產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 價(jià)格區(qū)間 | 1-3萬(wàn) |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,石油,地礦,建材,冶金 |
產(chǎn)品分類品牌分類
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全自動(dòng)膠質(zhì)層測(cè)定儀 粘結(jié)指數(shù)攪拌儀 全自動(dòng)膠質(zhì)層測(cè)定儀(通風(fēng)式) 全自動(dòng)粘結(jié)指數(shù)測(cè)定儀 實(shí)驗(yàn)焦?fàn)t 焦炭反應(yīng)性及反應(yīng)后強(qiáng)度測(cè)定儀 一體化粘結(jié)指數(shù)攪拌測(cè)定儀 微機(jī)膠質(zhì)層指數(shù)測(cè)定儀 微電腦粘結(jié)指數(shù)測(cè)定儀 焦炭鼓前分組機(jī)械篩 米庫(kù)姆轉(zhuǎn)鼓機(jī) 焦炭轉(zhuǎn)鼓機(jī) 焦炭鼓后組合機(jī)械篩 焦炭落下強(qiáng)度測(cè)定儀
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
灰熔點(diǎn)測(cè)定儀 熱力公司煤炭檢測(cè)儀器【鶴壁創(chuàng)新灰熔點(diǎn)測(cè)定儀】煤的灰熔點(diǎn)測(cè)定儀,微機(jī)灰熔點(diǎn)測(cè)定儀,灰熔融性檢測(cè)儀器,檢測(cè)煤炭灰熔融性的機(jī)器,測(cè)試煤灰熔點(diǎn)的儀器,智能灰熔點(diǎn)測(cè)定儀,全自動(dòng)灰熔點(diǎn)測(cè)定儀,灰熔融性測(cè)定儀
HR-6型 灰熔點(diǎn)測(cè)定儀與硅碳管高溫爐配套,是化驗(yàn)室進(jìn)行煤灰熔融性測(cè)定的智能化儀器。
該儀器嚴(yán)格按照國(guó)標(biāo)有關(guān)規(guī)定全自動(dòng)完成灰熔點(diǎn)測(cè)定。
可以在一定范圍內(nèi)對(duì)控制參數(shù)進(jìn)行選擇和修改,還具備可以自行設(shè)定是定時(shí)恒溫程序和標(biāo)準(zhǔn)RS232通訊功能。
按國(guó)標(biāo)GB/T219-2008要求采用單片機(jī)自動(dòng)控制升溫速度,爐體可以自由旋轉(zhuǎn),取放樣方便。
灰熔點(diǎn)測(cè)定儀 技術(shù)參數(shù):
測(cè)溫范圍:0-1600℃,分辨率1℃,配用S值熱電偶
升溫速度:900℃以前15-20℃/min
900℃以后﹙5±1﹚℃/min
測(cè)溫誤差:≤±3℃
電源電壓:AC220V±15% 50Hz
輸出電流:≤30A
儀器功耗:10W
儀器尺寸(mm):305×120×390
灰熔點(diǎn)測(cè)定儀 熱力公司煤炭檢測(cè)儀器
出現(xiàn)了在升溫過(guò)程中屢燒溫度控制器中可控硅的故障,由于更換頻繁,嚴(yán)重影響了檢測(cè)任務(wù)的完成。
1產(chǎn)生故障原因
儀器電加熱系統(tǒng)溫度控制器中可控硅。每次在更換可控硅時(shí)都要進(jìn)行耐壓測(cè)試,并對(duì)發(fā)熱元件硅碳管的電控部分進(jìn)行測(cè)試,未發(fā)現(xiàn)有短路的情況??煽毓钃p壞的原因,關(guān)健就在于電加熱系統(tǒng)。儀器的電加熱系統(tǒng),由電源的輸入端,經(jīng)溫度控制器中的可控硅輸出至電爐的硅碳管。儀器電加熱系統(tǒng)的電爐結(jié)構(gòu)如圖1所示。 旋出電偶蓋,卸開散熱罩,仔細(xì)觀察電熱系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)發(fā)現(xiàn)硅碳管與剛玉內(nèi)外套管的間隙很小。分析認(rèn)為:在加熱過(guò)程中,高溫的硅碳管會(huì)形變,變形后的硅碳管若與剛玉內(nèi)外套管碰接在一起會(huì)導(dǎo)致漏電,使負(fù)載電流增大而燒壞可控硅。另外•在煤灰的熔融性測(cè)定中,爐內(nèi)會(huì)有CO生成,在間隙很小氧氣不足時(shí)會(huì)析出碳,析出的碳如沉積在硅碳管的縫隙處會(huì)形成短路,也會(huì)使負(fù)載電流增大而燒壞可控硅。其次,原電路電加熱系統(tǒng)的主電路設(shè)計(jì)過(guò)于簡(jiǎn)單,對(duì)可控硅無(wú)任何保護(hù)措施,也是燒壞可控硅的原因之一。
2電加熱系統(tǒng)技術(shù)改造
在硅碳管與剛玉內(nèi)外套管空隙處的四周墊上片狀的耐火磚以增加絕緣效果,這樣高溫中的硅碳管變形后就不會(huì)與剛玉內(nèi)外套管接觸在一起造成漏電而燒壞可控硅。另外空隙的存在,使硅碳管周圍留有的空氣會(huì)將析出的碳燒掉,以防止短路的發(fā)生而燒壞可控硅。增加阻容保護(hù)電路。在可控硅兩端并一個(gè)阻容吸收電路,具體電路如圖2所示。利用電容兩端電壓不能突變?cè)?,可以限制可控硅元件的過(guò)電壓,達(dá)到保護(hù)可控硅的目的。利用快速熔斷器作過(guò)流保護(hù)。普通的熔斷器 熔斷時(shí)間較長(zhǎng),不能用它來(lái)保護(hù)可控硅。選用30A的快速熔斷器,能起到較好的保護(hù)作用。