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MDP少子壽命測(cè)試儀 | 鐵濃度測(cè)定

閱讀:1382      發(fā)布時(shí)間:2023-6-11
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有了MDPingot和MDPmap系列,就可以全自動(dòng)地測(cè)量磚塊和硅片中的鐵濃度,而且分辨率非常高。鐵硼對(duì)解離前后的壽命測(cè)量是一種**使用的測(cè)定硅片中鐵的方法。在高摻雜濃度的摻硼硅中,因?yàn)樗挥糜诠夥鼞?yīng)用,幾乎100%的電活性鐵以FeB對(duì)的形式存在。在有足夠能量的光照下,這些鐵對(duì)可以在Fe和B中解離。這個(gè)過(guò)程是可逆的,在一段時(shí)間后,所有的FeB對(duì)都會(huì)再次結(jié)合。FeB和Fei有不同的重組特性,因此解離對(duì)測(cè)量的壽命有影響。在這種影響下,鐵的濃度可以通過(guò)以下方式確定

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對(duì)于鐵的測(cè)定,使用了一個(gè)校準(zhǔn)系數(shù)C,它取決于注入、摻雜濃度和陷阱濃度,這在多晶硅中必須加以考慮。通過(guò)MDP,可以對(duì)多晶硅和單晶硅進(jìn)行高分辨率的鐵濃度測(cè)定,并且由于模擬和多年的研究,還具有很高的精度。


照明前的壽命圖和產(chǎn)生的鐵圖

關(guān)于鐵的測(cè)定和校準(zhǔn)系數(shù)的依賴性的更多信息,請(qǐng)閱讀:

[1] S. Rein and S. W. Glunz, Journal of Applied Physics 98 (2005).

[2] N.Schüler, T.Hahn, K. Dornich, J.R. Niklas, Solid State phenomena to be published


陷阱濃度測(cè)定的工具

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MDPmap

單晶和多晶晶片壽命

測(cè)量裝置......

MDPpro

單晶和多晶晶片和晶磚

壽命測(cè)量裝置......

MDPspot

低成本臺(tái)式壽命測(cè)量系統(tǒng),用于在不同制備階......




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