運(yùn)河警示浮標(biāo)單個(gè)航道航標(biāo)

運(yùn)河警示浮標(biāo)單個(gè)航道航標(biāo)

浮力：浸在液體(或氣體)里的物體受到液體(或氣體)向上托的力。
浮力的方向：與重力方向相反，豎直向上。
浮力產(chǎn)生的原因：浸在液體或氣體里的物體受到液體或氣體對(duì)物體向上的和向下的壓力差 [1]  。
物體在液體中下表面受到的壓力于物體在液體中上表面受到的壓力，所以合力為F向上-F向下，原因是液體內(nèi)部向各個(gè)方向都有壓強(qiáng)，那么物體上表面受到液體給它的個(gè)向下的壓力，而物體下表面受到液體給它的個(gè)向上的壓力。由于在同種液體中，深度越，壓強(qiáng)越，所以物體下表面受到的壓力很明顯要于物體上表面受到的壓力，所以是F向上-F向下

運(yùn)河警示浮標(biāo)單個(gè)航道航標(biāo)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表個(gè)二進(jìn)制比（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來說，周期性地充電是個(gè)可避的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來說，靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。
與SRAM相比，DRAM的勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單——每個(gè)比的數(shù)據(jù)都只需個(gè)電容跟個(gè)晶體管來理，相比之下在SRAM上個(gè)比通常需要六個(gè)晶體管。正因這緣故，DRAM擁有高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有訪問速度較慢，耗電量較的缺點(diǎn)。

以浸在液體中的物體為例，由于液體會(huì)產(chǎn)生壓強(qiáng)，而且壓強(qiáng)隨深度增加而變，且液體內(nèi)部向各個(gè)方向都有壓強(qiáng)，因此物體下底面受到的液體向上的壓力較，上底面受到的液體向下的壓力較小，物體上、下底面的壓力差即表現(xiàn)為豎直向上的浮力。側(cè)面所受到的壓力相互抵消