由于其、太陽光吸收系數(shù)高、光化學(xué)性能穩(wěn)定在生物、光電領(lǐng)域有很大的應(yīng)用潛力,然而目前量子產(chǎn)率較低、質(zhì)量不可控和批量制備工藝的缺乏了它的應(yīng)用?;贑IS量子點(diǎn)的發(fā)光機(jī)理和生長動力學(xué)研究了CIS和核殼CIS/ZnS量子點(diǎn)熒光效率的合成工藝,并通過調(diào)節(jié)工藝參數(shù)實(shí)現(xiàn)了對熒光量子產(chǎn)率的大幅和CIS量子點(diǎn)熒光光譜的調(diào)控。在此基礎(chǔ)上將燒瓶合成工藝轉(zhuǎn)移到微反應(yīng)器系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)了CIS和CIS/ZnS量子點(diǎn)的連續(xù)合成。后,以CIS量子點(diǎn)規(guī)模化生產(chǎn)為例,基于微反應(yīng)器設(shè)備的連續(xù)化生產(chǎn)工藝進(jìn)行工程概念設(shè)計、投資成本估算和經(jīng)濟(jì)效益分析??傮w實(shí)現(xiàn)了從實(shí)驗(yàn)室到生產(chǎn)的全生命周期的研究。主要獲得以下結(jié)果:  (1)CIS量子點(diǎn)熒光效率的高溫液相熱處理過程  研究了基于高溫液相熱處理的方法以CIS量子點(diǎn)的熒光量子產(chǎn)率。分析了CIS的發(fā)光機(jī)理、液相熱處理過程對晶體結(jié)晶度和熒光量子產(chǎn)率的影響。結(jié)果表明:CIS量子點(diǎn)發(fā)光為多能級發(fā)光,給體-受體缺陷發(fā)光為主要發(fā)光方式。CIS顆粒內(nèi)部和表面的多種缺陷引起的非輻射弛豫是導(dǎo)致顆粒量子產(chǎn)率較低的主要原因。在高溫液相環(huán)境中和配體存在下晶體表面進(jìn)行重新溶解與生長,能減少晶體內(nèi)部雜質(zhì)和晶體內(nèi)部、表面缺陷,減少非輻射弛豫的概率,CIS量子點(diǎn)的熒光量子產(chǎn)率從5.7%10.8%。

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