大孔徑二氧化硅的制備：

     大孔徑介孔二氧化硅的制備稱 取 2.0 g 嵌 段 共 聚 物 表 面 活 性 劑 P123(EO20PO20EO20, BASF 公司), 溶于 75 mL 濃度為1.6 mol·L- 1 的鹽酸中。置于室溫下磁力攪拌 1 h 后,滴入 0.6 g 擴孔劑 (TMB), 將反應溫度上升至 40 ℃攪拌 30 min。之后慢慢滴加 4.4 g 正硅酸乙酯(TEOS), 40 ℃下繼續(xù)攪拌反應 20 h。將上述反應液轉移到高壓反應釜中, 100 ℃晶化 24 h, 得到的反應產物經抽濾、洗滌后, 于 80 ℃下烘干。將所得粉末置于馬弗爐中, 以 1.5 ℃·min- 1 的速度升溫至500 ℃, 空氣氣氛中焙燒 8 h, 得到焙燒產物,即孔徑較大的介孔二氧化硅材料, 稱為 MCF。(以上流程不加入擴孔劑 TMB 所得的產物稱為 SBA-15)。

    氨基改性介孔二氧化硅的制備

分別取 0.5 g MCF, 5 mL 3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)加入到 50 mL 甲苯中 80 ℃回流 12 h, 過濾, 乙醇洗滌, 干燥, 得到較大孔徑的氨基改性介孔二氧化硅,稱為 m-MCF。(為比較吸附性能, 另以同樣配比對 1.1 中得到的 SBA-15 進行氨基改性, 所得產物稱為 m-SBA-15)

可以提供各尺寸的定制服務：

二氧化硅sio2

氨基二氧化硅

羧基二氧化硅

巰基二氧化硅

介孔二氧化硅MSN

氨基介孔硅

羧基介孔硅

巰基介孔硅

二硫氨基介孔硅MSN-SS-NH2

中空介孔硅

氨基中空介孔硅

羧基中空介孔硅

巰基中空介孔硅

熒光標記二氧化硅

熒光標記介孔硅

FITC標記介孔硅

RB標記介孔硅

鏈霉親和素標記介孔硅

二氧化硅包四氧化三鐵

介孔硅包四氧化三鐵

二氧化硅包金…………