單點(diǎn)拋錨浮標(biāo)警示船只浮體

單點(diǎn)拋錨浮標(biāo)警示船只浮體

浮體應(yīng)（英語(yǔ)：Floating body effect）是在SOI技術(shù)中實(shí)現(xiàn)的晶體管與體勢(shì)（body potential）相關(guān)的應(yīng)。晶體管在緣體層上形成個(gè)電容。這個(gè)電容上聚集的電荷可能會(huì)產(chǎn)生負(fù)面應(yīng)，例如，開(kāi)啟結(jié)構(gòu)上的寄生晶體管和關(guān)態(tài)泄漏電流（off-state leakages），造成高的電流消耗，以動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器丟失信息。它也造成歷史應(yīng)（英語(yǔ)：history effect），即晶體管與之前狀態(tài)閾值電壓有關(guān)的應(yīng)。在模擬電路器件中，浮體應(yīng)被稱作扭結(jié)應(yīng)（英語(yǔ)：Kink effect）。

單點(diǎn)拋錨浮標(biāo)警示船只浮體

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表個(gè)二進(jìn)制比（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來(lái)說(shuō)，周期性地充電是個(gè)可避的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來(lái)說(shuō)，靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。
與SRAM相比，DRAM的勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單——每個(gè)比的數(shù)據(jù)都只需個(gè)電容跟個(gè)晶體管來(lái)理，相比之下在SRAM上個(gè)比通常需要六個(gè)晶體管。正因這緣故，DRAM擁有高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有訪問(wèn)速度較慢，耗電量較的缺點(diǎn)。

門(mén)前左右角樓為鳴金、奏樂(lè)和瞭望，東西兩側(cè)是轅門(mén)。整個(gè)建筑飛檐畫(huà)棟，雄偉壯觀。其興建于1888年(光緒十四年)。占地面積近1萬(wàn)平方米，"傍海修筑，高距危巖，下臨地，飛甍廣廈，輪奐美焉"。其平面呈長(zhǎng)方，主體建筑分前后三棟，三進(jìn)院落。