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產(chǎn)品簡介
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DAFER德富力鉛酸蓄電池NP24-12 12V24AH出售原裝
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我司所售的蓄電池保證是原廠原裝產(chǎn)品，，簽訂合同，38AH以上出現(xiàn)非人為質量問題三年內免費更換同等型號的全新電池，請廣大客戶放心采購！我們的服務承諾：本公司售出的24AH以上所有品牌蓄電池，質保三年，簽署合同書，（用在太陽能質保一年，用在UPS電源質保三年；非人為情況下）
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超前規(guī)劃
由于供配電系統(tǒng)不易改造,機房在規(guī)劃時會思索到將來3～5年的業(yè)務擴容,常常需求提早規(guī)劃好擴容容量的供配電系統(tǒng);圖3給出了超前規(guī)劃降低UPS負載率。
②冗余配置
為保證牢靠性,供配電系統(tǒng)需求冗余配置,常采用N+1配置,局部中心負載以至采用2N或2(N+1)配置,保證供配電系統(tǒng)任何一條線路呈現(xiàn)問題時都不會招致負載掉電;采用圖4給出了冗余配置降低系統(tǒng)負載率。
③機房設計時不可能依照100%負載率停止設計,普通狀況下,負載率不會超越80%。
由于以上所講的三個緣由,普通狀況下,UPS實踐負載率低于40%,冗余越高的,負載率越低(見圖4),一些機房UPS負載率會低到20%左右。
2 UPS損耗組成
如何提升UPS的效率?UPS的損耗由哪些局部組成?圖5為UPS輸入功率的zui終走向。
圖5中深色局部為UPSzui終輸出功率,即提供應負載的能量;淡色局部為UPS本身產(chǎn)生的損耗,zui終轉化為熱量或輻射等;圖上方的折線圖為效率趨向。從圖5中能夠看出UPS損耗并不是呈現(xiàn)線性增加,這是由于其損耗由多品種型組成。以下對空載時的損耗和滿載時的損耗分別停止剖析,從中找出UPS損耗構成的根本規(guī)律。
(1)空載損耗
從圖6中能夠看出,UPS上電后,有一局部器件一直處于工作狀態(tài),其損耗即便在UPS空載時也是*的。這局部器件中,損耗zui大的是電感,占領了42%,其次是IGBT和SCR的驅動以及SCR自身的損耗,兩者加起來大約占了26%左右,還有一些損耗比擬小的,比方泄放電阻,電容內阻等。普通占UPSzui大額定容量的0.5%～3%左右。
(2)滿載損耗
圖7為滿載損耗散布圖,能夠看出,跟空載損耗相比IGBT與二極管損耗明顯增大,從空載時的6.6%躍升至45.7%;電感損耗占比略有降落,但是依然占領了32.6%;SCR的損耗略有上升,從12.4%上升到14.4%。其他諸如風扇,監(jiān)控,控制板等占比均有降落。
從以上的比照能夠看出,IGBT、二極管、電感等的損耗是UPS損耗的大頭,要想提升UPS的效率,一方面需求從降低這些器件損耗動手,另一方面,能夠選擇更優(yōu)的拓撲構造。
3 如何降低UPS損耗
(1)降低器件損耗
高頻UPS所用的半導體器件主要為IGBT、二極管以及MOSFET。由于本身構造和工作特性不同,器件損耗構成各有不同。
①IGBT
IGBT的損耗由導通損耗和開關損耗構成。
導通損耗等于導通電流ICE和正導游通壓降UCE的乘積
開關損耗分為開通和關斷損耗,能夠用單次通斷的能量損耗(Eon或Eoff)乘以開關頻率Fsw來表示
降低IGBT損耗需求選擇導通壓降低、開關損耗小的型號。由于通常導通壓降低和開關損耗小無法同時選擇,所以需求判別實踐電路中導通損耗比擬大還是開關損耗比擬大,然后選擇收益zui大的一個方向選擇IGBT。
隨著半導體技術的開展,IGBT也逐步呈現(xiàn)高效化的趨向,新一代的IGBT通常比上一代損耗降低,所以優(yōu)先選擇采用技術的IGBT也是降低損耗的一個常用手法。華為UPSU5000在整流和逆變電路上選擇了不同型號的IGBT以配合電路實踐工作特性,以求到達損耗zui小。
注:局部電路中IGBT的反并聯(lián)二極管也會產(chǎn)生損耗,選擇IGBT時也需求留意二極管特性。
②二極管
在UPS中會運用較多的功率二極管,依照電路工作的頻率,二極管分為高頻二極管和整流(工頻)二極管,兩種二極管的損耗略有差別,本文主要討論高頻二極管的狀況。
高頻二極管的損耗主要由導通損耗和開關損耗構成,導通損耗等于正導游通電流IF和正導游通壓降UF的乘積:
開關損耗主要是由二極管的反向恢復電流惹起的
式中,Udiode-REC為二極管的反向電壓,Ileakage-diode-REC為二極管的反向恢復電流。
二極管的總損耗為:
如上式所示,假如要降低高頻二極管的損耗,需求選擇導通壓降小和反向恢復快的二極管。
③功率電感
功率電感的損耗由磁芯損耗和線圈損耗組成。磁芯損耗分為磁滯損耗、渦流損耗和剩余損耗。UPS普通工作頻率不高,大局部在20kHz左右,磁芯損耗主要由磁滯損耗和渦流損耗構成,通常磁芯供給商的擬合損耗曲線會包含這些損耗。以CSC sendust26μ磁芯為例,圖8中給出了損耗的擬合公式,先計算出B,再代入工作頻率即可得到單位體積的損耗。降低B能有效降低磁芯損耗,即能夠選擇增大磁路截面積或進步頻率、降低工作電壓等措施來降低磁芯損耗。例如:以CSC鐵硅鋁26μ的磁芯為例,假如將磁芯的截面積增加25%,其他條件不變,則B會降低25%,磁芯損耗則會降低45%。
DAFER德富力蓄電池，其性能已達到較高水平。公司在生產(chǎn)過程中嚴格遵照ISO9001的質量標準，采用*的質量控制工藝，在原材料采購、制程控制、出貨檢測的整個過程中進行嚴格的質量控制。產(chǎn)品擁有可靠的性能，才獲得了ISO9001、UL和CE等認證。
DAFER德富力蓄電池產(chǎn)品優(yōu)勢：
•安全性能好：正常使用下無電解液漏出，無電池膨脹及破裂。
•放電性能好：放電電壓平穩(wěn)，放電平臺平緩。
•耐震動性好：*充電狀態(tài)的電池*固定，以4mm的振幅，16.7HZ的頻率震動1小時，無漏液，無電池膨脹及破裂，開路電壓正常。
•耐沖擊性好：*充電狀態(tài)的電池從20CM高處自然落至1CM厚的硬木板上3次無漏液，無電池膨脹及破裂，開路電壓正常。
•耐過放電性好：25攝氏度，*充電狀態(tài)的電池進行定電阻放電3星期（電阻只相當于該電池1CA放電要求的電阻），恢復容量在75%以上.
•耐充電性好：25攝氏度，*充電狀態(tài)的電池0.1CA充電48小時，無漏液，無電池膨脹及破裂，開路電壓正常，容量維持率在上95%以.
蓄電池應用領域與分類：
◆ 免維護無須補液； ● UPS不間斷電源；
◆ 內阻小，大電流放電性能好； ● 消防備用電源；
◆ 適應溫度廣； ● 安全防護報警系統(tǒng)；
◆ 自放電??； ● 應急照明系統(tǒng)；
◆ 使用壽命長； ● 電力，郵電通信系統(tǒng)；
◆ 荷電出廠，使用方便； ● 電子儀器儀表；
◆ 安全防爆； ● 電動工具,電動玩具；
◆ *配方，深放電恢復性能好； ● 便攜式電子設備；
◆ 無游離電解液，側倒仍能使用； ● 攝影器材；
◆ 產(chǎn)品通過CE,ROHS認證,所有電池 ● 太陽能、風能發(fā)電系統(tǒng)；
符合國家標準?！ ?巡邏自行車、紅綠警示燈等。
閥控式密封免維護鉛酸蓄電池規(guī)格型號參數(shù)：
電池型號 | 額定電壓（V） | 容量（Ah) | 外觀尺寸 | 端子類型 | ||
長 | 寬 | 高 | ||||
NP24-12 | 12 | 24 | 166 | 126 | 174 | T4 |
NP38-12 | 12 | 28 | 197 | 166 | 174 | T32 |
NP40-12 | 12 | 40 | 197 | 166 | 174 | T32 |
NP65-12 | 12 | 65 | 350 | 166 | 179 | T9 |
NP100-12 | 12 | 100 | 407 | 174 | 209 | T10 |
NP120-12 | 12 | 120 | 407 | 174 | 233 | T11 |
NP150-12 | 12 | 150 | 484 | 170 | 240 | T46 |
NP200-12 | 12 | 200 | 522 | 240 | 216 | T11 |
NP250-12 | 12 | 250 | 520 | 268 | 220 | T11 |
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另外我們還為客戶提供技術咨詢服務，說出您的負載、延時時間等，
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線圈損耗是電流在導線上流過產(chǎn)生的。通常流過電感的電流包括直流或工頻的低頻電流和開關頻率的高頻電流。由于集膚效應的存在,開關頻率較高時線圈的交流阻抗會大于直流阻抗,所以設計時假如開關頻率較高,需求用多股細線并繞來降低集膚效應的影響。
④風扇
風扇的損耗主要來自電機,通常電機的損耗和轉速的立方成正比,所以在不同負載段恰當調整風扇轉速,能夠降低各負載段的風扇損耗。
(2)優(yōu)化拓撲構造,降低損耗
除了以上討論的降低器件損耗外,經(jīng)過優(yōu)化UPS的拓撲構造也能夠降低損耗。在UPS范疇,大量應用多電平拓撲。相關于以前運用的兩電平拓撲,如今常用的二極管箝位型三電平拓撲與傳統(tǒng)兩電平拓撲逆變器相比,能夠減小濾波電感的尺寸和損耗。
①三電平損耗剖析
圖9給出二極管箝位型三電平逆變器拓撲。電路主要損耗為開關器件的導通損耗、開關損耗以及輸出濾波電感損耗。因三相電路三個橋臂的損耗相同,為便于計算,基于A相單相橋臂停止損耗剖析。
如圖10給出A相橋臂開關VT1～VT4的驅動信號ugVT1～ugVT4與輸出電壓uo、電流io關系表示圖。開關動作狀況可依據(jù)uo、io的方向分為Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ四個區(qū)域。
ugVT1～ugVT4與uo、io的關系由圖10能夠看出,在Ⅰ區(qū)域中,io方向為負,即流入變換器。當輸出高電平常,VD1,VD2導通;當輸出零電平常,VD5,VT3導通。疏忽io在一個開關周期中的變化,則Ⅰ區(qū)域中逆變器單相半導體器件損耗功率為
式中,EswⅠ為Ⅰ區(qū)域器件耗費的總開關損耗能量;EconⅠ+為Ⅰ區(qū)域輸出高電平常,器件耗費的總導通損耗能量;EconⅠ0為Ⅰ區(qū)域輸出零電平常,器件耗費的總導通損耗能量;f為輸出電壓頻率。在Ⅱ區(qū)域中,io方向為正,即流出變換器。當輸出高電平常,VT1、VT2導通,輸出零電平常,VD6、VT2導通。Ⅱ區(qū)域導通器件表示圖疏忽io在一個開關周期中的變化,則Ⅱ區(qū)域中逆變器單相半導體器件損耗功率為
式中,EswⅡ為Ⅱ區(qū)域器件耗費的總開關損耗能量;EconⅡ+為II區(qū)域輸出高電平常,器件耗費的總導通損耗能量;EconⅡ0為Ⅱ區(qū)域輸出零電平常,器件耗費的總導通損耗能量。剖析可知,Ⅲ區(qū)域與Ⅰ區(qū)域,Ⅳ區(qū)域與Ⅱ區(qū)域分別為對偶關系,所以Ⅲ區(qū)域的器件損耗與Ⅰ區(qū)域相同,Ⅳ區(qū)域的器件損耗與Ⅱ區(qū)域相同,故三電平逆變器三相半導體器件總損耗功率為
②兩電平損耗剖析
兩電平逆變器拓撲如圖11所示。同樣,依據(jù)uo和io的方向,將開關動作狀況分為Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ四個區(qū)域,則兩電平逆變器三相半導體器件總損耗功率可表示為
各重量計算與三電平對應,但需修正相應的損耗參數(shù)。
比照式(1)和式(2),用Mathcad軟件可算出三電平和兩電平逆變器在相同給定應用條件下的損耗和效率。
依照以下給定值計算:三電平逆變器以IGBT為開關器件,型號為2MBI 300U2B-060(600V/300A),二極管VD1～VD6型號為1FI150B-060(600V/200A);兩電平逆變器所用IGBT型號為2MBI300UC-120(1200V/300A);兩種拓撲逆變器驅動電阻Rg=5Ω,工作溫度Tj=125℃。理論計算,當fs=10kHz時,三電平逆變器效率比兩電平逆變器進步1.7%;當fs=20kHz,三電平逆變器效率可進步2.79%。能夠看出,選擇更優(yōu)的拓撲能夠顯著進步效率。